杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：唐国庆 刊期：2009年第03期
随着LED流明效率的不断上升，它在照明领域的应用也越来越广泛。其中LED室内照明是增长最快的领域之一。论述了目前国内外室内照明的四大主要发展趋势：节能化、功能多样化、柔性化和环保化。在此基础上，从LED芯片、LED封装到LED灯具等几个方面阐述了适合室内照明发展的LED技术需要提升的几要素。
作者：张颖一 傅岳鹏 谭凯 田民波 刊期：2009年第03期
随着平板显示器大型化、薄型化、高分辨率的发展趋势，对平板显示器封装技术提出了更高的要求。ACF符合电子线路封装精细化、集成化的发展要求，目前已广泛应用于平板显示器（例如LCD）的封装领域。综述了ACF应用于平板显示器封装的主要形式如TCP、COF、COG，分析了各种不同封装形式对ACF提出的不同性能要求，以及为了满足这些要求对ACF中导电粒...
作者：陈岩 郭宏 李秀清 刊期：2009年第03期
到内太阳系执行各种空间探索研究任务离不开高性能的高温传感器与电子元器件；此外，宇航发动机环境也急需耐高温的燃烧／发射控制传感器与电子部件。在高温微器件与系统的开发中，封装技术至关重要。美国在该领域的研究一直处于世界领先水平。介绍了美国高温微系统封装技术的发展现状；以美国宇航局Glenn研究中心等研究机构的研发成果为重点，...
作者：张育胜 刊期：2009年第03期
Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用，现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施，但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法，采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法，取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的...
作者：唐勇 胡安 李平 刊期：2009年第03期
基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理，提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法，该方法针对已有商用器件只需测试端口电气参数而无需破坏性实验，具有易操作、准确性高的特点。最后分析了一般硬开关和附加吸收电路对IGBT关断拖尾电流测试的影响，提出一种新的测试电路并进行了拖尾电流提取实验，同时也验证了该方法的准确性。
作者：许建华 汪辉 刊期：2009年第03期
利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现，Si中诱导应力的主因是键合温度，且诱导应力随Si片厚度降低而减小。同时，晶体管免受区正比于通孔的直径，且PMOS迁移...
作者：郑巍峰 李金华 赵蒙 付学成 刊期：2009年第03期
以氨水、醋酸为催化剂，用正硅酸已酯（TEOS）为Si源，甘油作为防裂剂，聚乙烯醇（PVA1750）作为致缓剂和发泡剂，制作多孔SiO2薄膜。碱催化使得硅-羟基化合物的溶解度增大，并抑制了SiO2的聚合，弱酸的二步催化使硅-羟基化舍物聚合成10—100nm的胶粒。丙三醇和TEOS水解的中间体Si（OC2H5）4-x（OH）x硅羟基形成氢键，抑制了硅．羟基化合物的聚...
作者：刘雄飞 李伯勋 徐根 刊期：2009年第03期
利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备（RF-PECVD）在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜，研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理，研究了薄膜场发射电流的稳定性，通过原子力显微镜，观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明，随着氮含量的升高，薄膜的阈值电场降低，发射电流逐渐升高。退火后，掺氮薄膜达到稳...
作者：戴振清 杨克武 杨瑞霞 刊期：2009年第03期
对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响，与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下，能级分裂的影响很小可忽略不计，其他条件下均需考虑能级分裂因素。随掺杂浓度的增加，能级分裂的影响增强；随温度的升高，能级分裂影响的整体趋势下降，但存在峰值。当杂质能级深度发生变化时，能级分裂...
作者：王翠霞 许维胜 谢福渊 陈炬 吴启迪 刊期：2009年第03期
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值，从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici，研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响，优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象，运用沟道长度调制效应给出了解释。
作者：冯志刚 何波涌 刊期：2009年第03期
利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下，热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段：第一阶段，电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用，使线性区...
作者：杨勇 刘英坤 崔占东 刘忠山 马红梅 陈洪斌 刊期：2009年第03期
介绍了大功率半导体切断开关（SOS）的工作原理和研制结果。面积为0．28cm^2的开关（59只串联）在300Hz连续工作模式中，切断电流为1．9kA，电流切断时间为9．56ns；在1000Hz猝发工作模式中，切断电流为1．73kA，电流切断时间为10．86ns；在负载为470Q的耐压试验中，开关输出的高压窄脉冲的幅值为270kV，宽度约为10ns。
作者：刘博 王磊 冯志刚 王俊 李文军 程秀兰 刊期：2009年第03期
基于0．18gm高压n型DEMOS（drain extended MOS）器件，报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验，结果发现器件电学性能参数（如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流）随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明，这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层，进而改变了器件不同区域...
作者：孙建海 崔大付 张璐璐 刊期：2009年第03期
接触式与电容耦合式两类RFMEMS开关各自在一定的频段内，都具有较高的隔离度，但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求。为了获得全波段高隔离度RFMEMS开关，单元开关很难达到要求，在此目标要求下，提出了组合式RFMEMS开关的设计，分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化，再将两者集成在一起，得到的组合式RFMEMS开关，这种组合式开...
作者：李海霞 毛凌锋 刊期：2009年第03期
随着器件尺寸的进一步减小，由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中闽值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应（QME）的短沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）分析的阈值电压模型，该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知：随着器件尺寸的减小，由量子...
