杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：宋登元 郑小强 刊期：2013年第11期
摘要：高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90％的份额，已经成为光伏行业的主流技术，单晶硅太阳电池实验室最高效率已经达到25％，其技术研发水平和规模化生产能力直接决定着光伏发电平价上网的速度。论述了太阳电池效率的损失机制和提高太阳...
作者：甄建宇 陈娜 赵瑞华 王凯 韩玉鹏 刊期：2013年第11期
分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明，6bit数控移相器在工作...
刊期：2013年第11期
2013年10月15日，全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布该公司成为第一家提供DTS@NeuralSurround@支持的IPDSP供应商。结合CadenceTensilicaHiFiAudio／VoiceDSP，DTS Neural Surround为汽车和音视频接收器带来家庭影院般的体验，大幅改善了MP3等压缩媒体类型的上混频音质．
作者：白晓洁 王永顺 赵海亮 刊期：2013年第11期
摘要：针对光电式烟雾探测器的特殊性，设计了一种LED的驱动电路，该驱动电路能为光电式烟雾探测器的光源提供所需要的驱动电压，且驱动电压基本与电源无关。基于负载的特殊要求，电路需要具有较强的驱动能力。室温下，电源电压9V时，电路能为负载提供6mA的驱动电流。为了抵消与绝对温度成正比的电流的正温度系数，加入了负温度系数补偿电路。此...
作者：李颖 梁庭 林斯佳 喻兰芳 崔海波 刊期：2013年第11期
摘要：设计了一种无线无源电容压力传感器。传感器采用MEMS工艺由硅-玻璃浆料-硅键合而成，独特的三层结构设计用以实现高温环境下的测量。应用有限元分析软件对传感器结构进行了仿真分析，并详细介绍了其加工工艺；引进了一种新型的非接触无源测量技术，用于检测传感器压敏电容极板间距的变化。测试结果表明，传感器可以实现外界压力信号与谐振...
作者：付三丽 杨维明 黄恒一 郭伟玲 陈建新 刊期：2013年第11期
摘要：选择两个不同厂家生产的1WGaN基LED芯片分为两组，一组为未经处理的蓝光芯片，另一组实验样品为涂敷相同荧光粉的白光芯片，两组实验样品均使用透明硅胶封装。对LED进行5～75℃范围内变温光学特性测试，设置的测试电流是350mA。测试结果表明：随着温度升高，蓝光LED主波长不受温度影响，白光LED的相关色温升高；蓝光LED光通量在一定温度范...
作者：李玉茹 黄清芳 李晓岚 邵会民 史艳磊 孙聂枫 刊期：2013年第11期
摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长出直径80～110mm、长62～112mm的3～4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析，认...
作者：王建军 周星 高珊 陈军宁 刊期：2013年第11期
摘要：基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算，阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺陷稳定性的影响。另外通过配置双Ti之间氧空位数量及其价态来研究电子局域函数及Ti离子的部分态密度（PDOS），模拟计算结果说明了既存氧空位及其所带电荷对rri离子的影响，并且揭示了掺杂的Ti离子对于氧空位...
作者：侯景芬 潘志峰 姚宁 魏英耐 王巍 刊期：2013年第11期
摘要：通过两步法在普通栽玻片上成功制备了具有六角纤锌矿结构且沿（002）衍射峰c轴择优取向生长的铕掺杂氧化锌（ZnO：Eu3＋）薄膜。首先利用CS-300直流磁控溅射镀膜机在载玻片上制备ZnO种子层，然后利用水热法在ZnO种子层上生长ZnO：Eu3＋薄膜。利用x射线衍射（XRD）谱分析表明，Eu3＋掺杂使薄膜的结晶度降低，平均晶粒尺寸变小，且（002）衍...
刊期：2013年第11期
2013年10月18日，拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司宣布，推出其时钟器件的第三代通用频率转换器（UFT）系列，用于高性能光纤网络、无线基站和100Gbit以太网（GbE）接口应用。新的UFT器件是业内唯一能够生成8个不同的输出频率、且在标准的12kHz～20MHz集成范围内拥有不到300fsRMS相位抖动的单芯...
作者：刘战辉 张李骊 李庆芳 修向前 张荣 谢自力 刊期：2013年第11期
摘要：系统研究了HCl的载气、NH，的载气、总N，载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在C面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响，并利用高分辨X射线衍射技术，喇曼光谱和光致发光谱对生长的外延膜进行表征。结构表征发现，优化的N，载气流量、镓源反应温度和外延生长温度生长得到的GaN膜具有优良的晶体质量和光电特性。...
作者：柳建平 雷青松 杨瑞霞 鞠洪超 薛俊明 刊期：2013年第11期
摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，以H：O和二乙基锌（Zn（CH2）2）为反应源，硼烷（B2H6，氢气稀释为1％）为掺杂气体，在面积为23cm×23em的普通玻璃衬底上生长ZnO：B薄膜，分析各工艺参数对薄膜光电特性的影响。结果表明：衬底温度对ZnO：B薄膜的透过率影响显著，其次是反应压力，B：H。掺杂量对透过率影响较小，但是对电...
作者：刘东月 茹志芹 聂丛伟 刊期：2013年第11期
摘要：由于发光二极管（LED）属于半导体器件，其参数退化服从对数正态分布。基于对数正态分布的数值分析法，研究了LED的光通维持寿命，通过以温度为应力的恒定压力加速寿命试验，并以LED器件的光通维持率作为失效判据，对LED器件加速寿命试验数据进行了分析处理。采用定数截尾的加速寿命试验方法，基于对数正态分布的基本假设，通过对对数正态...
作者：保爱林 傅兴中 徐泓 刊期：2013年第11期
摘要：整流器件在高温下的漏电流（HTIR）对其工作中的可靠性有重要影响。目前对整流二极管HTIR的测试只限于稳态测试。由于其测试效率低下，不适于制造过程中的快速筛选。利用电流脉冲对整流二极管的pn结瞬态加热并在其后进行快速测试的方法，进行了瞬态HTIR筛选测试实验。与稳态测试进行了对比，结果表明：当瞬态HTIR测试值作为筛选条件确定后...
刊期：2013年第11期
2013年10月10日．Maxim Integrated Products，Inc．推出结构紧凑的MAX78700／MAX78615＋LMU隔离电能测量芯片组，带有预先装载的固件，使设计人员无需在测量子系统中使用大电流传感器、光耦或额外的电源，即可测量任意一相的交流或直流用电情况。
