杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：李海鸥; 韦春荣; 王晓峰; 张紫辰; 潘岭峰; 李琦; 陈永和 刊期：2017年第08期
综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景。与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点。详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形...
作者：孙昕; 陈莹; 陈丽; 李斌 刊期：2017年第08期
采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,设计了一款5～10 GHz单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈调节阻抗匹配,从而实现宽带匹配,芯片面积为2.5 mm×1 mm。测试结果表明,工作频率为5～10 GHz,漏极电压...
作者：陈铖颖; 陈黎明; 杨骏 刊期：2017年第08期
为了满足脑电信号（EEG）记录阵列的应用需求,设计了一种全差分的低噪声、低功耗放大器电路。该电路利用亚阈值区晶体管作为伪电阻,与输入电容和反馈电容形成高通通路,有效抑制了输入信号的直流失调电压,无需片外隔直电容,实现了电路的全集成。放大器中的跨导放大器（OTA）采用亚阈值晶体管进行设计,实现了较大的输出摆幅、良好的功耗和噪声性能...
作者：居水荣; 王津飞; 石径; 张子豪 刊期：2017年第08期
针对脉冲频率调制（PFM）开关电源（SMPS）集成电路,提出了抗电磁干扰（EMI）设计的两种方法。通过采用零电流检测电路,控制开关电源集成电路中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在第一个谷底导通,从而降低导通电流的尖峰值。通过采用恒压和恒流设计技术,使开关电源集成电路中的电压和电流得到限制,有助于降低电流纹波。采用CSMC 1μ...
作者：张磊; 付兴昌; 刘志军; 徐伟 刊期：2017年第08期
基于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计制作了一款收发（T/R）多功能芯片（MFC）,主要用于射频前端收发系统。该芯片集成了单刀双掷（SPDT）开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点。芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、...
作者：卜庆典; 周伦茂; 龙浩; 应磊莹; 郑志威; 张保平 刊期：2017年第08期
Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管（LED）的传统制造工艺。这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件性能影响较大。介绍了一种新工艺方法,该方法将电极分解为接触层和反射层,降低反射层经历的退火温度和时间,获得了拥有良好的欧姆接触特性和高反射率的反射镜电极,解决了...
作者：李静杰; 程新红; 王谦; 俞跃辉 刊期：2017年第08期
采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压（J-V）和电容-电压（C-V）特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,...
作者：张晓帆; 郎秀兰; 李亮; 李晓东 刊期：2017年第08期
分析了工作于甚高频（VHF）频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管（LDMOSFET）。设计了用于50～75 MHz频带的宽带匹配电路。研制的器件击穿电压为130 V。在工作电压为50...
作者：邵珠峰; 杨秀娟; 陆晓东; 钟敏 刊期：2017年第08期
通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅（a-Si）pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔＂凹槽＂状结构。采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成。比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率（η）、开路电压、短路电流...
作者：周文艳; 陈家林; 康菲菲; 杨国祥; 孔建稳; 吴永瑾; 孙绍霞 刊期：2017年第08期
通过调节微合金元素的含量获得3种具有不同力学性能的银键合丝。利用拉伸试验、键合试验、焊线挑断力、焊球推力测试等手段,研究了银键合丝力学性能对键合质量的影响。结果表明,在延伸率相同的条件下,随着微合金元素含量的降低,3种键合丝的断裂负荷降低,初始模量先减小后增大,键合后焊线挑断力和焊球推力均降低,电极金挤出率先减小后增大。银键...
作者：李新利; 陈永超; 李丽华; 马战红; 任凤章; 卢景霄; 黄金亮 刊期：2017年第08期
有机-无机杂化钙钛矿薄膜作为太阳电池的光吸收层,其薄膜的形貌、结构以及结晶程度等因素对电池的光电转换效率起到了决定性的作用,而薄膜的质量主要取决于制备工艺。采用一步溶液法制备了有机-无机杂化钙钛矿（CH3NH3PbI3）薄膜,主要分析了在氟掺杂氧化锡（FTO）导电玻璃、玻璃和多晶硅3种不同衬底上生长CH3NH3PbI3薄膜的形貌和结构的差异。结...
作者：张雷; 吴翠姑; 陈志军; 刘莹 刊期：2017年第08期
论述分析了国内外晶体硅太阳电池回收技术现状,研究了太阳电池的结构及制备工艺,提出了废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片的工艺。依次去除铝背场/铝硅合金层/背银、氮化硅减反膜/正银、磷扩散层及金属杂质,得到高纯硅片。硅原料的回收率高达76.4%,回收的高纯硅片经检验检测,其电阻率、间隙氧浓度、代位碳含量和少子寿命均符合GB/T 29055—2012中...
作者：邹学锋; 王波; 房玉龙; 尹甲运; 郭艳敏; 张志荣; 冯志红 刊期：2017年第08期
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术在4英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪（HRXR...
作者：梁得峰; 盖蔚; 徐高卫; 罗乐 刊期：2017年第08期
提出了一种基于硅通孔（TSV）和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器（CIS）圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线（RDL）等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积（ICPECVD）的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电...
