杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：刘玉岭 高宝红 刘效岩 刊期：2010年第09期
提出了一种新型抛光后的清洗方法,采用掺硼金刚石膜作阳极的电化学方法制备出氧化液,用其去除表面有机污染物,同时配合使用非离子表面活性剂去除表面固体颗粒。用金刚石膜电化学制备出氧化液,克服了单纯电化学氧化生成的强氧化性羟基自由基不稳定和寿命短等缺点,实现氧化能力持久保持。表面活性剂能有效地去除表面颗粒,清洗后Si片上会有残留物,...
作者：毕津顺 韩郑生 海潮和 刊期：2010年第09期
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si（PDSOI）动态阈值晶体管（DTMOS）体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积（体延迟）随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电...
作者：杨海东 李世国 陈朋 高山 徐承福 龚谦 刊期：2010年第09期
利用气源分子束外延（GSMBE）技术,在InP（100）衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器...
作者：张明兰 王晓亮 杨瑞霞 胡国新 刊期：2010年第09期
用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响。模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度（LFP,length of field plate）、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大。随着LFP的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值Epeak1明显下降,对提高...
作者：沈海波 郭亨群 徐骏 陈坤基 王启明 刊期：2010年第09期
采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光（PL）谱,观察到Er3＋在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3＋的发光。研究了退火温度和时间对SiOx∶Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的...
作者：边娜 檀柏梅 刘玉岭 牛新环 刘金玉 刊期：2010年第09期
论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。
作者：韩建栋 李伟 梁淑燕 刘红兵 刊期：2010年第09期
对2A12型Al盒体材料湿热试验后出现的一种腐蚀现象进行了观察和分析。采用X射线光电子能谱分析（XPS）的方法,对发生腐蚀的材料进行了成分分析,并进行了多种不同型号Al材料的比较试验。通过实验和分析,基本确认了腐蚀的产生是由电化学反应引起的,并指出了此腐蚀现象是由三防漆脱落造成Al表面和湿热环境直接接触引起的。增加Al盒体材料上的三防漆...
作者：秦刚 何凤英 郭光华 刊期：2010年第09期
AAO模板是制备纳米材料常用的模板,然而由于阻挡层的存在,制约了其在很多方面的应用。介绍了在不剥离基体的前提下,采用阶梯降压法和反向电压法在原位除去阻挡层,制备通孔的模板。利用场发射扫描电镜对其形貌进行了表征,分析了这两种方法在原位去除阻挡层的原理,讨论了其工艺条件对制备通孔模板的影响,并对其结果进行了比较。结果表明：阶梯降压...
作者：毕向东 谢鑫鹏 胡俊 李国元 刊期：2010年第09期
Al丝超声引线键合工艺被广泛地应用在大功率器件封装中,以实现大功率芯片与引线框架之间的电互连。Al丝引线键合的质量严重影响功率器件的整体封装水平,对其工艺参数的优化具有重要工业应用意义。利用正交实验设计方法,对Al丝引线键合工艺中的三个最重要影响因数（超声功率P/DAC、键合时间t/ms、键合压力F/g）进行了正交实验设计,实验表明拉力优...
作者：陈曜 刊期：2010年第09期
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）及高温退火工艺制备了富硅氧化硅（SRSO）薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光（PL）效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻（EBL）及电感耦合反应离子刻蚀（ICP）技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构。为防止Si衬底的光吸收,在反应离子刻蚀（RIE）系...
作者：文尚胜 王保争 张剑平 桂宇畅 赵宝锋 刊期：2010年第09期
设计了一种新颖的制备聚合物光电薄膜的旋涂装置。该设计在传统旋涂装置的基础了,通过增加聚合物溶液载台转盘法向进动功能,改进了聚合物溶液成膜质地疏松、致密度不高问题,减少了成膜过程中产业气泡等缺陷的几率。通过增加聚合物溶液载台转盘径向变轴功能,改善了聚合物薄膜径向厚度的均匀性,从而可以借助于旋涂法制备更大尺寸的薄膜器件。理论...
作者：周彪 要志宏 刊期：2010年第09期
检波器是影响辐射计线性特性的核心器件。在分析了改变检波器平方律区间几种方法的基础上,利用谐波平衡法设计了一种中心频率24 GHz、带宽为1 GHz的混合集成高线性检波器,并基于最小二乘法理论给出了高线性检波器线性度的算法;利用EXCEL对此算法进行了编程以便计算测试结果;分析了测试过程中影响测试精度的几个关键部分对测试结果的影响。测试结...
作者：张佶 金钢 吴雨欣 林殷茵 刊期：2010年第09期
随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非（NAND）型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1T64R结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高500%。提出了相关的读写操作方法...
作者：苏长远 陈向东 陈小培 刊期：2010年第09期
采用TSMC0.35μm工艺参数,基于多输出端第二代电流传输器（MOCCⅡ）提出了一种新型CCⅢ电路,电路采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;通过电路内部晶体管提供偏置,达到了减少芯片面积和降低功耗的目的。HSPICE仿真结果表明,在±1 V供电电压下,该CCⅢ的电压跟随误差为0.06 dB,-3 dB带宽为434.3 MHz;端口Y与X之间的电流跟随误差为0.06 dB,-3...
作者：冯华星 李晓江 刊期：2010年第09期
随着设计复杂度的提高,当前SOC系统的集成能力空前提高,SOC的设计面临巨大的挑战。针对多时钟域之间的亚稳态现象,分析了亚稳态产生的原因,介绍了几种同步器的工作原理,比较了各自的优缺点,在此基础上提出了一种改进的共享锁存器同步器。并采用该同步器实现了基于FPGA的GPS基带验证系统中的异步接口设计。验证结果表明,该方法成功实现了不同时钟...
