半导体信息杂志 部级期刊

政府将十年投1万亿扶持半导体产业

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>国内芯片设计公司展讯创始人陈大同日前透露,政府将大力扶持半导体产业,计划十年内投资1万亿元,力度是过去的十倍。OFweek电子新闻网引述陈大同在一场公开演讲中的说法,过去十年,国内平均对半导体补助人民币几十亿元,但现在中央投资要成长十倍,前所未见。

国家将成立半导体产业扶持小组重点或在研发投入

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>据业内人士透露,国家将成立高级半导体产业扶持小组,国务院副总理马凯或将担任领导小组组长,分析人士认为重点在研发投入上。另据了解,国家还将进行半导体产业扶持,预计扶持金额将达到几百亿元。有别于此前撒胡椒面的产业扶持政策,此次扶持政策将会重点偏向行业领导企

中国半导体行业或迎来整体性的机会

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>三中全会全文中与电子行业直接有关的内容包括:1)推进应用型技术研发机构市场化、企业化改革,2)整合科技规划和资源,完善政府对基础性、战略性、前沿性科学研究和共性技术研究的支持机制。中国半导体行业未来5年可能迎来整体性的大机会。

首个RFID国标 射频识别产业发展扫清最大障碍

作者：赵佶 刊期：2013年第06期

<正>首个RFID国家标准《信息技术射频识别800/900 MHz空中接口协议》日前。业内人士表示,空中接口协议是RFID的核心技术,刚的国标将为推进我国自主射频识别产业、加快物联网建设发挥重要作用。RFID国标落地RFID(电子标签)是物联网产业的核心基础设施,但由于各种客观原因,

半导体新政将出台 IC设计和封测制造或将受益

作者：赵佶 刊期：2013年第06期

<正>当前,国家已经确定将出台政策扶持集成电路芯片行业,该计划由工信部主导,目前已经进入攻坚阶段,在四季度方案有望定稿,并送交高层审批,正式时间可能稍晚。此次新政计划将重点在芯片制造、芯片设计、芯片封装和上游生产设备(如

SiC功率半导体元件的沟道MOSFET即将实用化

作者：赵佶 刊期：2013年第06期

<正>高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的"CEATECJAPAN2013"上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大"惊喜"。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用

石墨烯标准化委员会成立 正式标准或近期

作者：季建平 刊期：2013年第06期

<正>12月8日上午,中国石墨烯标准化论坛在泰州召开。会上,中国石墨烯标准化委员会正式成立。该论坛由中国石墨烯产业技术创新战略联盟联合泰州市人民政府主办。在本次论坛上,中国石墨烯标准化委员会正式成立。联盟秘书长李义春在论坛

Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen Ⅲ MOSFET

作者：赵佶 刊期：2013年第06期

<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用2.4 mm×2.0mm×0.4 mm CSP MICRO FOOT~封装尺寸的-20 V器件—Si8851EDB,扩展其TrenchFET~P沟道Gen Ⅲ功率MOSFET。Vishay Siliconix Si885 1 EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下分别具有8.0 mΩ和11.0 mΩ的极低导通电阻。

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>2013年12月12日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出通过AEC-Q1O1认证的采用非对称PowerPAK~SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET~功率MOSFET—SQJ 940EP和SQJ 942EP。Vishay Siliconix的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5 mm×6 mm封装里,比

Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖最佳产品奖

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年,共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名...

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 具领先的增益性能

作者：郑畅 刊期：2013年第06期

<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6 W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3A晶体管

作者：赵佶 刊期：2013年第06期

<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

高通第四代3G/LTE多模调制解调器和射频收发芯片

作者：季建平 刊期：2013年第06期

韩成功研发新型半导体液晶管 可用于柔性显示器

作者：季建平 刊期：2013年第06期

<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

东芝推出智能手机专用射频天线开关

作者：季建平 刊期：2013年第06期