摘要：<正> 日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK—1(无损耗封装——倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品,现在正3种服务器DC—DC电源稳压器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166W和HAT2168N,从2004年7月在日本开始样品发货。

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