摘要：<正>三星电子宣布用30 nm级制程工艺开发出世界上首枚64 Gb多电平单元体系结构(一种可用一个单晶体管存储器单元进行多位存储的闪速存储器技术) NAND闪存芯片。在闪存作为计算机及数字应用的主要存储介质呈爆炸性需求

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