杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：冯晓星; 唐飞; 李琰; 俞航; 葛彬杰 刊期：2018年第12期
设计了一种用于低功耗2.4GHz无线物联网(IOT)芯片的电源管理系统,用于极低功耗物联网,如智能家居、工业控制、农业自动化等领域。该芯片在高功率和低功率两种模式下分别采用了不同的低压差线性稳压器(LDO)电路设计,通过特殊时序保证了高低功率模式切换时输出电压稳定。仿真结果显示,采用源随器结构的低功耗LDO的静态电流仅为1μA,单比较器振荡电...
作者：肖垣明; 王慧; 刘晨; 杨需哲 刊期：2018年第12期
设计了一种带有二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路。相比传统带隙基准电路,所设计的电路不仅进行了一阶温度补偿,在高温阶段增加了与一阶温度补偿基准电压的温度系数呈负相关的曲率补偿电流,通过电阻将补偿电压叠加到经过一阶补偿的基准电压上,以二阶温度补偿的方式改善了基准电压在高温时的温度特性,降低温度系数,最终输出较低温漂的基准...
作者：王磊; 任健; 刘飞飞; 刘帅 刊期：2018年第12期
采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA。为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计的思路,优化了限幅器的电路拓扑和pin二极管的结构。该LNA采用三级级联的电流复用拓扑结构。在片测试结果表明,...
刊期：2018年第12期
由于《半导体技术》编辑部将采用中国知网的腾云采编系统,决定将网址改为http:∥WWW.bdtj.cbpt.cnki.net,并对编辑部网站的模板形式及功能进行了更新。目前已可登录、查询和下载,敬请关注新网站:http:∥WWW.bdtj.cbpt.cnki.net。
作者：《半导体技术》编辑部 刊期：2018年第12期
投稿须知:我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊。本刊已加入国内外多家数据库:美国化学文摘《cA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich’s》、英国科学文摘《SA,IN—SPEC》、俄罗斯文摘杂志《AJ》、日本科学技术文献速报《CBST,JST》、清华同方数据库、中国期刊网、中国科学引文数据库、中国学术期刊综合评价数...
作者：申海东; 解江; 吴雪珂; 欧永 刊期：2018年第12期
功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一。基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT结温预测的准确性。采用经典Foster与Cauer热网络模型转换方法,获取IGBT各层结构热阻和热容,建立芯片Si热阻-温度的函数模型,对比模型计算值与实验结果,...
作者：杨鹏; 杨琦; 刘帅 刊期：2018年第12期
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,...
作者：沈国豪; 张卫平; 刘武; 魏志方; 邹逸飞 刊期：2018年第12期
微电子机械系统(MEMS)传声器是一种将音频信号转换为电信号的微型传感器。为了得到较高灵敏度和信噪比(SNR)的传声器,同时又能保证其可靠性,设计并制备了一种结构优化的电容式硅基MEMS传声器。将两种特殊结构相结合,对电容式硅基MEMS传声器的带孔振动膜结构进行了优化。振动膜采用厚度各异的掺杂多晶硅-非掺杂多晶硅-掺杂多晶硅的特殊膜结构以得...
作者：李晖; 高飞; 徐世海; 张嵩; 徐永宽; 程红娟 刊期：2018年第12期
对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究。在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘和树脂锡盘将机械研磨时间缩短至1.5h,加工后的晶片表面最大划痕深度约为2.743nm,表面粗糙度为0.924nm。在GaNCMP单因素实验中,分析了工艺参数(如pH值、压...
作者：李明达 刊期：2018年第12期
研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性的影响机制。结果表明,在载气总流量为80L/min、外延生长温度为1125℃的条件下,通过设计2μm的基座浅层包...
作者：李玲玲; 孙进; 张鑫保 刊期：2018年第12期
提出了一种考虑性能退化因素的IGBT模块可靠性度量模型,该模型以广义应力-强度干涉模型为基础,同时考虑了应力和强度间的相关性以及使用过程中强度的退化性问题。分析了IGBT模块失效原因和失效类型,通过功率循环加速老化试验获取IGBT模块的退化数据,并选用Gamma分布来描述IGBT模块性能退化参数的退化过程;最后,根据广义应力-强度干涉模型求取某...
作者：蒋多晖; 周伟成; 张斌; 郭清 刊期：2018年第12期
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Si C MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的"陷阱",会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻。对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对Si C MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试。测试结果表明,Si C MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应...
作者：刘鸿瑾; 李天文; 稂时楠; 张建锋; 刘群; 袁大威 刊期：2018年第12期
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更...
作者：来新泉; 张赟; 刘晨; 张凌飞 刊期：2018年第12期
针对在传统印刷电路板(PCB)中埋置光波导结构而引发的集热问题,开展埋置结构光电印制板(OEPCB)的散热分析研究与优化。首先构造埋置结构OEPCB的导热模型,然后采用有限差分方法求解传热方程,最后利用FloTHERM软件进行仿真分析与优化。结果表明,在使用目前常用材料的情况下,光波导埋置结构OEPCB的温度场分布并不均匀,极易导致PCB板层的热应力差,进...
作者：邓二平; 陈杰; 赵雨山; 赵子轩; 赵志斌; 黄永章 刊期：2018年第12期
高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的等效热学仿真模型,详细研究了小电流下饱和压降结温测量法的物理过程,对比分析了两种封装形式结温测量的精确度...
