杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：高慧; 杨瑞霞 刊期：2017年第02期
GaAs基系Ⅲ-V族化合物太阳电池具有带隙最优、抗辐射能力强、高效率、高温稳定性好和机械强度高等优点,是目前高效太阳电池的研发重点。从异质结设计、多结结构设计、晶格匹配优化、光谱-能带匹配设计、掺N半导体材料及半导体键合工艺等方面,介绍了Ⅲ-V族高效多结太阳电池近年来的研究进展和关键技术,重点讨论了光谱匹配结构设计和半导体键合等...
作者：李琦; 冯春燕; 李海鸥; 张法碧; 陈永和; 黄平奖; 杨年炯 刊期：2017年第02期
设计了一种在一定温度内具有频率稳定性的高精度互补金属氧化物半导体（CMOS）环形振荡器。该电路利用带隙基准源为后续电路提供稳定电流,实现温度补偿。采用延时迟滞技术控制延时反相器充放电电流和反相器跳变电压,改善频率随电源电压变化的缺点,提高频率稳定性。基于0.5μm标准CMOS工艺,用Spectre软件进行仿真。结果表明,在电源电压为5 V,室温2...
作者：庞英俊; 崔椿洪; 陈昊 刊期：2017年第02期
提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器（DDIA）来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电路进行流片验证,得到在-40～125℃内,带隙基准电压源的温度系数为4.1×10-6/℃,当电源电压在2.7～5 V时,带...
作者：邹学锋; 吕元杰; 宋旭波; 郭红雨; 张志荣 刊期：2017年第02期
基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）再生长Si重掺杂的n＋GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率（fT）的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440m...
作者：李文铨; 卓宁泽; 朱月华; 周剑秋; 王海波 刊期：2017年第02期
针对设计出来的诸多结构样式LED散热器的具体选用问题,提出了一种对比选用方法。以一个LED光源的散热为基准,阐述了对其中3款散热器的选用过程。用Solidworks软件建立光源并采用第一款散热器的模型,用实测结果对用工程流体动力学（EFD）热模拟的结果进行验证。以第一款散热器的热阻和光源基板的均温为散热基准,对另两款散热器在原尺寸的基础上按...
作者：张林; 杨小艳; 高攀; 张赞; 胡笑钏; 高恬溪 刊期：2017年第02期
对SiC肖特基势垒二极管（SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅...
作者：赵亚东; 刘玉岭; 栾晓东; 牛新环; 王仲杰 刊期：2017年第02期
研究了铜化学机械抛光（CMP）过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性（WIWNU）的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为0 psi（1 psi=6.89×103Pa）时,去除速率呈中间高边缘低。当压力为0.5 psi时,边缘处去除速率较高,且随着压...
作者：张羽; 陈家荣 刊期：2017年第02期
高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利用硝酸氧化和氢氟酸腐蚀制备量产的硅量子点的方法,增加了硅量子点的浓度,从而提高了硅量子点的发光强度。首先,通过改变硝酸和氢氟酸的浓度和反应时间,获得不同尺寸的硅量子点和过滤前后硅量子点溶液的发光峰位。其...
作者：张志勤; 吴会旺; 袁肇耿; 赵丽霞 刊期：2017年第02期
1 200 V快恢复二极管（FRD）器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚（约130μm）以及电阻率较高（约60Ω·cm）,外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过在水平板式炉上进行工艺优化实验,采用900℃恒温工艺,外延层滑移线总长由原来的约90 mm降低至约15 mm。采用氢气变流量赶气工艺,外延层电阻率不均匀性由原来的约5%提升至...
作者：吕晓瑞; 林鹏荣; 姜学明; 练滨浩; 王勇; 曹玉生 刊期：2017年第02期
化学镀镍工艺因其无需掩膜、区域选择性好和非电镀等特点,被广泛应用于电子封装工业中的沉积工艺。研究了陶瓷球栅阵列（CBGA）封装中Ni-B/Ni-P焊盘镀层结构对焊点性能的影响。结果表明,高温老化过程中,焊点界面金属间化合物（IMC）厚度的增加与老化时间的平方根呈正比关系,Ni-P焊盘与Sn Pb之间形成的金属间化合物呈片状或块状,而Ni-B焊盘与Sn P...
作者：赵江; 张雷; 顾培楼; 黄其煜 刊期：2017年第02期
研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相（Al2Cu）在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致Ti N刻蚀被阻止。由于Al-Cu物理气相沉积（PVD）时作业腔内的硅片表面温度接近350℃,推测θ相（Al_2Cu）的形成...
作者：孔梅娟; 李志刚; 李雄; 王存乐 刊期：2017年第02期
介绍了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率模块键合引线脱落和焊料层疲劳两种主要的失效形式,分析了各自的失效机理。从IGBT功率模块失效发生部位的角度出发,即按照基于封装失效的状态监测技术和基于芯片失效的状态监测技术的分类方法,综述了国内外IGBT状态监测技术,总结了两种主要失效形式的外部特征参量的变化,认为IGBT状态监测技术是进行故障预...
作者：阳莎; 崔继锋; 廖传钦; 朱建德 刊期：2017年第02期
介绍了逻辑电路IC芯片的两项重要参数（性能和功耗）与芯片的通用电源短路测试参数之间的强相关性。从而在IC芯片的量产阶段,利用晶圆测试阶段的通用电源短路参数进行分类的方法,来区分出不同性能和功耗规格要求的产品。在此基础上,根据通用电源短路参数的不同分类,在芯片内部的电熔丝里烧录不同的电压标识,使得芯片可以在系统上启动BIOS时通过...
刊期：2017年第02期
第十二届IEEE国际专用集成电路会议（（ASICON2017）将于2017年10月25--28日在中国贵阳举行。这次会议旨在为VLSI电路设计者、ASIC用户、系统集成工程师，IC制造厂商、工艺和器件工程师以及CAD／CAE工具开发者提供一个国际论坛，介绍他们在各自领域获得的最新进步和研发成果。四天的会议将汇集中外著名专家关于VLSI电路、器件、工艺设计与制造等...
