杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：邓文娟 邹继军 刘树博 王嵩 陈坚 陈培根 刊期：2012年第10期
为产生一个与视频信号中的行同步信号严格同步的时钟信号,设计了一种数模混合结构的电荷泵锁相环（PLL）电路。通过对锁相环电路中鉴频鉴相器、电荷泵电路、振荡器电路设计适当改进,实现了性能稳定的时钟信号。采用中芯国际公司的0.35μm 2P4M双层多晶硅四层金属3.3 V标准CMOS工艺,使用Simulink软件进行了系统级仿真、Spectre软件进行了电路级仿...
作者：王龙杰 胡越黎 刘廷尧 虞超 刊期：2012年第10期
MV12片上系统采用特许半导体0.35μm、2层多晶硅4层金属（2P4M）混合信号工艺,工作电压3.3 V,包含1个MV11控制器内核和2个MV10控制器内核,采用多核异构系统架构,整个系统由高级微控制器总线架构相连。提出一种采用中断实现片上系统（SoC）多核间通信的解决方法,给出了一个挂载在高级外围总线（APB）上的具有控制多核中断功能的中断控制模块,该模...
作者：黄静 唐路 陈庆 施敏 刊期：2012年第10期
基于传统带隙基准源的电路结构,采用电平移位的折叠共源共栅输入级和甲乙类互补推挽共源输出级改进了其运算放大器的性能,并结合一阶温度补偿、电流负反馈技术设计了一款低温度系数、高电源电压抑制比（PSRR）的低压基准电压源。利用华润上华公司的CSMC 0.35μm标准CMOS工艺对电路进行了Hspice仿真,该带隙基准源电路的电源工作范围为1.5～2.3 V,...
作者：付兴昌 默江辉 李亮 李佳 冯志红 蔡树军 杨克武 刊期：2012年第10期
优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片。优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗,提高了器件增益。设计并优化了3 dB电桥输入及输出匹配电路,保证了器件最大功率输出及工作稳定性。最终采用管壳内四胞合成及外电路3 dB电桥合成的方法,突破了S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术,实现了器件脉冲输...
作者：尹康达 王胜利 刘玉岭 王辰伟 岳红维 郑伟艳 刊期：2012年第10期
随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化（CMP）过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究...
作者：李可为 刊期：2012年第10期
利用微波-电子回旋共振等离子（ECR）增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe（C）薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪（RHEED）、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析。结果表明,用单靶制备Si（C）薄膜,在衬底温度为450℃时会...
作者：吴海 刊期：2012年第10期
通过介绍热壁LPCVD的TEOS工艺淀积SiO2薄膜的原理,分析了在淀积薄膜的过程中经常遇到的薄膜均匀性等方面的问题。重点分析了硅片中心与石英管轴心所处的相对位置对片内薄膜均匀性的影响关系、石英舟的位置以及恒温区的温度控制对片间均匀性的影响关系,并详细地分析、给出了具体的调整方法。对于该工艺炉管在实际的使用过程中经常遇到的一些故障...
作者：邱翔 王珺 刊期：2012年第10期
封装堆叠（POP）装配前可对单个器件先进行测试,保证了更高的良品率,但具有更复杂的整体结构。采用有限元法,考虑了POP封装表面自然热对流条件,对实际的POP器件在工作情况下进行热传分析,并通过实验验证了计算结果的准确性。基于该计算模型,研究了POP芯片功率与顶层和底层封装最高温度差值之间的关系,并提出了POP热管理的策略。此外,进行了参数...
作者：李勤建 高翠琢 边国辉 刊期：2012年第10期
论述了用ANSYS有限元分析软件对组件进行模态分析和随机振动分析的方法。通过模态分析确定了部件的振动特性即固有频率和振型,它是其他动力分析如频谱分析的起点。通过随机振动分析确定了结构随机振动载荷的结构响应,通过随机振动分析得到结构的3σ定向变形、3σ定向加速度响应、3σ等效应力参数。根据振动响应中的最大应力计算结构的安全裕度,验证...
作者：高红霞 褚夫国 万燕英 刘骏 刊期：2012年第10期
目前,X射线检测技术广泛应用于元器件的缺陷检测。但X光图像低灰度、低对比度的特点以及气泡形状的任意性,使得X光图像检测提取气泡并确定其位置成为元器件检测中的一个难题。元器件气泡的检测质量直接影响到元器件检测的速度以及准确性。通过对现有图像问题的分析,提出一种快速提取气泡的方法。该方法首先对X射线图像进行高斯滤波、对比度拉伸...
作者：王帅 李科 丛密芳 杜寰 韩郑生 刊期：2012年第10期
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线（TRL）低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且...
刊期：2012年第10期
太阳能光伏、风力发电、节能灯具、电动汽车、混合动力汽车、汽车电子、三网合一、宇航设备等新兴行业的快速发展,给电容市场带来了新的成长空间。
