杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：金林; 王菲菲 刊期：2016年第07期
基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管（SOI FinFET）和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的抗总剂量能力随着鳍宽的变化呈现相反的趋势。SOI FinFET的阈值电压漂移和亚阈值摆幅的退化随着鳍宽减小而减...
作者：李晋; 齐贺飞; 王硕; 蒋永红; 赵瑞华 刊期：2016年第07期
设计了一款工作频率可达18 GHz的低噪声整数频率合成芯片。该芯片内部集成参考分频器、频率鉴相电路、电荷泵电路、射频分频器等。对影响锁相环带内相位噪声的两个关键电路（鉴频鉴相器和电荷泵电路）进行了详细分析。对射频分频器电路也进行了详细的讨论。用Si Ge Bi CMOS工艺进行了流片,芯片面积为2 100μm×1 900μm。测试结果表明,芯片在（3.3±...
作者：程远垚; 蒋品群; 宋树祥 刊期：2016年第07期
低噪声放大器（LNA）是无线通信系统的重要组成部分。采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺,设计了一款能够满足LTE和802.11 b/g/e等多种无线通信应用标准的2~5 GHz的宽带CMOS LNA。为了实现宽带输入匹配与足够大的宽带功率增益,并在有限的功耗下获得较低的噪声系数,设计的LNA使用了两级电阻反馈、电流复用结构和噪声消除技术。后仿...
作者：张滨; 李富强; 杨柳; 魏洪涛; 方园 刊期：2016年第07期
采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm...
作者：李新霞; 杨楠; 王磊 刊期：2016年第07期
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切换。其中放大器采用的是宽带分布式低噪声放大器,开关控制电路的控制电平为0V和-5V。测试结果表明,该款放大器在...
作者：陈文锁; 张培建; 钟怡 刊期：2016年第07期
提出一种利用浅槽隔离（STI）技术的超薄顶硅层绝缘体上硅（SOI）基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）,简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p＋埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技...
作者：谷文萍; 张进成; 张林; 徐小波; 刘盼芝 刊期：2016年第07期
由于综合性能优势,GaN基功率器件更适合于卫星电子系统等空间设备中射频功率放大模块的发展需求。因此,GaN基器件及材料的辐照效应研究显得尤为重要。通过对GaN基材料和器件进行质子辐照研究,可以发现,低注量辐照增加了GaN材料的载流子浓度和迁移率,降低了材料的串联电阻。此外,辐照增加了GaN的张应力,引起了材料表面形貌恶化,而对位错密度影响...
作者：孟煜晗; 何庆国 刊期：2016年第07期
基于异质结双极晶体管（HBT）优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参...
作者：商庆杰; 王敬松; 高渊; 么锦强; 张力江 刊期：2016年第07期
通过对感应耦合等离子体（ICP）设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速...
作者：顾俊; 吴渊渊; 杨文献; 陆书龙; 罗向东 刊期：2016年第07期
采用等离子体辅助的分子束外延（MBE）方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度（BEP）对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱（CL）对制备的InAlN...
作者：王晶晶; 江瑶瑶; 黎燕; 莫德清; 朱义年; 钟福新 刊期：2016年第07期
以硫酸铜、乳酸和乙二胺四乙酸二钠（Na2EDTA）为反应体系,采用电化学沉积法制备棒状纳米氧化亚铜（Cu2O）薄膜,探讨了Na2EDTA和十二烷基苯磺酸钠（SDBS）用量、p H值、沉积电压和沉积时间对棒状纳米Cu2O开路电压的影响。结果表明,当沉积液中含有30 m L的0.1 mol/L CuSO4溶液、10 m L的3 mol/L乳酸溶液、3 m L的0.2 mol/L Na2EDTA和4 m L的0.1 m...
作者：张彩珍; 陈永刚; 刘肃; 王永顺 刊期：2016年第07期
利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜（SEM）图像和X射线衍射（XRD）图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在...
作者：米多斌; 王绍东; 倪涛 刊期：2016年第07期
介绍了一种利用计算流体动力学分析软件和有限元法多物理场分析软件对功率微波单片集成电路（MMIC）封装进行电热及热力特性数值模拟的方法。首先对功率MMIC封装的热传导路径及等效热模型进行了简化分析,基于简化模型对影响热分布和热传导的因素进行分析,并提取其材料和结构参数,建立功率MMIC封装的热模型,并对一款S波段5 W功率放大器MMIC封装进...
作者：罗光明; 陈彦翔 刊期：2016年第07期
如今使用晶体管图示仪对半导体三极管放大倍数进行测试的原始方案已经逐步淘汰,取而代之的是自动化较高的各种分立器件测试系统。阐述了影响测量放大倍数的因素和相关的解决方案。介绍了一种用于分立器件测试系统中的半导体三极管放大倍数脉冲测试方法,即软件调控方法。该方法是在普通的软件闭环方法的基础上引进了脉冲方案,采用了CPU控制的脉冲...
