杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：徐振邦; 居水荣; 刘马良; 戈益坚 刊期：2018年第10期
分析了目前分段电流舵数模转换器（DAC）在动态性能提升和芯片面积缩小等方面的局限性。提出了动态元件匹配（DEM）译码技术。设计了16 bit DAC中的DEM译码电路结构,分析了DEM译码技术的原理。对该16 bit DAC的动态性能等进行了详细仿真,并完成了整体版图设计。该DAC核心部分芯片面积仅为2. 2 mm^2。采用0. 18μm CMOS工艺完成了该DAC的加工和性...
作者：孙毛毛; 彭克武; 刘文韬; 苟超; 李鹏 刊期：2018年第10期
设计并实现了一款具备200 m A输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换。采用无感式设计简化了开关电源的复杂,有效减小了体积。对开关电容电压反转器的系统结构、电路和版图技术进行研究,进行了结构设计及振荡器、互补时钟、开关驱动等电路设计,并采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺对该产品进行设计和生...
刊期：2018年第10期
一、征文范围1.宽禁带（Ga N、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术; 2.功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术; 3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术; 4.微波功率器件的结构设计、加工与测试技术.
作者：戴雅琼; 黄德佳; 邢洁莹; 潘郑州; 张佰君 刊期：2018年第10期
制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大...
作者：田秀伟; 马春雷; 刘沛; 韩婷婷; 宋旭波; 吕元杰 刊期：2018年第10期
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10~（18）cm~（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度...
作者：刘茹茹; 洪锋; 鲁昌华; 蒋薇薇; 鞠薇 刊期：2018年第10期
利用电化学阳极氧化方法制备了高度有序的TiO2纳米管阵列,采用旋涂方法在纳米管表面制作一层聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）∶聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT∶PSS）薄膜构建PEDOT∶PSS/TiO2纳米管肖特基结并研究了其紫外探测性能。通过扫描电子显微镜（SEM）对TiO2纳米管和PEDOT∶PSS进行表面微观形貌表征。通过测试不同光照强度、不同偏压下的电压-电流和...
作者：徐鹏; 邹琦; 谢宗奎; 柯俊吉; 赵志斌 刊期：2018年第10期
为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台。从施加高温栅偏应力、去除应力后室温下短期恢复和长期恢复3个不同阶段研究了SiC MOSFET静态参数对高温栅偏应力的敏感度,以及不同时间周期范围内阈值电压的恢...
作者：柯亚威; 施敏 刊期：2018年第10期
研究了一种新型源电极的双物质双栅隧穿场效应晶体管（NSE-DMDG-TFET）,该器件结合了新型源电极和双物质栅的优点,其中新型源电极由传统的欧姆接触电极和高功函数浮空肖特基接触电极构成,该肖特基接触电极可有效抬升其电极下的能带、增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区、减小隧穿距离,提高了开态电流和开关电流比,获得了更小的亚阈值摆幅...
作者：胡轶; 何彦刚; 刘玉岭 刊期：2018年第10期
研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂。使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层（Ta）和介质层（TEOS-SiO2）的去除速率选择性实验,实验表明,FA/O阻挡层抛光液对Cu的去除速率较低,对Ta和SiO2的去除速率较高,分别为4. 7,23. 5和45 nm/min。该FA/O阻挡层抛光液可有效抑制铜的去除速率,提高介质层的去除速...
作者：穆继亮; 耿文平; 何剑; 丑修建 刊期：2018年第10期
设计了一种三维（3D）硅基电容器,采用原子层沉积（ALD）技术制备了钨（W）薄膜电极。通过X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和电学分析仪对薄膜进行表征,研究了W薄膜电学性能的影响因素和作用机制。XPS测试结果表明,W薄膜组分主要为W—W键金属态,测得其电阻率为77μΩ·cm,达到现有技术水平。由晶相分析可知,原子...
作者：王强文; 郭育华 刊期：2018年第10期
研究了Nd∶BiFeO3（NBFO）/Nb∶SrTiO3（NSTO）异质结构的电阻变换效应并讨论其铁电阻变换机理。利用脉冲激光沉积（PLD）法在NSTO单晶衬底上生长了NBFO薄膜,并构筑了Pt/NBFO/NSTO异质结构。该异质结器件在电压脉冲扫描下显示出双极性的电阻变换效应,并且具有长时间的数据保持能力。且改变脉冲电压的大小可获得多级电阻态,在多级非易失性存储器...
作者：高山城; 王峰瀛; 白永恒; 张刚琦 刊期：2018年第10期
详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良好的欧姆接触。采用欧姆接触技术制备了两种不同结构的样品,并对其进行电性能测试和可靠性试验。结果表明,与采用压接技术的样品相比,采用欧姆...
作者：徐健; 孙悦; 孙鹏; 胡文华 刊期：2018年第10期
基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析。通过菊花链设计结构及超声波扫描显微镜（SAM）等工具,对失效样品进行失效定位分析,并通过扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱仪（E...
作者：孔泽斌; 廉鹏飞; 张辉; 杨亮亮; 姬青 刊期：2018年第10期
针对应用在双陀螺组合中的DC/DC模块输入级VDMOS内引线熔断、输出级整流二极管发生短路的问题进行了失效分析。通过分析可知,DC/DC模块失效是由于其输出端整流二极管击穿短路,导致输入端电流异常增大,致使VDMOS的源极内引线过流熔断。通过对故障树进行试验和排查,整流二极管击穿是由于DC/DC模块瞬时启动重载使模块内部功率调节时产生个别幅度较...
