首页 期刊 半导体信息杂志 2013年第02期
半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间：1990
所属类别：电子类
发行周期：双月刊
发行地区：江苏
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.01
总发文量：1962
总被引量：115
H指数：3
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  • 国家重大科技基础设施建设中长期规划

    作者：郑冬冬 刊期：2013年第02期

    <正>日前,国务院印发了《国家重大科技基础设施建设中长期规划(2012～2030年)》(简称规划)。规划提出,未来20年,瞄准科技前沿研究和国家重大战略需求,根据重大科技基础设施发展的国际趋势和国内基础,以能源、生命、地球系

  • 两会代表提案:建议国家扶持半导体产业

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>全国人大代表、中星微董事局主席邓中翰今天下午表示,在今年的两会中他将建议国家出台政策大力扶持半导体产业,并在国家层面推广某些领域的技术标准,以寻找市场突破口。邓中翰今天就两会提案与媒体展开沟通。他透露,今年提交的的3项建议中,其中一项就是,建议国家在未来5到10内出台扶持半导体产业的政策,引导更多资源向半导体产业倾斜,...

  • 2013中国半导体市场年会圆满召开

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>继前九届中国半导体市场年会的成功举办,作为2013年半导体领域最为重要的年度会议"2013中国半导体市场年会暨第二届集成电路产业创新大会(ICMarket China 2013)"于3月28日在西安如期举行。本次年会是由中国半导体行

  • “2013中国年度电子成就奖”颁布

    作者：江兴 刊期：2013年第02期

    <正>"2013中国年度电子成就奖"3月1日颁布,颁奖典礼在"第十八届国际集成电路研讨会暨展览会"(IIC-China)期间举行,亚德诺半导体(Analog Devices)、德州仪器(Texas Instruments)、恩智浦半导体(NXP Semiconductors)、飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)、博通公司(Broadcom)及安捷伦科技

  • 半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10 nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

  • 取代石墨烯 辉钼柔性芯片诞生

    作者：郑冬冬 刊期：2013年第02期

    <正>美国知名科技网站CNET、最新报导,美国加州纳米技术研究院(简称CNSI)成功使用MoS2(辉钼,二硫化钼)制造出了辉钼基柔性微处理芯片,这个MoS2为基础的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小,功耗极低,辉钼制成的晶体管

  • 硅芯片大限不远:碳纳米管将成下一代材料

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

  • IBM揭示最新半导体制程技术进展

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>在日前举行的"通用平台技术论坛"(Common Platform TechnologyForum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(Samsung Electronics)和Global Foundries共同探讨超越FinFET技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳纳米管和硅光等下一代技术的最

  • 半导体3巨头14nm提前开战

    作者：郑冬冬 刊期：2013年第02期

    <正>2013年半导体产业聚焦在三巨头——台积电、英特尔与三星的产能与技术比拚,以及订单的板块位移态势,三巨头今年的资本支出规模都让市场吃惊,不约而同的维持高资本支出水位,让原本预期资本支出将大减的外界皆有跌破眼镜之感,三巨头不但要力拚先进制程产能的扩增,也都展现出欲在20纳米以下

  • 剑桥大学发明史上首个3D微芯片

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>据国外媒体消息,近日,剑桥大学的科学家们近日研发出史上首个3D微芯片,一个真正可以三维处理信息的微芯片。当前微芯片传递信息的方式比较有限,不是左右传递,就是前后传递,而这种微芯片则可以在几个层面之间传递数据。科学家通过一种叫做sputtering的

  • 宜普全新内含氮化镓场效应晶体管的开发板

    作者：郑冬冬 刊期：2013年第02期

    <正>EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器,帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统.EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计,内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管,并同时配合板载栅极驱动器。推

  • 可将元件损失降低50%的肖特基势垒二极管

    作者：赵佶 刊期：2013年第02期

    <正>东芝于201 3年3月19日宣布,将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管TRS12E65C。新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途,与以往的Si二极管相比,在电源用途可将元件损失降低50%以上(与该公司产品的比较)。新

  • 麦瑞半导体最新MOSFET降压稳压器满足高电源密度和小型化需求

    作者：江兴 刊期：2013年第02期

    <正>新的MIC2405x系列产品包括六款尺寸一样的直流一直流降压稳压器,它们均采用了麦瑞半导体公司拥有专利的HyperSpeed Control和HyperLight Load架构。这些器件为分布式电源系统、通信网络与基础设施以及一些工业应用提供了灵活、高成本效益的解决方案。MIC24051/2(6A)、MIC24053/4(9A)、

  • 英特尔今年推新款手机芯片 将采用3D晶体管

    作者：江兴 刊期：2013年第02期

    <正>据国外媒体报道,英特尔将于今年晚些时候向设备厂商交付采用3D晶体管技术的高性能凌动智能手机芯片。设备厂商将对芯片进行测试。英特尔发言人表示,与该公司现有芯片相比,代号为Merrifield的新款凌动芯片能够提高手机性能和电池续航时间。Merrifield芯片是"从零开始"设计的,

  • 碳纤维纳米管芯片问世

    作者：江兴 刊期：2013年第02期

    <正>斯坦福大学了首款由碳纳米晶体管组成的电脑芯片。硅晶体管早晚会走到道路的尽头。晶体管越做越小,以至于它不能够容纳下足够的硅原子来展示硅的特性。碳纳米管(CNT),锗化硅(SiGe),砷化物(GaAs)都是可能的替代品。碳纤维纳米管具有良好的传导性,体积小,并且能在刹那间开关。它拥有比肩石墨烯的电气属性,但是制造半导体的难度却小很多...

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