摘要：<正>近日,有两家公司同时了在芯片封装方面的革命性突破:一个是意法半导体宣布将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产,在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法(无需打线绑定),在尺寸更小的产品内实现更高的集成度和性能。另一个则是赛灵思宣布通过堆叠硅片互联(SSI)技术,将四个不同FPGA芯片在无源硅中介层上并排互联,结合TSV技术与微凸块工艺,构建了相当于容量达2000万门ASIC的可编程逻辑器件。虽然同样是基于TSV技术,前一种垂直堆叠业界称为3D封装;后一种互联堆叠称为2.5D封装。这两种不同

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