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有机-无机杂化钙钛矿光电子器件的钝化技术研究进展

作者：车韬; 李国辉; 冀婷; 郝玉英; 崔艳霞 刊期：2019年第10期

近年来,由于有机-无机杂化钙钛矿在提高太阳电池效率方面的突破受到广泛关注,其出色的表现主要归功于长载流子寿命和扩散长度、高光吸收系数以及低激子结合能等优点。这些独特的优点使其在电学和光学等领域有较好的应用前景。首先介绍了钙钛矿在潮湿环境下容易发生降解的特性及其降解机理。在此基础上,重点介绍了钙钛矿光电子器件钝化技术的研究...

2020年主要栏目设置

刊期：2019年第10期

基于130nm BiCMOS工艺的太赫兹十二倍频链的设计

作者：曹军; 何勇畅; 蔡运城; 赵君鹏; 吴凯翔; 高海军 刊期：2019年第10期

毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用。基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,采用倍频器和驱动放大器(DA)结构实现了由K波段提升至G波段的十二倍频链信号源设计。对于偶次倍频单元,为了获得较好的谐波抑制尤其是奇次...

F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现

作者：薛昊东; 吴洪江; 王雨桐 刊期：2019年第10期

基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成。前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波电路、并联二极管对、输出高通滤波电路与输出匹配电路构成,通过反向并联二极管对实现三次倍频,在优化匹配前后级电路的同时,通过输入低通滤波器与输出高...

阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善

作者：刘轩; 王美玉; 李毅; 朱友华 刊期：2019年第10期

由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上外延生长了3种不同量子阱结构的样品,并对其进行材料结构与器件性能的表征。实验结果表明, In组分减小的...

Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用

作者：王乐; 郭伟玲; 王嘉露; 杨新; 孙捷 刊期：2019年第10期

为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电...

稿约

作者：《半导体技术》编辑部 刊期：2019年第10期

本刊以半导体材料、器件和集成电路的设计与制造、封装和检测、可靠性和先进半导体设备等半导体领域的前沿技术的文章为主。本刊所付稿酬包含著作权使用费及上网服务费。投稿应保证不涉及泄密问题,否则责任自负。在线投稿可登录本刊网站www.bdtj.cbpt.cnki.net进行投稿,编辑部邮箱为bdtj1339@vip.163.com,所有稿件均先通过'科技期刊不端文献检测...

基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术

作者：李昂; 王伟凡; 周桃飞; 王建峰; 徐科 刊期：2019年第10期

采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压...

紫外光和催化剂对GaN电化学特性及CMP速率的影响

作者：于璇; 张保国; 考政晓; 杨盛华; 刘旭阳; 韦伟 刊期：2019年第10期

通过电化学和化学机械抛光(CMP)实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响。电化学实验结果表明,采用K2S2O8作为氧化剂时GaN的腐蚀电位随氧化剂的浓度增大而降低。在H2O2和K2S2O8体系中分别加入ZnO催化剂并进行紫外光照射,其腐蚀电位进一步降低,腐蚀速率加快。CMP结果显示,在H2O2和K2S2O8抛光液体系中,紫外光的加入能有效提高Ga...

超薄氮化镓制备及其光学性质

作者：程亮亮; 刘争晖; 徐耿钊; 钟海舰; 张春玉; 陈科蓓; 宋文涛; 徐科 刊期：2019年第10期

超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件。通过使用微机械剥离法将制备出的少层硒化镓(GaSe)薄片(厚度为1~10 nm)与块状GaSe作为前驱体,氨气作为氮源,在管式炉中不同温度下退火进行氨化,得到超薄GaN及块状GaN。通过X射线衍射、扫描电子显微...

热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较(英文)

作者：乌李瑛; 柏荣旭; 瞿敏妮; 田苗; 沈赟靓; 王英; 程秀兰 刊期：2019年第10期

以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的Hf...

FCOL封装芯片热应力及影响因素分析

作者：陶鑫; 王珺 刊期：2019年第10期

引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装。由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏。采用有限元分析(FEA)法对一款FCOL器件封装回流中热应力进行仿真,通过对比高应力位置与芯片失效位置验证了仿真模型的准确性。进而针对FCOL器件中多种因素...

新型瞬变脉冲能量吸收矩阵的静电防护设计及应用

作者：杨伊婷; 王晶; 龚德权; 乔治; 周龙早; 吴丰顺 刊期：2019年第10期

采用高分子复合纳米电压变阻薄膜与金属电极矩阵构成瞬变脉冲能量吸收矩阵(EAMTP),将其按印刷电路板(PCB)制程内嵌到PCB板夹层中,使PCB板上所有敏感元件从贴装开始就得到保护,实现电子电路静电放电(ESD)的全屏蔽。人体金属模型(HMM)测试结果表明,对比普通电路板和两种安装ESD保护分立器件的电路板,内嵌EAMTP的电路板对8 kV的静电脉冲有更快的响...

新型量子点气体传感器测试系统的设计

作者：刘剑桥; 洪吴松; 吕佳蓉; 吴丽婷; 高凤娇; 翟朝霞; 金国华 刊期：2019年第10期

针对量子点气体传感器的阻值过大难以进行数据采集的问题,设计了一种基于MPS-010602采集卡的高精度气体传感器测试系统。系统硬件主要包括多通道电压采集模块、温度控制模块、温湿度采集传感器模块、滤波器以及高输入阻抗的CA3140跟随器。系统以Visual C++6.0作为软件开发平台,采用MFC可视化编程,通过人机界面将所得数据进行实时显示,实现采集、...

宽带微波微系统自动测试系统的设计与实现

作者：郑宏斌; 张恒晨; 耿同贺 刊期：2019年第10期

宽带微波微系统是由系列化、标准化封装的微波功能模块构成的复杂微波组件。针对组件测试指标多的需求,设计了具有一键化测试、数据可重构、参数可配置、数据自动采集、结果自动存储等多项功能的宽带微波微系统自动测试系统。首先阐述了自动测试系统的调试功能、校准功能、检测功能等;其次描述了测试系统的硬件设计及关键设备自动测试系统测试台...