半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：郑畅 刊期：2014年第03期
<正>酝酿许久的国家集成电路扶持细则预计将于端午节前后出炉。这次国家集成电路扶持基金总额度1200亿元,时间区间为2014~2017年。这将是国内集成电路产业最大规模的扶持基金,超过了该行业过去十年的研发投入总额。虽上述说法尚未得到权威部门的证实,但是由于业内实际状况与信息安全问题,该行业确实需要国家的大力扶持以做大做强……最近...
作者：江安庆 刊期：2014年第03期
<正>全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(...
作者：郑畅 刊期：2014年第03期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日的Vishay Siliconix这款-3...
作者：郑畅 刊期：2014年第03期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150 V N沟道MOSFET——SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm×2mm,在10 V下具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转...
作者：江安庆 刊期：2014年第03期
<正>推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOS-FET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器...
作者：江安庆 刊期：2014年第03期
<正>致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案。该系列创新SiCMOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。美高森美拥有利用SiC半导体市场...
作者：季建平 刊期：2014年第03期
<正>2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该器件提供卓越的46.2 dBm OIP3(输出三阶截取)和2.6 dB噪声指数。其OP1dB(输出1dB压缩点)为同类最佳的22 dBm。该器件有两个级别版本,包括100%经过测试、在240MHz保证提供42.2 dBm最低OIP3的A级版本,以及在...
作者：季建平 刊期：2014年第03期
<正>2014年6月3日讯:飞思卡尔半导体日前推出专为坚固耐用型应用而设计的首款塑封器件,继续保持在射频功率技术领域的长期领导地位。新款MR-FE6VP5150N/GN和MRFE6VP5300N/GN功率放大器是业界首个驻波比大于65∶1的额定器件,采用模塑封装。飞思卡尔高级副总裁兼射频部总经理Paul Hart表示:"飞思卡尔已为蜂窝市场的宏蜂窝基站部署了数百万的...
作者：赵佶 刊期：2014年第03期
<正>据外媒报道,国外领先的专注于射频及无线半导体解决方案的公司Sky-works近日推出一款超低噪声放大器(LNA),适用于蜂窝基础设施,无线连接,以及广播通信应用套件。众所周知,LNA位于接收链路中距离信号被捕捉很近的位置,所有后面的处理都是基于低噪放放大后的信号进行的,所以低噪放大器是决定系统整体性能的关键器件。据悉,该LNA可为客户...
作者：赵佶 刊期：2014年第03期
<正>无线技术的便利性已经得到所有人的认可,无线技术的优势也通过技术的不断演进变得越来越明显,从而带动整个无线市场的快速普及。射频不是一个简单的元器件,而是一个涉及多个半导体器件的解决方案。作为这个市场的领导者之一,飞思卡尔半导体提供广泛的射频低功率产品组合,满足目前复杂且具有挑战性的应用及市场需求。从通用放大器、增...
作者：赵佶 刊期：2014年第03期
<正>2014年6月3日讯:射频功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布推出射频功率工具系统(RF Power Tool system)。该系统旨在简化射频功率应用的开发,帮助客户创建独特的新射频功率解决方案。飞思卡尔射频功率工具系统是市场上唯一全面集成的射频功率应用开发系统,它将多个射频工作台工具功能集成到一个盒子中,无需射频评估设备的...
作者：江安庆 刊期：2014年第03期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018 Ω的超低E...
作者：郑畅 刊期：2014年第03期
<正>Analog Devices,Inc.近日最新高度集成式RFIC,可大幅简化多频段基站和点对点(PtP)无线电的设计并降低开发成本。这些最新器件包括:I/Q调制器ADRF6720、I/Q解调器ADRF6820和双通道混频器ADRF6612。高度集成的器件可实现基站和高性能无线电设计——这些设计要求支持多频段、高动态范围和宽通道带宽。这些产品非常适合用于3G/4G通信、微...
作者：郑畅 刊期：2014年第03期
<正>罗德与施瓦茨公司的R&SSGU100A射频上变频器将R&SSGS100A矢量信号发生器的频率扩展至从12.75 GHz到20 GHz的频率范围。通过结合两个仪器,用户现在可以不间断生成从80 MHz至20 GHz的矢量信号,例如:在航空航天和国防行业的测试系统中使用。一旦结合,则R&SSGS100A和R&SSGU100A表现为一台完整的仪表装置,同时具备一个I/Q输入接口和一个RF...
作者：赵佶 刊期：2014年第03期
<正>北京-电子设计创新会议(EDI CON2014)─2014年4月9日─Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDICON2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global1是行业中第一个可重构射频前端(RFFE)系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所...
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