三星量产70 nm 4Gb闪存

摘要：<正>日本经济新闻引述韩国新闻报导指出,在NAND型闪存市占率高达54% 的三星电子日前公开宣称该公司将采用70 nm工艺技术制造4Gb NAND型 Flash,三星旗下的12英寸晶圆厂Fab14已较原订进度提前投产,未来该厂将以 70 nm工艺量产4 Gb NAND型Flash,年底月产能可望达1.5万片。

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