杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：张启明; 张保国; 孙强; 方亮; 王赫; 杨盛华; 张礼; 罗超 刊期：2018年第07期
AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度。讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得...
作者：胡安俊; 胡晓宇; 范军; 袁甲; 于增辉 刊期：2018年第07期
基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2 V电源电压下的超低功耗RC振荡器。该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器（VCO）、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以及非交叠时钟产生电路。该振荡器用工作在亚阈值区的运算放大器和VCO取代了传统单比较器型RC振荡器中的比较器,显著降低了功耗;用开关电容取代了充放电电容,并且将输出...
作者：辛杨立; 赵倬毅; 王卓; 程政; 贾丽伟; 明鑫; 张波 刊期：2018年第07期
提出了一种可以在宽频范围内控制恒定导通时间（COT）电流模环路开关频率的锁相环（PLL）电路。电路采用经典电荷泵锁相结构,针对传统COT锁频方案中瞬态频率锁定速度和频率锁定精度性能无法兼顾的问题,通过一个由三极管构成的电流乘法计算单元引入PLL控制和输入电压前馈信息改变计时电容的充电电流,控制开关频率,保证了电路的锁频速度和精度。此...
作者：王鑫华; 陈明辉; 杨格亮 刊期：2018年第07期
基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器（VGA）并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输...
作者：刘国柱; 洪根深; 于宗光; 吴建伟; 赵文彬; 曹利超; 李冰 刊期：2018年第07期
基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方式实现了其＂开/关＂态功能,并对其＂开/关＂态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,...
作者：穆继亮; 徐方良; 孙雅薇; 李芬; 丑修建 刊期：2018年第07期
为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系。基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场...
作者：董升旭; 白云; 杨成樾; 汤益丹; 陈宏; 田晓丽; 刘新宇 刊期：2018年第07期
为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体（MIS）结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度（N_（ss））的能级分布情况,N_（ss）约为1012eV~（-1）·cm~（-2）量级。退火温度升...
作者：郭艳敏; 房玉龙; 尹甲运; 刘沛; 张志荣; 王波; 高楠; 冯志红 刊期：2018年第07期
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和原子力显微镜（AFM）对样品进行测试和表征。结果表明,不同气氛退火均能降低p-GaN材料的XRD半高宽,改善其晶体质量,并提高其迁移率;此外,相较...
作者：汤光洪; 高周妙; 罗燕飞; 李志栓; 周燕春 刊期：2018年第07期
采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.02...
作者：李能能; 马继奎 刊期：2018年第07期
基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大...
作者：张嵩; 孙科伟; 王再恩; 程红娟 刊期：2018年第07期
采用氢化物气相外延（HVPE）方法在2英寸（1英寸=2.54 cm）c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜。在GaN生长过程中引入点状和条状两种金属Ti掩膜图形层,研究了不同Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响。使用微分干涉相差显微镜（DICM）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极荧光光谱（CL）、喇曼光谱和X射线衍射（XRD）对制备的GaN样...
作者：华斌; 黄慧诗; 闫晓密; 张秀敏; 贾美琳 刊期：2018年第07期
发光二极管（LED）芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性。理论计算了电子束蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系。对纯铝和不同铜质量分数的铝铜合金进行了金属线耐电流测试和薄膜反射率测试,并对纯铝或铝铜合金电极的LED芯片进行了老化测试。结果表明,相对于纯铝电极结构,铜质量分数为2%...
作者：王健; 万里兮; 侯峰泽; 李君; 曹立强 刊期：2018年第07期
为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列（BGA）封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响。通过正交...
