半导体技术

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Semiconductor Technology

杂志简介:《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准,自1976年创刊,国内刊号为13-1109/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1003-353X
国内刊号:13-1109/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1976
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.57
复合影响因子:0.34
总发文量:2255
总被引量:7023
H指数:21
引用半衰期:3.625
立即指数:0.0356
期刊他引率:0.8215
平均引文率:6.5067
  • 超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续)

    作者:赵正平 刊期:2019年第02期

    4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而...

  • 基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计

    作者:李硕; 何进; 陈婷; 薛喆; 王豪; 常胜; 黄启俊; 魏恒 刊期:2019年第02期

    采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通...

  • 26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制

    作者:董毅敏; 蔡道民; 高学邦; 邬佳晟; 汪江涛; 谭仁超 刊期:2019年第02期

    研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)...

  • 卫星通信系统CMOS分数分频频率综合器设计

    作者:曲韩宾; 谷江; 丁理想; 高博; 张晓朋; 耿双利; 吴兰 刊期:2019年第02期

    基于CMOS工艺,设计了一款可用于无线卫星通信系统的低相噪、低杂散、24 bit分数分频频率综合器。频率综合器内部集成LC压控振荡器(VCO),通过自动增益控制电路调整VCO输出频率,采用电荷泵偏移电流线性化技术及Δ-Σ调制器加抖动技术改善相位噪声和杂散性能。在整数模式和分数模式下,带内相位噪声分别为-106.2 dBc/Hz和-99.7 dBc/Hz。VCO的输出频率...

  • 用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器

    作者:刘德志; 王绍权; 王鑫; 马琳 刊期:2019年第02期

    基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高...

  • 稿约

    作者:《半导体技术》编辑部 刊期:2019年第02期

    本刊以半导体材料、器件和集成电路的设计与制造、封装和检测、可靠性和先进半导体设备等半导体领域的前沿技术的文章为主。本刊所付稿酬包含著作权使用费及上网服务费。投稿应保证不涉及泄密问题,否则责任自负。在线投稿可登录本刊网站www.bdtj.cbpt.cnki.net进行投稿,编辑部邮箱为bdtj1339@vip.163.com,所有稿件均先通过'科技期刊不端文献检测...

  • 2019年主要栏目设置

    刊期:2019年第02期

  • GaAs开关FET功率特性的研究

    作者:王磊; 马伟宾; 刘帅 刊期:2019年第02期

    在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进...

  • Mg掺杂对溶胶-凝胶法生长MZO纳米薄膜性能的影响

    作者:贲旭博; 端木庆铎 刊期:2019年第02期

    通过溶胶-凝胶(sol-gel)法分别在石英及Si衬底上制备了含不同Mg原子数分数的氧化镁锌(MZO)纳米薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高阻测量仪研究了Mg掺杂对MZO纳米薄膜的表面形貌、结构及电学性能等方面的影响。结果表明,随着Mg原子数分数的增加,MZO薄膜的晶粒数目增加,且排列致密和均匀,表现为ZnO的六方纤锌矿结构;当Mg原子...

  • 一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法

    作者:邝艳梅; 赵凯; 缪旻; 陈兢; 罗昌浩 刊期:2019年第02期

    硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同...

  • TLP连接下Ni-Sn-Cu接头显微结构演变与抗剪强度的关系

    作者:杨和月; 李烈军 刊期:2019年第02期

    研究了瞬时液相(TLP)扩散连接过程中镍-锡-铜烧结接头的显微结构演变与其抗剪强度的关系。结果表明,由厚度为20μm的纳米镍焊膏中插入厚度为60μm的纯锡箔所组成的烧结接头,在0.6 MPa压力及340℃的烧结温度下烧结2 h,接头与基板界面逐渐形成含铜量较高的扇贝状金属间化合物(IMC)(Cu, Ni)6Sn5;在350℃下烧结2.5 h,接头中部形成含镍量较高、含铜量较...

  • 热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响

    作者:陈晓亮; 陈天; 钱忠健; 张强 刊期:2019年第02期

    浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析。结果表明,牺牲氧化层工艺...

  • 微波集成电路的低频噪声测试方法

    作者:贾晓菲; 何亮 刊期:2019年第02期

    噪声检测是小型化微波集成电路可靠性诊断的一种无损检测手段,针对GaAs PHEMT单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的可靠性问题,进行了噪声测试实验,研究了其低频噪声的测试方法。分析了合格与失效电路的噪声功率谱密度和时间序列,并提取GaAs PHEMT MMIC功率放大器1/f噪声的幅度值、噪声指数和转折频率。测试结果表明,MMIC功率放大器的噪声主要为1...

  • 一种免滤波数字D类功率放大器功率级误差校正方法

    作者:于泽琦; 屈海朋; 陈晓雷; 张春洋; 张恩光 刊期:2019年第02期

    针对免滤波数字D类功率放大器功率级非线性和电源噪声产生的误差,提出了一种基于前馈电源噪声抑制(FFPSNS)和局部闭环负反馈(LCLNF)技术的免滤波数字D类功率放大器桥接负载(BTL)功率级误差校正方法。该方法通过对BTL功率级构造一阶LCLNF回路,并在反馈回路中利用FFPSNS技术引入功率级电源噪声以在校正功率级误差的同时,进一步降低功率级电源噪声...

  • 混合型直流断路器用IGBT测试平台建模与分析

    作者:邓二平; 张传云; 应晓亮; 赵志斌; 黄永章 刊期:2019年第02期

    为准确得到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在混合型直流断路器下的性能参数,测试平台的设计非常重要。结合断路器的特殊工况,对测试平台关键部件模型进行分析,并考虑寄生参数建立测试平台精细化电路模型。仿真分析了测试平台寄生参数对被测IGBT测试电气应力的影响。结果表明,寄生电阻对测试应力影响很小,而缓冲电容换流回路寄生电感对IGBT关断能量影...