杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：赵宇航; 李琛 刊期：2018年第03期
阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统（SOC）芯片设计。手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效识别。采用目标区域提取算法与主动式红外投影,通过伽马变换、干扰去除等操作实现输入图像的预处理,从而确定手掌所在位置。为了高效判别手势,该...
作者：方园; 叶显武; 吴洪江; 刘永强 刊期：2018年第03期
采用GaAs赝配HEMT单片微波集成电路（MMIC）工艺和堆栈偏置技术设计实现了一款Q波段低噪声放大器（LNA）芯片。该放大器采用4级级联的堆栈偏置拓扑结构,前两级电路在确保较低输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声系数,后两级电路则采用最大增益的匹配方式,确保放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。该LNA芯片最终尺寸为3250μm×1500...
作者：段晓敏; 撖子奇; 闫捷; 张英杰; 曹慧亮 刊期：2018年第03期
提出了一种基于微杠杆原理的左右分布式低交叉耦合、高灵敏度的硅微谐振加速度计结构。该结构采用了一级微杠杆放大机构,左右双音叉谐振器和单质量块布局,实现了力放大和差动频率输出,具有结构简单、易于加工的特点,且两音叉谐振器间相互干扰小。首先,优化了设计参数,并进行了模态分析与谐响应分析。结果表明,左右谐振工作谐振频率分别为149.49 ...
作者：韩婷婷; 吕元杰; 刘沛; 敦少博; 顾国栋; 冯志红 刊期：2018年第03期
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。器件...
作者：柯俊吉; 赵志斌; 孙鹏; 邹琦; 崔翔; 杨霏 刊期：2018年第03期
SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案。为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为评估指标,对比了同批次器件不同参数的分散性,并探讨了不同结温下参数分散性的波动。基于假设检验方法,验证了器件参数近似服从正态分布。由拉依达（Pau-Ta）（3σ...
作者：陈寿面; 孙亚宾 刊期：2018年第03期
借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态（SET）效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过对比重离子入射至器件不同位置时各电极的瞬态电流和感生电荷的收集情况,确定了集电极/衬底（CS）结及附近区域...
作者：杨勇; 姚伟民 刊期：2018年第03期
由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管（SBD）的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题。根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电（ESD）、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力（EOS）能力的量化检测方法。针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给...
作者：孙世孔; 路家斌; 阎秋生 刊期：2018年第03期
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能。综述了磷化铟晶体化学机械抛光（CMP）技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反...
作者：李晓苇; 史金超; 张伟; 沈艳娇; 李锋 刊期：2018年第03期
为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10^-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑。在电阻率为13Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率...
作者：陈奇; 王国政; 王蓟; 杨继凯; 端木庆铎 刊期：2018年第03期
在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度。与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获...
作者：高云鹏; 丁红; 苏泉; 黎燕; 钟福新 刊期：2018年第03期
采用电沉积法制备了硒化镉（CdSe）薄膜,讨论了Cd（NO3）2和H2SeO3摩尔比（n（Cd∶Se））、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射（XRD）、能谱分析（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等表征。结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺（DMF）体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mo...
作者：卜爱民; 房玉龙; 李佳; 芦伟立; 赵丽霞; 杨龙; 尹甲运; 刘沛; 冯志红; 陈秉克; 蔡树军 刊期：2018年第03期
使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统计,使用傅里叶红外测试仪（FTIR）和原子力显微镜（AFM）对外延材料表面形貌进行表征。结果表明,预刻蚀气体体...
作者：尚玉玲; 尹宝山; 谈敏 刊期：2018年第03期
传统的探针测试会对晶圆产生较大的接触应力,从而给晶圆带来物理性损伤。提出一种基于串扰耦合理论的非接触探头结构,来实现对硅通孔（TSV）裂纹故障的非接触测试。首先在HFSS三维电磁仿真软件中建立非接触探头结构,通过仿真分析可知,探头与TSV之间形成较强的电场,可以实现对TSV裂纹故障非接触测试的目的。然后建立非接触探头与TSV GS结构的等效...
刊期：2018年第03期
2018年10月31日-11月3日,青岛喜来登黄岛大酒店第十四届IEEE固态和集成电路国际会议（IEEE IC-cuit Technology）将于2018年10月31日至11月3日在青岛召开,本次会议由IEEE北京分会和复旦大学主办,
