杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：陈文辉; 何建芳; 董立松; 韦亚一 刊期：2017年第09期
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化（SMO）作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应...
作者：徐娟; 傅雅蓉; 林殷茵 刊期：2017年第09期
基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器（RRAM）芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min...
作者：王雪原; 周建伟; 林鹏程 刊期：2017年第09期
峰值电流模式升压型直流-直流转换器在连续导通模式下,当占空比大于50%时会出现闭环不稳,产生次谐波振荡等现象,需进行斜坡补偿。讨论了斜坡补偿的意义,并设计了一种结构简单的电流检测和斜坡补偿电路,该电流检测采用一种电流负反馈电路进行电压箝位,斜坡补偿时未采用传统的加法器对补偿斜率相加的方式,而是直接将采样电流和补偿电流在电流节点...
作者：穆敏宏; 叶凡; 陈勇臻 刊期：2017年第09期
对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s...
作者：邓小社; 郭绪阳; 李泽宏; 张波; 张大成 刊期：2017年第09期
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管（RC Trench FS IGBT）是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管（RC IGBT）特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿...
作者：杜泽杰; 段瑞飞; 魏同波; 张硕; 王军喜; 曾一平; 冉军学; 李晋闽 刊期：2017年第09期
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍...
作者：文奎; 郝俊艳; 何雨龙; 林希贤; 杨帅; 张艺蒙 刊期：2017年第09期
与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围。设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢复特性。实验结果表明,温度每上升100℃,SiC SBD反向电压峰值增幅为5%左右,而反向恢复电流与反向恢复时间受温...
作者：申雅茹; 邓二平; 赵志斌; 李金元; 黄永章 刊期：2017年第09期
功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题。压接型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型IGBT器件的功率损耗。将压接型IGBT器件工作时产生的结温作为耦合变量引入,基于此建立了IGBT器件应用于调制脉宽（PWM）换流设备时的功率损耗计算模型,并详细分析了影响功...
作者：朱邵歆; 陈翔; 闫建昌; 张韵; 王军喜; 李晋闽 刊期：2017年第09期
采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法在2英寸（1英寸=2.54 cm）c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝（Al N）外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径...
作者：徐真逸; 叶斌斌; 蓝剑越; 董超; 李雪威; 王建峰; 徐科 刊期：2017年第09期
以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓（GaN）材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm~2。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧光和光致发光谱对GaN N面的表面、光学特性进行了对比表征。结果表明：未刻蚀GaN衬底的N面表面存在一定的损伤...
作者：张洁 刊期：2017年第09期
研究了在图形蓝宝石衬底（PSS）上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED。通过一系列对比实验,分析了AlN薄膜的制备条件对GaN外延层晶体质量的影响,研究了AlN薄膜溅射前N2预处理功率和溅射后热处理温度对GaN基LED性能的作用机制。实验结果表明：AlN薄膜厚度的增加,导致Ga...
作者：李含; 郑宏宇; 张崤君 刊期：2017年第09期
陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析。通过时域反射计（TDR）测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线（X-ray）检测、超...
作者：魏文; 蔡恩静; 高金德 刊期：2017年第09期
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致。并通过元素成分分析确定接触孔底部钨（W）的缺失,接触孔底部粘结阻挡层的氮化钛（Ti N）填充完整。结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上...
