杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>国务院《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》(国发[2010]32号,以下简称《决定》)以来,各有关部门和社会各界积极响应党中央、国务院号召,加大政策支持,合力推动产业发展。一是加强宏观引导。为进一步明确战略性新兴产业的发展重点和所采取的政策措施,有关部门根据《决定》和"十二五"规划《纲要》,组织编制了战略性新兴产业"十...
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>美国商务部日前宣布了对中国光伏电池及组件的反倾销税初裁结果,税率达31.14%至249.96%,终裁结果将在十月初宣布。专家表示,一旦最后确定,这将是迄今为止我国新能源行业被征收的最高关税,我国光伏产品在美国的价格竞争优势将荡然无存。高额税率下中国企业将被美拒之门外2011年10月19日,以SolorWorld公司为首的七大企业组成"太阳能制造...
作者:郑冬冬 刊期:2012年第03期
<正>旨在发挥协会桥梁与纽带作用、推动无锡集成电路产业链更好、更快、更强发展的无锡市半导体行业协会,日前成立。中国工程院院士许居衍、清华大学微电子学研究所所长魏少军、中国科学院微电子研究所所长叶甜春、无锡国家集成电路设计基地有限公司董事长陈天宝等国内著名专家学者、企业家出席成立
作者:吴琪乐 刊期:2012年第03期
<正>摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越?至少14 nm制程和FinFET技术的开发商是这么看的。英特尔、IBM、东芝、三星都在采纳14 nm制程,并将在研发工作完成后尽快投入FinFET量产。FinFET技术由加州大学伯克利分校的研究人员所发明,能够带来一些显著的性能提升...
作者:江兴 刊期:2012年第03期
<正>北京时间5月17日消息,据国外媒体报道,英特尔对7 nm和5 nm制程技术研发路线图已经敲定。今年四月,英特尔刚推出采用22 nm制程的Ivy Bridge芯片。但现在该公司已经开始展望制程工艺未来的新进步。事实上,英特尔对于10 nm,7 nm以及5nm的制程研发路线图已经敲定。同时,该公司目前计划在美国及爱尔兰的工厂中部署14 nm制程生产线。14 nm制...
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>北京时间5月3日消息,据美国IT网站ComputerWorld报道,一位知名的理论物理学家称,计算机行业中的关键理论"摩尔定律"(Moore’sLaw)即将崩溃。
作者:江兴 刊期:2012年第03期
<正>便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公
作者:江兴 刊期:2012年第03期
<正>Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOS-FET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3 A~36 A电流,采用多种封装。
作者:郑冬冬 刊期:2012年第03期
<正>国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
作者:郑冬冬 刊期:2012年第03期
<正>DiodesIncorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为-25 V的P通道器件,体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度,较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。
作者:江兴 刊期:2012年第03期
<正>来自三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)的一个研究小组稍早前提出全新的三端元件,能够克服之前将石墨烯整合到电路中的问题。
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>全球高科技业瞩目的石墨烯技术,台湾有重大突破,逢甲大学纤维与复合材料系教授蔡宜寿研究团队,已成功研发可大量制造单层石墨烯片的方法,成本只有目前市售行情的千分之一,未来商机上看数千亿元。蔡宜寿说,他能让石墨烯工业化量产的关键,是找到了特殊的物理方法。石
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>据物理学家组织网5月9日报道,美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术,可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温,解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热问题。相关研究报告5月8日发表在《自然·通讯》杂志上。自上世纪90年代以来,半导体材料氮化镓(GaN)就被用于强光的制造,并因为高效和可耐高...
作者:郑冬冬 刊期:2012年第03期
<正>石墨烯由于可被制造成导体、半导体和绝缘体,因而一直被视为是未来的神奇材料。现在,IBM公司还为石墨烯开启在光电领域的崭新应用——透过展示一种可为石墨烯带来光子特性的石墨烯/绝缘体超晶格,使其可实现达兆赫(terahertz;THz)级频率的陷波滤波器与线性偏光片等光学元件,有助于在未来扩展至中红外线和远红外线波段的光电设备,如探测...
作者:赵佶 刊期:2012年第03期
<正>据物理学家组织网4月16日报道,美国威斯康辛大学米尔沃基分校的科学家发现了一种全新的碳基材料——一氧化石墨烯(GMO),其由碳家族的神奇材料石墨烯合成,该半导体新材料有助于碳取代硅,应用于电子设备中。石墨烯的导电、导热性能极强,远超硅和其他传统的半导体材料,而由硅制成的晶体管的大小正接近极限,科学家们认为,纳米尺度的碳材料...