杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：赵正平 刊期：2017年第05期
由于SiC功率器件具有更高的击穿电压、工作温度和热导率以及更低的开关和导通损耗等优点，可以突破SiIGBT的最高结温175℃的限制，可满足电子产品在高温下可靠工作的要求，适用于汽车、工业、空间及航空电子设备、内燃机、智能推进系统和地热勘探等领域。近几年为了实现SiC功率器件在电力电子系统中的高温应用，
作者：吴会丛; 于洁; 吴楠; 李斌 刊期：2017年第05期
采用0．25μmGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构，以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度。本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦，为降低巴伦的幅度及相位不平衡度，采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计。该混频器...
作者：周雅 刊期：2017年第05期
提出了一种基于负阻退化技术的2.4 GHz高线性亚阈值混频器,该混频器相对于传统结构而言,增加了两个交叉耦合电容。由于该结构的内部负阻退化技术抵消了寄生电容,因而降低了寄生电容对增益和线性度的影响,改善了增益和线性度。采用基于Volterra级数的小信号模型,分析交叉耦合电容对于输入三阶交调点IIP_3和增益的影响。分析表明该方法确实能够改...
作者：杨丽燕; 刘亚荣; 王永杰 刊期：2017年第05期
利用Cadence集成电路设计软件,基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计了一款2.488 Gbit/s三阶电荷泵锁相环型时钟数据恢复（CDR）电路。该CDR电路采用双环路结构实现,为了增加整个环路的捕获范围及减少锁定时间,在锁相环（PLL）的基础上增加了一个带参考时钟的辅助锁频环,由锁定检测环路实时监控频率误差实现双环路的切换。整个电路由鉴相器、鉴频...
作者：王静辉; 杨私私; 李晓波; 曹增波 刊期：2017年第05期
近年来,图形化蓝宝石衬底（PSS）作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜（SEM）和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底（PSSZ2）进行对比。结果表明,在20 m A工作电...
作者：刘江; 王耀华; 赵哿; 高明超; 金锐; 潘艳 刊期：2017年第05期
高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p＋深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p＋深阱平面栅非穿通IGBT（NPT-IGBT）。对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p＋结深约为5.5μm,p＋深阱距离多晶硅5μm时,p＋深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT静态特性无明显影响。制备了不同p＋深阱注入剂量的IGBT芯片,并...
作者：刘志慧; 柴广跃; 屠孟龙; 余应森; 张伟珊 刊期：2017年第05期
高压（HV）倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景。设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片（PFC）结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFCLED照明组件。建立了9 V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行...
作者：黄先进; 凌超; 孙湖; 游小杰; 肖春俊 刊期：2017年第05期
逆导型IGBT（RC-IGBT）是将IGBT功能与续流二极管功能集成在一个芯片上,实现了在相同封装体积下,可获得更大的功率密度,由于IGBT与二极管紧密的移相热耦合,在相同散热条件下,RC-IGBT允许的工作结温更高。同时,RC-IGBT的本征二极管还受到栅极电压控制,通过栅极电压控制策略,可以降低器件损耗,优化系统特性。介绍了RC-IGBT的基本工作原理和二极管...
作者：李富银; 王颖; 唐彬浛 刊期：2017年第05期
采用直流磁控溅射法分别将Cu（Ti）和Cu（Cr）合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空（2×10（-3）Pa）中退火1 h,退火温度为300-700℃。对Cu（Ti）及Cu（Cr）自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和透射电子显微镜（TEM）观察并表征样品的微观结构。通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了...
作者：田罡煜; 王涛; 黄海宾; 孙喜莲; 高超; 岳之浩; 袁吉仁; 周耐根; 周浪 刊期：2017年第05期
采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10nm的本征非晶硅（α—Si：H）薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si：H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表明，热丝电流为21．5～23．5A时，钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势，热丝电流...
作者：李悦文; 陈琳; 陈丁丁; 张士英; 陈鹏; 修向前; 张荣 刊期：2017年第05期
采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH_3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜（SEM）对GaN纳米线进行表征。研究发现,在适当的NH_3流量且无催化剂时,衬底上可以生长出粗细均匀的GaN纳米线。反应时间为5 min时,纳米线密集分布在衬底上,表面光滑。在石墨...
作者：陈培祖; 李毅; 蒋蔚; 徐婷婷; 伍征义; 张娇; 刘志敏 刊期：2017年第05期
相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡（FTO）导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO2薄膜,并在TiO2/FTO复合薄膜上形成VO2/TiO2/FTO微结构,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电...
作者：高宝龙; 买买提热夏提·买买提; 亚森江·吾甫尔; 阿布都艾则孜·阿布来提 刊期：2017年第05期
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积（PLD）技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱（XPS）研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O3时没有变...
刊期：2017年第05期
第十二届IEEE国际专用集成电路会议（ASICON20171将于2017年10月25-28日在中国贵阳举行。这次会议旨在为VLSI电路设计者、ASIC用户、系统集成工程师，IC制造厂商、工艺和器件工程师以及CAD／CAE工具开发者提供一个国际沦坛，介绍他们在各自领域获得的最新进步和研发成果。四天的会议将汇集中外著名专家关于VLSI电路、器件、工艺设计与制造等技术...
