摘要：<正> 据《Solid state Adranvde Packaging》2004年第3、4期报道,位于美国德州的International SEMATECH(ISMT)公司已经拥有了可以在12英寸圆片上利用193nm光刻技术、进行0.13μm的极低介电常数材料的铜双嵌入工艺技术。其多孔硅(MSQ)薄膜是由

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