半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>继前十届中国半导体市场年会的成功举办,作为2014年半导体领域最为重要的年度会议"2014中国半导体市场年会暨第三届中国集成电路产业创新大会(IC Market China2014)"于3月14日在无锡如期举行。本次年会是由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院、无锡市信息化和无线电管理局联合主办,由赛迪顾问股份有限公司、江苏省半导体...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>继北京公布300亿元人民币半导体产业基金后,证券时报最新披露,上海、江苏、深圳可能都将在大陆全国"两会"后,公布规模上百亿元的产业基金,由各地政府领军,吸纳社会资本。初步预测,至少有千亿规模投资将提振半导体产业。且目标可望集中在一些产业龙头上。千亿资金如何运作及投资方向,已成为市场关注的焦点。中国国家集成电
作者：赵佶 刊期：2014年第02期
<正>2013年全球半导体市场规模首次突破3000亿美元大关,达到了3056亿美元,增幅为4.8%。我国集成电路产业销售额达到了2508.5亿元,同比增长16.2%。在全球经济缓慢复苏的带动之下,半导体市场增速呈现出周期性的回升态势。这为中国半导体产业带来新的机遇与挑战。在机遇方面:第一,国家现在非常重视网络安全和信息化。受去年棱镜门事件影响,全...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>由SEMI China和ICMTIA共同组织的SEMI中国设备与材料访日代表团即将成行。该代表团由中科院上海微系统与信息技术研究所、七星华创、安集微电子、上海微电子装备、北京科华微电子、北方微电子、东电电子等在华的半导体制造业领军企业,共来自31家企业和机构的45人组成,将于4月20日至4月26日,对日本进行为期一周的访问。
作者：赵佶 刊期：2014年第02期
<正>创新是企业的灵魂,特别是半导体企业,自第一个晶体管诞生之日起,就与创新结下了不解之缘。加快半导体产品和技术的创新,不但是半导体技术发展规律使然,更是实现跨越式发展的重要途径。中国半导体创新产品和技术评选活动已成功举办七届,活动对半导体产品和技术创新起到激励和推动作用,受到业界广泛关注和好评。在成功举办七届
作者：季建平 刊期：2014年第02期
<正>全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IRL6283M 采用超薄的30mm2中罐式 DirectFET 封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出100 V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。IRFH7185TRPbF采用IR全新的100 V FastIRFET工艺,提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子(Rds(on)Qg figure of merit),以实现更高效率和功率密度,并且提高系统可靠性。
作者：江安庆 刊期：2014年第02期
<正>全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布,推出一系列分立MOSFET集成电路芯片,这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半桥MOSFET封装是驱动线圈电流峰值在2.5 A至5.5 A,电压30 V至60 V之间的步进电机的理想选择。TRINAMIC全新的MOSFETs产品线与热门的TMC262步进电机驱动芯
作者：季建平 刊期：2014年第02期
<正>恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺寸的晶体管"VML0604"(0.6mm×0.4mm,高度0.36mm)。本产品已于2013年10月份开始出售样品(样品价格80日元/个),计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>射频功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前推出首款2W集成式功率放大器,采用5V电源,可提供超过40dB的增益,可覆盖1500MHz至2700MHz的所有频段。该组件可支持在该频率下运行的任何蜂窝标准,其中包括GSM、3G、4G和LTE。
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>2014年4月14日-凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20MHz至2GHz、单端输入及输出、固定增益放大器LTC6431-20,该器件提供卓越的46.2dBm OIP3(输出三阶截取)和2.6dB噪声指数。其OP1dB(输出1dB压缩点)为同类最佳的22dBm。该器件有两个级别版本,包括100%经过测试、在240MHz保证提供42.2dBm最低OIP3的A级版本,以及在同样的...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30KHz。因此,配备RC-H5的系统效...
作者：赵佶 刊期：2014年第02期
<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR的Gen7薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON)和超高速开关,从而把感应加热产品内的导通和开关损耗降到最...
作者：郑畅 刊期：2014年第02期
<正>射频功率技术领先供应商飞思卡尔半导体日前宣布,为手持移动无线电应用推出一款6W的新器件—AFT05MS006N。凭借这个旗舰型Airfast RF功率解决方案组合的最新产品,飞思卡尔成为唯一一家能够支持所有移动无线电功率级别的供应商,功率范围从5 W的手持单元到75W的数字移动无线电设备和基站。虽然针对的是手持移动无线电应用,6W的AFT05MS00...
影响因子：0.32
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.84
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.31
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.17
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.45
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.44
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.83
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：--
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：1.14
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.5
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.09
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：--
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊