杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：董健方; 彭挺; 高能武; 金立川; 钟智勇 刊期：2018年第08期
霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,Ga As基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了Ga As材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的Ga As基霍尔传感器和异质结构的Ga A...
作者：冯鹏; 邓元明; 伯林; 刘力源; 于双铭; 李贵柯; 王开友; 吴南健 刊期：2018年第08期
设计了一种适用于无源超高频（UHF）温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器（SAR）转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计...
作者：王子青; 赵子润; 龚剑 刊期：2018年第08期
基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关...
作者：时传飞; 梁蓓; 赵念; 张成发; 李沂蒙; 李泽宏; 方祥 刊期：2018年第08期
针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路。该电路通过A/D采样模块采集功率MOSFET的漏源电压和过流阈值电压,并利用减法器进行比较,用于判断起动机是否发生堵转,进而控制功率MOSFET的导通/截止,进一步判断起动机的开启或关断。...
作者：徐永祥; 赵瑞华 刊期：2018年第08期
基于GF 8HP 0.12μm Bi CMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根（RMS）误差的单片集成5～40 GHz 5 bit数控衰减器。该衰减器采用桥T和单刀双掷（SPDT）开关结构,其中的NMOS开关管通过采用体端悬浮技术,改善了衰减器在全部衰减态下插损的平坦度,降低了衰减器的插损,提高了衰减器的线性度。测试结果显示,在5～40 GHz频段内,...
作者：张颖颖 刊期：2018年第08期
提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管。通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管与常规均匀掺杂基区的Si C光控晶体管的性能进行了对比分析。结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载流子输运的感生电场,缩短基区渡越时间,改善器件开通性能。该结构提高了Si C光控晶体管的电流增益并缩短开通时...
作者：余金豪; 杨炳辰; 杨超; 陈奇; 凌海容; 王蓟; 王国政; 杨继凯; 端木庆铎 刊期：2018年第08期
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系。研究...
作者：刘媛媛; 杜纯; 曹坤; 陈蓉; 徐湘伦; 黄静; 单斌 刊期：2018年第08期
Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响。结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈...
作者：朱宇霞; 陈琳; 顾世浦; 修向前; 张荣; 郑有炓 刊期：2018年第08期
利用有限元法对单片6英寸（1英寸=2.54 cm）Ga N衬底用氢化物气相外延（HVPE）生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化。通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的Ga Cl,NH3和分隔气（N2）流速等主要参数进行数值模拟,研究分析了反应室内各反应物的浓度分布和衬底上Ga N的生长速率变化,同时考虑了涡旋分布以及Ga Cl出口管壁上寄生沉积...
作者：练小正; 张胜男; 程红娟; 齐海涛; 金雷; 徐永宽 刊期：2018年第08期
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均...
作者：李秀然; 刘宇; 王鹏; 李秀莹; 沈思杰 刊期：2018年第08期
针对U型沟槽MOSFET（UMOSFET）功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）和聚焦离子束（FIB）对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电...
作者：余琨; 王华 刊期：2018年第08期
针对大量IP硬核精准、快速的测试验证需求,在分析现有IP硬核测试技术的基础上,研究了IP硬核无损测试技术。通过设计模拟用户片上系统（SOC）的通用评估系统,将被测IP硬核嵌入在测试电路中,并引入软硬件补偿结构,对信号时序进行校准补偿,对IP硬核精确输入进行控制和监测。结合外部自动测试设备（ATE）与片上评测电路,实现对IP硬核的功能、性能以...
