杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：盛国浩 贾芳 亮 曹培江 吕有明 马晓翠 刊期：2008年第S1期
采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相。MgxZn1-xO合金薄膜的透射谱表明,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的...
作者：斯剑霄 吴惠桢 翁斌斌 何展 蔡春锋 刊期：2008年第S1期
为了提高Ⅳ-Ⅵ族中红外激光器的工作温度,采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明,PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右,工作电流1.6mA。正...
作者：韩春林 薛舫时 高建峰 陈辰 刊期：2008年第S1期
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。
作者：陈高鹏 葛霁 程伟 王显泰 苏永波 金智 刘新宇 刊期：2008年第S1期
介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为...
作者：欧阳思华 武锦 李艳奎 刘新宇 刊期：2008年第S1期
由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HBT)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间的一道屏障。在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍了一种自动化整体评估HBT器件性能的...
作者：葛霁 金智 程伟 苏永波 刘新宇 刊期：2008年第S1期
建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。从HBT电荷方程出发,首先给出了InP DHBT的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间方程,进而得到了扩散电荷方程。最后,建立了一个基于改进的电荷方程的新的InP DHBT大信号模型。新的模型...
作者：刘军 孙玲玲 吴颜明 刊期：2008年第S1期
提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿以及热效应特性,对器件跨...
作者：许坤远 王钢 宋爱民 刊期：2008年第S1期
运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流电压关系曲线在零电压附近具有很强的非线性特性,因此可以把该器件运用于电磁波探测。通过多项式拟合方法获得...
作者：许坤远 王钢 宋爱民 刊期：2008年第S1期
采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性,这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构,还可以获...
作者：陈高鹏 吴旦昱 陈晓娟 刘新宇 李滨 刊期：2008年第S1期
采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离,并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低频振荡和参量振荡,有效提高了功率放大器的稳定性。对直流供电电路进行优化,使电路可以根据不同应用需要灵活调...
作者：袁婷婷 陈晓娟 陈中子 陈高鹏 李滨 刘新宇 刊期：2008年第S1期
实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路为15.75～16.25GHz频段,隔离度大于95dB,插入损耗小于4dB,同时提出了改进两路输出功率不平衡度的方案,对系统结构进行合理优化。最终实现Ku波段开关固态功放模...
作者：陈中子 陈晓娟 姚小江 袁婷婷 刘新宇 李滨 刊期：2008年第S1期
设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4～12GHz功率增益为30±3dB,输出功率大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功...
作者：任殿胜 吴怡 荆学建 刊期：2008年第S1期
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3,二者比例几乎相等。氧化过程可以分为两个不同阶段,...
作者：王娜 王丽华 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 刊期：2008年第S1期
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,...
作者：王元立 刊期：2008年第S1期
研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。实验结果表明,MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光...
