杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：刘云燕; 赵栋; 魏功祥; 孙艳 刊期：2016年第09期
钙钛矿太阳电池具有优异的光伏特性,廉价高效,在近几年迅速崛起。概述了钙钛矿太阳电池的结构和基本工作原理,主要阐述了结构和制程更简单、成本更低的无空穴传输层钙钛矿太阳电池的研究进展。介绍了无空穴传输层的钙钛矿电池中,离子改性吸收层在拓宽吸收光谱、提高电池转化效率和稳定性方面的研究。对无空穴传输层电池中异质结和金属-半导体接...
作者：邓小社; 梁亚楠; 贾利芳; 樊中朝; 何志; 张韵; 张大成 刊期：2016年第09期
由于Al Ga N/Ga N异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气（2DEG）,使Al Ga N/Ga N器件在电子器件领域具有显著的应用优势。Al Ga N/Ga N器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了Al Ga N/Ga N器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电...
作者：董紫淼; 梁科; 林长龙; 李国峰 刊期：2016年第09期
采用金属氧化物半导体场效应晶体（MOSFET）管搭建门电路的方法设计了一款新型的数据修调控制电路,其主要功能是准确控制高精度温度补偿型石英晶体谐振器专用芯片的修调电路部分。该修调控制电路采用串行外设接口（SPI）传输协议进行数据传输,并采用一种新型的可擦可编程只读存储器（EEPROM）,简化了EEPROM读写电路的设计复杂度,使电路具有掉电...
作者：李相敏; 贾亮; 康壮 刊期：2016年第09期
设计了一种新型的低相位噪声低功耗Colpitts正交压控振荡器（QVCO）。此QVCO采用电流开关技术降低相位噪声,采用跨导增强技术改善核心电路的起振条件,并基于器件重用技术实现电路的反向注入锁定。提出的Colpitts QVCO比交叉耦合LC VCO的相位噪声更低,并且比传统QVCO的相位噪声、正交相位精度以及调谐范围的性能更优。最终基于0.18μm CMOS工艺流...
作者：王琦; 孙朋朋; 张蓉; 耿苗; 刘辉; 罗卫军 刊期：2016年第09期
基于WIN 0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,针对大相位移相器容易在宽带情形下出现的性能恶化问题,采用ADS2014仿真软件,成功设计并实现了两款大相位（90°和180°）的X波段（8-12 GHz）宽带数字移相器电路,其拓扑形式为高低通结构,并采用奇偶模分析方法,对高低通滤波网络进行分析。最终在片测试结果表明,其获得了优良的宽带性能,...
作者：王子青; 廖斌 刊期：2016年第09期
设计了一种Ga N场效应晶体管（FET）开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅...
作者：于佳弘; 李涵悦; 谢刚; 王柳敏; 金锐; 盛况 刊期：2016年第09期
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通压降回跳现象至关重要。详细讨论了p型阻挡层的高度、宽度和水平位置对器件电学特性的影响。仿真结果表明,将...
作者：杜帅; 张方辉 刊期：2016年第09期
采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管（OLED）器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4＇-N,N＇-二咔唑基联苯（CBP）为主体材料,Ir（ppy）2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir（ppy）2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结...
作者：周彪 刊期：2016年第09期
中国电子科技集团公司第十三研究所研制的3D微封装射频/微波模块,采用国内领先的锡球垂直互连多层板工艺。Ku频段接收双通道可实现超小尺寸（≤20 mm×15 mm×5.5 mm）、超轻重量（≤5 g）。产品最高频率可突破20 GHz,内部隔离效率大于70 d B;采用表面贴装结构,非常适合紧凑空间应用;高可靠,高性能,最高可满足宇航等级要求;内部标准化设计,可保证...
作者：刘敏; 何志; 钮应喜; 王晓峰; 杨霏; 杨富华 刊期：2016年第09期
脉冲激光退火具有热积存小、高温影响深度浅等优点,用来制备Si C欧姆接触可以忽略高温对衬底背面结构的影响,更好地与减薄工艺兼容,从而提高器件性能。借助波长为532 nm的固态Nd∶YAG激光器退火Ni/4H-Si C结构,分析了激光脉冲能量与脉冲个数对欧姆接触的影响。实验表明,激光脉冲能量对于Ni/4H-Si C欧姆接触的形成起主要作用,只有脉冲能量高于1.8...
作者：黄旸; 邓世桂; 郭伟玲; 孙捷 刊期：2016年第09期
采用传统电化学鼓泡法转移的石墨烯破洞和褶皱较多。提出了一种改进型电化学鼓泡法转移大面积化学气相沉积石墨烯的技术。转移过程中,利用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）框和薄片在石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）支撑层的上方形成了一个密闭空腔。此空腔阻挡了水和H＋离子对PMMA的直接透过,从而不会在石墨烯的上下表面产生H2气泡,致使石墨烯产...
作者：刘冰杰; 顾杰斌; 杨恒 刊期：2016年第09期
硅通孔互连（TSV）技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV通孔及盲孔的填充。使用扫描电子显微镜（SEM）分别对直径为120μm、深度为420μm的通孔和直径为90μm、深度为35...
作者：冯洋; 虞致国; 孙益洲; 顾晓峰 刊期：2016年第09期
利用自动测试设备进行集成电路功能诊断验证时,由于激励生成费时、调试繁琐、测试成本高,严重影响了集成电路验证效率及应用的推广。针对此问题,设计了一种基于图形用户界面（GUI）和面向仪器系统的PCI扩展（PXI）总线的集成电路功能验证平台。建立了一种快速的验证激励生成机制,并利用Lab VIEW开发了GUI;进一步利用GUI控制PXI系统进行激励的发...
作者：崔克楠; 张志鹏; 朱彤; 唐普英; 刘爽 刊期：2016年第09期
针对小功率LED失效时间预测需要大量失效数据、预测成本较高的情况,从工程实践的实际需求出发,提出了基于改进蛙跳算法（ISFLA）优化支持向量机（SVM）的小功率LED寿命预测模型。SVM使用径向基核函数（RBF）,以小功率LED的可靠度作为SVM输入,失效时间作为输出。为了减小蛙跳算法的计算成本,现引入进化阶段指标T加快收敛速度,并利用ISFLA优化核函...
作者：刘建明 刊期：2016年第09期
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的In Ga N/Ga N多量子阱（MQW）结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中复合发光时,深能级作为非辐射复合中心降低发光二极管（LED）内量子效率。通过稳态光电容（SSPC）和光电容（LCV）的测量方法,对比了在垒中掺杂Si和垒中没有掺杂样品的量子阱区域不同位置的深能级浓度和能...
