半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：吴琪乐 刊期：2012年第05期
<正>中共中央政治局常委、国务院副总理近期到中国科学院半导体所考察。他强调,要围绕经济社会发展和民生改善的需要,着眼促进经济长期平稳较快发展,以体制改革推进结构调整,更好地发挥科技创新驱动作用,积极培育市场,发展新兴产业,保持经济稳定增长,加快转变发展方式。来到半导体照明研发中心和半导体集成技术研究中心,科研人员介
作者：赵佶 刊期：2012年第05期
<正>在向西开放战略背景下,以其为载体的西部新区"五朵金花"正渐成气候。9月26日,在第十三届中国西部国际博览会上,国家发改委副主任杜鹰指出,西部地区是新时期对外开放的重点地区,加快向西开放,已经成为完善我国全方位对外开放格局的战略举措。在此之前的兰州新区会上,国家发改委西部开发司司长秦玉才则透露,《西部大开发"十二五"规划》...
作者：赵佶 刊期：2012年第05期
<正>多年来,英特尔科技和制造集团副总裁迈克·梅佰里(Mike Mayberry)曾不止一次听到相同的世界末日预言:摩尔定律将会失效。梅佰里甚至听到过同事这样说。但是,由于大量像梅佰里这样的材料科学家不断找到使硅晶体管小型化的新途径和其他替代材料——例如石墨烯,摩尔定律仍然在起作用。据国外媒体报道,1965年,英特尔联合创始人戈登·摩尔(Go...
作者：江兴 刊期：2012年第05期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。
作者：江兴 刊期：2012年第05期
<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。新系列产品根据用途采用6种封装,共13种产品。从9A到100A(可用于需要大电流的大功率设备),所适用的电流值范围更宽。另外,采用罗姆独家的
作者：江兴 刊期：2012年第05期
<正>近日,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管,助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求,瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。新产品包括业内首个可承受950V峰值电压的超结晶体管、同类产品中能效最高的900 V晶体管和全球上唯一采用节省空...
作者：郑冬冬 刊期：2012年第05期
<正>英飞凌近日宣布推出第五代650 VthinQ TMSiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使
作者：郑冬冬 刊期：2012年第05期
<正>全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。IR新一代Gen7F器件采用击穿沟道式技术,能够为特定的工作频率提供更高功率密度,以及经过优化的传导和开关损耗。全新IGBT、的VCE(ON)非常低,
作者：江兴 刊期：2012年第05期
<正>意法半导体推出了用于太阳能模块的新一代高能效的冷却旁路开关(CoolBypass SWitch)系列。新产品可进一步提高太阳能发电效率并降低再生能源发电的每瓦成本。业内最小的尺寸使其可直接集成到太阳能模块内,从而降低太阳能发电系统的复杂性和安装成本。意法半导体的冷却旁路二极管在一个封装内集成高效的功率开关和智能
作者：郑冬冬 刊期：2012年第05期
<正>英飞凌科技(Infineon)日前发表首款工业与商用感测用雷达单芯片解决方案。新款产品系列采用硅锗(SiGe)制程技术,并以24 GHz ISM频段(24.0-24.25 GHz)运作,为目前市场整合度最高的单芯片雷达系统收发器,可搭配仅接收功能的芯片,为系统设计人员在各式应用中提供达成成本与效能目标的设计弹性。新推出的系列产品包括BGT24 MTR11(单一传送...
作者：吴琪乐 刊期：2012年第05期
<正>科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容,可应用在具有全套无源电路元件和...
作者：吴琪乐 刊期：2012年第05期
<正>全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。2012年7月9日,科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60W,频率为3.1至3.5 GHz之间,与传统Si或GaAs MESFET器件相比,能够提供优
作者：吴琪乐 刊期：2012年第05期
<正>欧司朗光电半导体公司的研究人员经过研究,现已成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED芯片,取代了目前普遍使用的较为昂贵的蓝宝石衬底。这种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。硅是一种标准半导体材料,作为LED衬底具有尺寸大、成本低、易加工、导电好等优异性能。但技术难点在于硅与氮化镓的热膨...
作者：吴琪乐 刊期：2012年第05期
<正>TriQuint半导体公司了三款新的射频SAW(声表面波)滤波器—856934、857019和856977,这三款器件可经济有效地提高在3G/4G网络基础设施和传统系统应用中的性能。全球网络面临着日益增加的移动数据流量需求,而且流量需求还预期将持续两位数的增长。预计2016年前五周的移动数据流量,将超过2011年全年所承
作者：江兴 刊期：2012年第05期
<正>2012年9月6日,技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓(GaAs)射频驱动放大器——TQP7M9105、TQP7M9106,它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固,在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
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