杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：卢东旭 高博 吴洁 田国平 刊期：2014年第12期
从频率合成器的构成和噪声模型入手，分析了主要单元电路对噪声的贡献，进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子，建立了不同模块的噪声模型，并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路，从而提高了频率合成器的噪声性能。根据上述方法，采用0．18μm射频CMOS工艺设计实现了一款低功耗、低噪声的频率合成器，经测...
作者：王文军 马琳 刊期：2014年第12期
设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片，通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定。芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性，并且避免了这些变化导致的放大器RF性能的退化。测试结果表明，它提供的漏压范围为4～12V；漏电流范围为20～200mA；漏电流随数字电源的变化率为0．79％、随温度的变化率...
作者：范越 陈少昌 尹明 刊期：2014年第12期
芯片长距离互连时，通过传统的插入缓冲器方法减小延迟存在功耗大、占用芯片面积多等问题。针对这些问题，提出了一种电流模互连电路。这一电路在互连线上传输的信号电压摆幅很小，从而能够有效降低互连功耗、减小信号延迟。通过综合使用强、弱两个驱动器作为信号发送器，进一步减小了信号延迟。对于10mm的片上互连线，延迟为649ps，功耗为498μw...
作者：李蕊 胡冬青 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静 刊期：2014年第12期
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研究，结果表明：N1区和N2区浓度分别约为2．2×10^16cm^-3和4．5×10^15cm。时，电场分布更加均匀、耐压更高，且...
作者：苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 刊期：2014年第12期
载流子存储层（CSL）可以改善IGBT导通态载流子分布，降低通态电压，但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响，在器件n^-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了P型埋层（pBL），利用电荷平衡的理念改善电场分布，并借助ISE—TACD仿真工具，依托内透明集电极（ITC）技术，研究了600V槽栅CSL-pBL—ITC—IGBT电特性。为了保证器...
作者：王丽 谭鑫 吕元杰 刊期：2014年第12期
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅（SiN）的A1GaN／GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMTs）。采用高电子浓度的A1GaN／GaN异质结材料、90nmT型栅、100nmSiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4V时器件的最大漏源饱和电流密度为1．72A／mm，最大跨导为305mS／mm，此结果为国内报道的A1GaN／GaNHEMT器件最大漏...
作者：田雷 尹延昭 苗欣 吴佐飞 刊期：2014年第12期
研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成；采用绝缘层上硅（S01）材料取消了敏感电阻之间的pn结，有效减小了漏电，提高了传感器的稳定性；用多层复合电极替代传统的铝电极，并应用高掺杂点电极技术，提高了传感器使用温度。封装时，将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合；在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔，将芯片电极和...
作者：张红岩 刘云青 宁敏 高玉强 李永峰 王希杰 宗艳民 刊期：2014年第12期
采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀。观察发现，对于同一类型缺陷，低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1～2倍，证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低。通过显微镜观察腐蚀后的衬底，对六边形的螺位错（TSD）、近圆形的刃位错（TED）和贝壳形的基平面位错（BPD）腐蚀坑进行了分析。对比了TSD与微管腐蚀坑形...
作者：皮朝阳 张敬维 文宸宇 吴东平 刊期：2014年第12期
实验制备的柔性压电纳米发电机用旋涂得到的PVDF-TrFE薄膜作为有源层来实现机电转换。纳米发电机的有源层PVDF．TrFE薄膜在外加电场和温度场下被极化。在极化过程中，PVDF．TrFE薄膜的部分顺电相（d相）转变成铁电相或压电相（B相）。纳米发电机上下电极间的电压分布经过Comsol Multiphysics的数值分析，发现其垂直于PVDF-TrFE薄膜方向。纳米发...
刊期：2014年第12期
2014年10月28日，第十二届中国国际半导体博览会暨高峰论坛（ICChina2014）在上海新国际博览中心隆重开幕。ICChina2014以“应用驱动、快速发展”为主题。高通、联发科、海思、展讯等国内外知名公司参展，提升了本届展示对于产业发展的说服力。物联传感、智慧城市、汽车电子、医疗电子、可穿戴电子、移动终端等新兴产业都成为了展会现场的亮点和...
作者：韩菲 李健 刊期：2014年第12期
用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO，ZnO和SnO：薄膜，研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示：适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性，使薄膜表面的致密性变好。CdO，ZnO和SnO：薄膜的最佳掺Dy原子数分数为5％，5％和3％。掺Dy后CdO，ZnO和SnO，薄膜的导电类型均为n型，电阻值降低约一个数量...
作者：史卫朝 刊期：2014年第12期
基于散热器载覆芯片（COHS）封装光源的模块为研究对象，建立了有限元模型，以有限元分析软件FloEFD和测温实验为平台，模拟分析了光源模块从启动到稳定工作过程中的温度分布，并对实际光源模块的几个特征点进行了温度测试。结果表明除了在散热器边沿测试点的模拟计算结果与实测结果之间有所偏差外，其他特征点的结果吻合很好，模拟分析的方法及...
作者：李茂林 杨秉君 清水三郎 横尾秀和 塚越和也 小室健司 刊期：2014年第12期
针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC...
