首页 期刊 半导体技术 寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响 【正文】

寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响

作者:黄华震; 柯俊吉; 孙鹏; 赵志斌 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室; 北京102206
sic   mosfet   并联   寄生电感   控制变量法  

摘要:电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡。搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响。基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻,由此消除了电感引入的寄生电阻对实验结果的影响。然后分别对漏极电感Ld、源极电感Ls和栅极电感Lg不匹配与并联电流分配的关系进行实验研究,实验结果表明:Ld不匹配对并联器件的瞬态电流上升过程没有影响,但会在两个器件间造成环流,且在环流衰减的过渡阶段和稳态阶段Ld对电流分配具有不同的影响规律,Ls不匹配使得电感较小的器件瞬态电流过冲增大,而Lg对器件并联电流没有影响。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅