半导体信息杂志 部级期刊

国内电子电器企业遭遇欧盟环保高门槛

作者：郑冬冬 刊期：2011年第06期

<正>2009年欧盟了《确立能源相关产品生态设计要求的框架》(下称"ErP指令")下九类产品的实施细则,包括电视机、电机、灯等产品;2010年又了洗衣机、洗碗机的实施细则;2011年4月了电风扇的细则。目前欧盟正在就空调、舒适风扇的ErP实施细则进行投票,估计今年年底、明年年初将出台相关指标。热水器、滚筒干衣机、真空吸尘器和商用制冷器具的E...

绿色半导体经济发展需积极政策

作者：郑冬冬 刊期：2011年第06期

<正>信息与通信技术产业是绿色经济发展的重要支柱。它主要通过在互联网、医疗、教育和环境这四个领域带动创新来实现自己的贡献。在这四个领域中,环境和绿色经济的发展最为息息相关。根据美国节能经济委员的总结,信息与通信技术产业主要通过四种途径提升信息与通信技术的生产力:第一,减少设计、制造和运输信息与通信设备所需的能耗;第二,...

石化、晶圆半导体业放流水新标准

作者：沈熙磊 刊期：2011年第06期

<正>近日,台湾环保署增订石化业、石化专区污水下水道系统、晶圆制造及半导体制造业放流水标准,将氨氮、含氯或含苯等6项挥发性有机物以及DEHP等6项塑化剂列入管制。环署预估,将减少4000吨的氨氮排入河川水体,并可督促厂商谨慎处理含氯和含苯等致癌性较显著化合物、与加强制程废溶剂源头的管理。新增标准将管制石油化学业的河川与海洋管线...

中国电科55所两项目获得国家支持

作者：江兴 刊期：2011年第06期

<正>近日,中国电科55所国博公司上报的《2012-2014年集成电路企业研发能力实施方案》,凭借过硬的产业技术基础、良好的发展前景、具体的可行方案,顺利通过评审,获得国家发改委和财政部项目支持。在"十二五"期间,中国电科国博公司计划在射频集成电路和模块研发生产领域,通过稳步发展射频基站产品、大力推广终端产品、扩展新兴产业方向,保持...

罗姆世界首家开发出压铸模类型SiC功率模块

作者：江兴 刊期：2011年第06期

<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。...

三菱SiC二极管逆变器:功率损耗减少18%

作者：吴琪乐 刊期：2011年第06期

<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300 kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开...

Vishay推出PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET器件

作者：江兴 刊期：2011年第06期

Vishay推出新款n沟道功率MOSFET

作者：江兴 刊期：2011年第06期

<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60 V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

IMEC成功在200 mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器件

作者：江兴 刊期：2011年第06期

<正>欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200 mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层,双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT(High electron mobility transistor:高电子迁移率晶体管)异质结构晶体管技术。这次成功在200 mm硅衬底上制出高质量GaN HEMT,标志着在将功率器件引入200 mm规格芯片厂进行高效率生产方面取得...

日本开发首枚覆盖C-Ku波段的GaN T/R组件

作者：吴琪乐 刊期：2011年第06期

<正>日本富士实验室今天宣布,该实验室已经成功开发出世界第一个采用氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术的收发(T/R)组件。该组件的特征是输出10 W的功率,可以在C到Ku波段(即6-18 GHz)工作。和采用最近开发的GaN低噪声放大器(LNA)的世界最先进的GaN功率放大器(PA)一起,富士研究人员得到了一个高输出的T/R组件。这项技术可以把以前工...

ADI新型PLL频率合成器,本振达18 GHz

作者：吴琪乐 刊期：2011年第06期

<正>Analog Devices,Inc.(ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商和RF IC领先者,最近推出一款PLL(锁相环)频率合成器ADF41020,它可以用在无线接收机和发射机的上变频和下变频部分,实现高达18 GHz的本振。ADF41020提供极高的带宽,设计中可以元需倍频器级,从而简化系统架构并降低成本,适合的应用包括微波点到点和多点无线电、无线基...

美国开发出砷化铟二维半导体量子膜

作者：沈熙磊 刊期：2011年第06期

<正>据美国物理学家组织网11月14日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的"量子膜",具

美研制出非硅基全门三维晶体管

作者：沈熙磊 刊期：2011年第06期

<正>据美国物理学家组织网12月6日报道,美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。最新研究已在12月5日至7日于华盛顿举行的国际电子设备大会上宣读。科学家们使用所谓的自上而下的方法制造出了最新设备。...

美国研发新技术可人工合成高质量石墨烯

作者：沈熙磊 刊期：2011年第06期

<正>美国科学家表示,他们研发了一种人工合成高质量石墨烯的技术,新方法不仅可控且可进行扩展,有望为下一代电子设备的研制铺平道路。相关研究将发表在今年的第11期《碳》杂志上。石墨烯模型石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体,只有一层碳原子的厚度,是迄今最薄也最坚硬的材料,其导电、导热性能超强,远远超过硅和其他...

可伸缩石墨烯晶体管 克传统半导体缺陷

作者：郑冬冬 刊期：2011年第06期

<正>据美国物理学家组织网报道,韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质,新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究报告发表在最新一期出版的《纳米快报》杂志上。首尔崇实大学的曹贞和研究员和成均馆大学的安钟炫表示,这种新型石墨烯...