半导体信息杂志 部级期刊

电子信息产业高速发展 销售收入破10万亿大关

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>工信部近日公布《2012年电子信息产业统计公报》,公报显示,2012年,我国电子信息产业销售收入突破10万亿元大关,达到11.0万亿元,增幅超过15%。2012年,我国电子信息产业销售收入达到11万亿元,增幅超过15%;其中,规模以上制造业实现收入84619亿元,同比增长13.0%;软件业实现收入25022亿元,同比增长28.5%。

2012年第十二届信息产业重大技术发明评选结果公布

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>工信部为鼓励我国企业自主创新,加强知识产权保护,推动信息和通信技术创新成果产业化与应用,开展了2012年信息产业重大技术发明评选活动。在各省、自治区、直辖市及有关单位申报项目基础上,经过初审、专家预选、专家评审、结果公示等阶段,最终评选结果《低温共烧陶瓷(LTCC)关键材料、工艺技

中国已超越美国成为全球专利申请最多国家

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>德国"heise"网站12月31日报道,世界知识产权组织(WIPO)公布的"2012世界知识产权指数"显示,中国商标专利机构2011年收到的专利和商标保护申请为全球最多。据WIPO估算,2011年全球专利申请首次突破200万项,达到214万项,同比增幅达7.8%,超过1995年的一倍还多。当年中国商标专利局收到的申请达到52.6万项,由此首次成为全球第一。此前100年...

中科院宣布成功开发22nm MOSFET

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所电路先导工艺研发中心表示,这项研发专案并结

东芝推出了超低导通电阻功率MOSFET

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET,该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品"TK80A04K3L"还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用,还适用于电机驱动器和开关稳压器。

飞兆半导体扩展Dual Cool封装MOSFET

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,这种封装属于业界标准引脚排列封装,带有顶侧冷却,适用的产品中包括40-100 V中压产品系列。硅技术的进步结合Dual Cool技术,可提供卓越的开关性能以及低结至环境热阻,其数值比标准5 mm×6 mm MLP塑封封装低四倍。

IR推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET

作者：郑冬冬 刊期：2013年第01期

<正>全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300 V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻(Rds(on)),这些工业应用包括110 V-120 V交流电压线性调节器和110 V-120 V交流电压电源,以及直流-交流逆变器,如

罗姆试制出漏电流减少95%的SiC制MOSFET

作者：赵佶 刊期：2013年第01期

基于SiC材料的功率器件脚步临近

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>硅材料的节能能力已接近极限,部分企业把注意力放到碳化硅材料上。SiC材料的采用也是功率半导体器件的主要技术趋势之一。以前功率半导体器件都采用硅材料,但业内人士认为硅材料的节能能力已经接近极限,因此部分企业开始把注意力放到碳化硅材料的开发上。对此,业界指出,碳化硅半导体功率器件有四大优点:第一,工作温度范围比较大,在高...

日本等国半导体技术创新应用

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>半导体器件的发明和应用深刻地改变了近50年的人类历史发展进程。进入21世纪,半导体器件无处不在,已成为构筑信息化社会的基石。同时,电力半导体在提高电力转换效率方面的作用使之成为构筑低碳社会的基石。半导体技术的节能效果是显而易见的。世界首台采用电子管的电子计算机ENIAC重达30

日本的SiC半导体研究信息

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微波器件,短波长发光元件等。从世界上的研究热度来看,最有可能实现也最有应用前景的当属高功率器件。在这方面来说,SiC相对于Si器件的优点主要是它可以用在高功率和高温领域。

日本节能技术战略中新型电力电子器件的发展规划

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>日本经济产业省在近来的《节能技术战略》中,提出了以下五项节能技术:(1)超级燃烧系统技术——提高燃烧效率;(2)超越时空能量利用技术——储能;(3)信息化社会生活领域节能技术;(4)先进交通运输节能技术;(5)采用电力电子节能技术。

单芯片集成低损耗SiC功率器件

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株

三菱电机公布SiC器件节能效果

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>三菱电机对铁路车辆逆变器中SiC二极管的节能效果进行了验证,并公布了验证结果。该验证结果是通过将使用SiC二极管的逆变器配备在东京地铁银座线的新型"01系列列车"上,从2012年2月开始实际运行而获得的。结果表明,与原来的01系列列车相比,由逆变器装置及感应马达等组成的主电路系统的耗

美国科锐推出碳化硅功率器件为太阳能应用创造新机会

作者：吴琪乐 刊期：2013年第01期

<正>碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700VZ-FET.碳化硅MOSFET器件,还包括1200VZ-FET.碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec.碳化硅肖特基二极管,能够提供创纪录的能效以及比传统技