半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：郑冬冬 刊期：2011年第05期
<正>电子信息产业曾经是遭受国际金融危机冲击最严重的行业之一。经过近两年的回升调整,电子信息产业重新步入了恢复性增长的通道,但与"十五"时期和"十一五"前半期相比,增速明显放缓,而且产业实现可持续发展也面临着诸多挑战。那么当前电子信息产业发展有何突出特点?未来发展前景和发展方向
作者：郑冬冬 刊期：2011年第05期
<正>据LEDinside报告,近期,中国光学光电子行业协会透露,根据《海关总署商品归类分析通报》2011年第5期和2011年6月29日广州分中心签发的W-2-5100-2011-0042归类决定,将用于LED外延片生产的三氧化二铝衬底(俗称"蓝
作者：江兴 刊期：2011年第05期
<正>即将于今年12月5～7日举行的本届IEEE IEDM(国际电子器件大会)中,将有来自三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录。英特尔的团队将揭示带30 nm栅极的三栅极(tri-gate)FinFET型量子阱
作者：沈熙磊 刊期：2011年第05期
<正>每年七月在美国加州举行的Semicon West展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。由于展览会在七月举行,正好上半年已过,所以在会议期间许多高管会对产业的发展与前景发表看法。本文试图综合展览会与产业于上半年的进展加以概括,讨论一些业界特别关注的课题。
作者：沈熙磊 刊期：2011年第05期
<正>欧洲半导体工艺研发机构IMEC总裁Luc Van den hove日前透露,IMEC将在2015年以后,有选择地对部分450 mm硅片关键工艺形成研发能力,这些关键工艺包括光刻和晶体管控制栅的制造。
作者：沈熙磊 刊期：2011年第05期
<正>从1957年第一只晶闸管的诞生开始,功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展,产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到,到2030年,受益于采用半导体技术
作者：郑冬冬 刊期：2011年第05期
<正>美国斯坦福大学(Stanford University)的研究人员近日开发出一种创新的晶圆等级(wafer-seale)剥离(1ift-off)工艺,能在可重复使用的硅晶圆上制作纳米线电路,然后将之移植到任意形状的、采用任何一种材料的衬底上。该研究团队是由斯坦福大学教授Xiaolin Zheng所率领,他们声称,这种柔
作者：郑冬冬 刊期：2011年第05期
<正>电子产品都是用硅和金属氧化物制成,但是,有些环境下,典型的芯片会失效。为了应付更恶劣的环境,如高辐射,冷到零下148.8摄氏度或热到482.2摄氏度,钻石可能是出路。范德比尔特大学(Vanderbilt University)的电气工程师团队已经开发出一
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>Cree在2011 IEEE国际微波论坛上演示了首个工业级卫星通信用C波段GaN HEMT MMIC大功率放大器。该产品具有引人注目的性能,超越了目前的商用GaAs MESFET晶体管或行波管放大器。据Cree的RF主管Jim Milligan介绍,"这是卫星通信用GaN MMIC的首次
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>RFMD开发出的新型RFIIAl020是一款50 V 280 W的大功率分立放大器,专用于L波段脉冲雷达,空中交通管制和监督以及通用宽带放大器应用。RFHAl020是匹配高终端阻抗的功率晶体管,可实现280 W功率及55%的漏极
作者：郑冬冬 刊期：2011年第05期
<正>美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>Cree在美国巴尔的摩召开的2011年IEEE国际微波会议上展出最新封装的GaN HEMT功率晶体管和2.7-3.5 GHz频段(S波段)的大功率放大器MMIC。其S波段晶体管CGH31240F和CGH35240F,完全匹配到50Ω,分别在
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>瑞萨电子(Renesas)近日适用于1 GHz有线电视系统的GaN功率放大器模组MC-7802。该器件可作为有线电视系统的功放,用于主干放大器等,可提供业内最佳的高输出功率及高保真特性。MC-7802内含新开发的GaN FET,相较于瑞萨电子现有的GaAs功放模组
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>EPC公司推出的第二代200 V增强型GaN场效应晶体管EPC2010,可实现高频率转换,性能更优势,并采用符合RoHS(《关于电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》)标准的无铅封装。与技术成熟、包含开启电阻的硅功率
作者：马莉雅 刊期：2011年第05期
<正>近日,NXP半导体推出峰值功率为2.5-200 W的模制塑封(OMP)射频功率器件。塑封射频器件较陶瓷封装成本更低。NXP半导体射频功率产品部主管Mark Murphy表示,与陶瓷封装比,OMP可以减少20%的材料成本。
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