杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：李国强 管云芳 高芳亮 刊期：2013年第10期
通过对比蓝宝石（A1203），SiC，Si，ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2，MgAl204和LaAIO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点，指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势；针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题，提出了相应的解决方法，进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上，详细介绍了在三种氧化物衬底上...
作者：王莉 王庆禄 王志刚 刊期：2013年第10期
在半导体量子阱器件中，激子发光占有非常重要的地位。阐述了半导体材料中激子扩散动力学研究进展。首先在介绍半导体量子阱中激子的新奇发光现象——双发光环的基础上，阐明了双环图案形成的物理机制；其次介绍了量子阱中偶极激子扩散的特点与物理机制，总结了静电陷阱和应力陷阱中的激子非线性扩散动力学的理论与实验研究成果，然后对有机物半...
作者：张惠惠 胡冬青 吴郁 贾云鹏 周新田 穆辛 刊期：2013年第10期
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管（ITC-IGBT）制造难度高的问题，基于内透明集电极（ITC）技术，将点注入局部窄台面（PNM）槽栅结构应用于IGBT中，提出一种600V新型槽栅内透明集电极IGBT。采用仿真工具ISE-TCAD，对PNM．ITC．IGBT的导通特性、开关特性、短路特性等进行仿真，重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对内载流子寿命的影响，...
作者：陈蕊 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 高娇娇 何彦刚 刊期：2013年第10期
阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率，而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分，其作用至关重要，研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液。采用在300mm多层铜布线上进行阻挡层平坦化实验，用抛光后各测试参数与国际通用酸性阻挡层抛光液进行对比的方法进行研究。结果表明碱性阻挡层抛光液抛光后，...
作者：周星 王建军 高珊 陈军宁 刊期：2013年第10期
阻变式随机存储器（RRAM）是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料，选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量。Al（富余）掺杂下，氧空位之间的相互作用能成负值，相互吸引抱团形成导电细丝，阻变特性明显改善，氧空位主导细丝形成。这与相关的实验结果是一致的...
刊期：2013年第10期
2013年8月13日，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将向全球首个采用补充访问控制（SAC）协议的电子护照项目提供安全芯片。SAC协议旨在加强保护，以防止个人资料被非法窃取和可能的滥用。科索沃共和国签发的电子护照采用了具备“IntegrityGuard”整合防护特性的英飞凌SLE78家族安全芯片，该特性能够长期提供最高级别的数据安全，
作者：肖涛 邓生平 范焕新 刊期：2013年第10期
采用浸渍法制备了zn掺杂的TiO2纳米管，采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射图谱（XRD）和紫外一可见光谱（uV—Vis）等对TiO2纳米管薄膜的结构与性能进行了表征，研究了zn“浓度、浸渍时间、循环次数等因素对TiO，纳米管薄膜结构、形貌与光催化性能的影响。结果表明，TiO2纳米管薄膜的光吸收随着浸渍Zn（NO3）2溶液浓度的升高先增强后减弱，...
作者：庞诚 王志 于大全 刊期：2013年第10期
硅通孔（TSV）结构是2．5D／3D系统级封装（SiP）的关键电学互连单元，对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论，对TSV结构进行了电气描述，提取结构中集总参数元件，并针对这些集总参数元件进行组合，得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行Js参数仿真，作为比较，建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法...
作者：李松 曾传滨 罗家俊 韩郑生 刊期：2013年第10期
为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题，提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电（ESD）防护能力的仿真方法，用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻，辅助ESD防护设计，预估器件静电防护等级。详细介绍了仿真方法的原理和流程，以0．18μmSOICMOS工艺制造的静态随机存储器电路为仿真和实验...
作者：钟强华 秋艳鹏 王立 刊期：2013年第10期
6T静态随机存储器（SRAM）在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发。随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100nm线宽以下，SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造技术的难度，新的布局引入了共享接触孔（sharedCT）的新结构，同时也带来了新的失效机制。系统地分析了共享接触孔带来的失效问题，并采用电性分析和传统失...
刊期：2013年第10期
2013年9月1013，为了进一步缩短半导体和系统制造商的产品上市时间，全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司推出PalladiumXP Ⅱ验证计算平台，它作为系统开发增强套件的一部分，可显著加快硬件和软件联合验证的时间。PalladiumXPⅡ平台是屡获殊荣的PalladiumXP仿真系统的更新产品，最多可以将验证性能再提高50％，更将其业界领先的容量扩...
作者：吴峰霞 申俊亮 蔡斌 刊期：2013年第10期
对静电放电（ESD）测试所得到的失效样品进行了物理失效分析，采用塑封体背面研磨、光发射显微镜（EMMI）从背面抓取热点的方法进行异常现象定位，通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷，定位发生ESD失效的具体位置，进一步研究ESD失效机理。结果表明：0．13μm硅工艺Ic产品芯片ESD失效可发生在任一输入／输出（I／O）管脚与地／...
刊期：2013年第10期
2013年9月13日，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体首次了重要的新开发工具和嵌人式软件组成的强大的STM32F4开发生态系统，同时还宣布2013年初推出的STM32F4新微控制器已投入量产。
作者：张雯澍 谢安 李世玮 刊期：2013年第10期
基于具体案例分析，介绍了超声波无损检测技术在半导体工艺中的应用。采用回声法和穿透法检测了封装体件内部塑封界面的裂纹、封装体底部填充胶的孔洞以及硅通孔的成型质量。通过声波成像原理和实例分析的比对结果表明，穿透法适合快速判断封装体是否发生失效，而回声法则适合逐层检测缺陷的位置。对于某些封装体内部深层次的缺陷，需要对比回声...
刊期：2013年第10期
2013年8月29日，国内领先的IC设计公司和方案提供商北京时代民芯科技有限公司在京启动了第四届电子设计大赛，同期举办了第三届电子设计大赛的颁奖庆典。来自工业和信息化部、北京市经信委、航天科技集团公司、航天时代电子技术股份有限公司、中国半导体行业协会、国际半导体设备材料产业协会、中国卫星导航定位协会、中国电子仪器行业协会的领...
