摘要：<正>Cree公司近日获得美国海军实验室1210万美元SiC项目的合同。开发基于SiC的高电压开关和二极管,该公司将从现在到2006年11月期间开发出器件的原型。 Cree公司先进器件部门的执行副总裁John Palmour称,"合同的第一阶段是展示10 kV、50 A的PiN整流器件和首个10 kV的SiC MOSFET;第二阶段是在此基础上按此例缩小器件的尺寸,以得到用于10 kV和110 A的模块。这些器件将被用于海军下一代航母和其他舰艇所用的供电管理设备。对极低缺陷密度的n型4 H SiC衬底材料以及外延技术,该项目也要求得到开发,以制备出大面积、高电流和高电压的器件。

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