摘要：利用有限元法对单片6英寸（1英寸=2.54 cm）Ga N衬底用氢化物气相外延（HVPE）生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化。通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的Ga Cl,NH3和分隔气（N2）流速等主要参数进行数值模拟,研究分析了反应室内各反应物的浓度分布和衬底上Ga N的生长速率变化,同时考虑了涡旋分布以及Ga Cl出口管壁上寄生沉积等对衬底上Ga N生长的影响,并给出了HVPE系统高速率均匀生长Ga N的优化参数。模拟分析还表明,适当降低HVPE反应室内的压强可以改善衬底上Ga N生长的均匀性。

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