杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：王淑珍 乔琦 陈肖静 王永谦 朱拓 张光春 施正荣 李果华 刊期：2010年第04期
研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响，采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗糙度和少子寿命。研究发现，使用浓硫酸、双氧水混合液和稀释的氢氟酸溶液清洗Si片能够有效改善Si片表面的质量，Si片表面的微粗糙度由原先的5．96μ降低到4．45μm；采用等离子体增强化学气相沉积法在清洗之后的Si片...
作者：王香泉 洪颖 章安辉 冯玢 郝建民 严如岳 刊期：2010年第04期
在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺VSiC晶片时，发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮，后生长部分较暗淡，中间存在明显突变。在用PVT生长掺VSiC单晶时，SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发，建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系，很好解释了这一实验现象。结果表明，SiC...
作者：吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 刊期：2010年第04期
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构，以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构，参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法，对沟道电荷利用泊松方程表述，并结合能带电压关系，建立HEMT器件中表面势（Фs）对于栅压（VGS）的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程，模型...
作者：季涛 杨利成 刊期：2010年第04期
运用漂移-扩散模型，对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明，表面型静电感应晶闸管（SITH）具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性，而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多，阴极和栅极之间的电容更小，从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型S1TH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地...
作者：刘新 杨克武 吴洪江 刊期：2010年第04期
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管（HEMT）的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数，获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络，利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本，利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据。模型中的非线性元件在...
作者：马红梅 刘忠山 杨勇 刘英坤 崔占东 刊期：2010年第04期
介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件，阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术，单个器件反向工作峰值电压大于2kV，电流切断时间小于800ps，脉冲峰值功率可达80kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性...
作者：杨红伟 黄科 陈宏泰 彭海涛 王媛媛 徐会武 刊期：2010年第04期
采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs／AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计，利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸（75mm）激光器外延片，进而设计制作了976nm大功率低热阻连续激光器芯片。采用以及高热导率的无氧铜材料设计制作了大功率微通道热沉，采用In焊料芯片倒装烧结工艺，制作了976nm连续激光器阵列单条。在20℃水冷条件下，输入电流1...
作者：石霞 孙俊峰 顾晓春 刊期：2010年第04期
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下，淀积PECVD SiO2和LPCVD Si3N4膜的介电强度E、介电常数εr、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO2／L...
作者：陈少军 李以贵 刊期：2010年第04期
LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术，但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题，在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜，这样既能够很快得到雏形，同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法，得出了准分子激光制作的掩膜...
作者：尹匀丰 汪辉 刊期：2010年第04期
将空气引入Cu导线间形成空气隙，可有效降低等效介电常数Keff，但同时也使互连结构的机械稳定性面临着挑战。利用ANSYS进行了有限元热分析，研究了制备空气隙Cu互连结构的两种主流工艺过程，即CVD沉积法和热分解牺牲层法，模拟了Cu导线上的热应力变化趋势，并比较了两者的优劣，最终发现互连结构经过一系列热应力的循环作用后，各种材料在不同程...
作者：黄康 李海华 王庆康 刊期：2010年第04期
压印光刻在图形转移之后，需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明，随着气压或气体流量增大，刻蚀速率均会先增加，达到一定值后又开始下降；在刻蚀气体中加入SF6后，会减少钻蚀，但刻蚀速率会有少许下降；而在刻蚀气体中加入少量SF6且压强及流量较大时，各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了...
作者：林健 赵权 刘春香 杨洪星 刊期：2010年第04期
以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多。目前，抛光后Ge单晶片的几何参数，尤其是表面状态常不能满足使用要求。介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术，开展了抛光压力、抛光盘转速与抛光去除速率的关系实验，对影响Ge单晶抛光片几何参数和表面质量的原因进行了分析和实验研究。工艺优化后抛光的产品完全满足了空间高效太阳电...
作者：秦晓静 周建伟 康效武 刊期：2010年第04期
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用，针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论，并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arrivin...
作者：旷仁雄 谢飞 刊期：2010年第04期
通过分析键合工艺参数，为25μmAu丝引线键合的应用提供实验依据。采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究。起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度，其次为压力、超声功率、超声时间、热台温度、劈刀温度。各因素影响力大小为A〉B〉F〉C〉D〉E，较优工艺方案为“A2B2C1D2E1F1”，回归模型为Y=13．124＋0．731A-0．393B-0．057C＋...
作者：王擎雷 周柯 杨斯元 刊期：2010年第04期
热载流子注入（hot carrier injection，HCI）效应和负偏压温度不稳定性（negative bias temperature instability，NBTI）是集成电路中重要的前段器件工艺可靠性测试项目。通过引入工业统计学，详细讨论了在不同工艺制造情况或测试环境下HCI／NBTI效应可靠性差异的比较方法。这些对于HCI／NBTI测试比较方法的总结，有利于合理分析工艺可靠性测...
