杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：叶立剑 邹勉 杨小慧 刊期：2008年第11期
绝缘栅双极晶体管（IGBT）自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间。
作者：李霞 褚君浩 李陇遐 戴宁 孙璟兰 张福甲 刊期：2008年第11期
简述了CdZnTe材料与探测器的发展、国内外的研究现状及其广泛应用,分析了存在的问题和解决方法,同时介绍了本单位CdZnTe探测器的研发情况,包括探测器的制备工艺及性能测试与分析。制备出了性能优良的阵列像素（3×3）探测器,其^57Co 122 keV光谱能量分辨率为23.7%（28.9 keVFWHM）,^137Cs 662 keV光谱分辨率为17.9%（117.8 keVFWHM）。
作者：张丽娜 韩雷 刊期：2008年第11期
为消除温度在热超声倒装键合过程中芯片与基板对准精度的影响,必须将因键合加热而引起的图像抖动量控制在亚像素范围内。设计了一套实验方案,通过实验对比,发现在未启用吹气装置时图像间的抖动剧烈,明显受温度影响,不能满足对准精度要求。采用二元二次曲面拟合亚像素法计算了启用吹气装置后图像间的平移,发现图像间整像素级的抖动明显消除,亚像...
作者：陆裕东 何小琦 恩云飞 王歆 庄志强 刊期：2008年第11期
采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu（SnAgCu）无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究双面贴装BGA器件的电路板出现互连焊点单面失效问题的原因,单面互连焊点失效主要是由于回流焊热处理工艺引起的。多次热处理过程中,NiSnP层中形成的大量空洞是导致焊点沿（Cu,Ni...
作者：罗智芸 高健 陈新 刊期：2008年第11期
提出了一种基于BP神经网络的新建模方法。利用MATLAB神经网络函数建立网络,通过组合不同参数,将50组训练样本输入网络多次训练,比较结果误差及训练步数、时间,确定了最佳网络结构及参数设置值,建立了引线键合模型。采用训练样本外的10组实验数据对模型进行验证,分析多种误差。验证结果表明,该方法对建立引线键合模型是有效的、可行的,有着较高的...
刊期：2008年第11期
2008年10月21日，全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor），推出具有一流抖动性能的高精确度、低相位噪声、可编程时钟乘法器NB3N3020。这器件在同颗器件上产生低压正射极耦合逻辑（LVPECL）时钟及低压互补金属氧化物半导体（LVCMOS）时钟，
作者：韩文爵 王海风 罗春炼 田海兵 刊期：2008年第11期
利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性。在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕法,测试材料增韧前后的效果。使用XRD测试验证在玻璃封装二极管的工艺温度下能保持t-ZrO2和m-ZrO2晶型应具有的...
作者：曹阳根 李晓林 张恩霞 苗烨麟 舒瑶 吴磊 刊期：2008年第11期
集成电路塑封对产品质量要求很高。传统的塑封模中几百个型腔只有一个注射头,各型腔成型工艺的差异较大,相应产品的合格率大约为96%。分析了相关IC塑封成型工艺,设计制造了一套SOP系列通用的多料筒MGP塑封模,该模具有28个注射头,每个注射头塑封20个（SOP14/16）的产品,大大减小了各型腔之间成型工艺的差距,并且通过更换不同模盒能够通用于SOP系...
作者：宋文斌 毕津顺 韩郑生 刊期：2008年第11期
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且,该结构可以在不增加寄生...
作者：李庆忠 张然 郭东明 刊期：2008年第11期
使用四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性Cu抛光液中进行抛光实验。结果表明,所选用的非离子型表面活性剂对材料去除率的影响不大,当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25%时,抛光表面质量提高,表面粗糙度（Ra）由1.354 nm下降到了0.897 6 nm,同时有效地减轻了Cu抛光表面的划痕和腐蚀,其原因是聚氧乙烯链可以通...
作者：褚金奎 郭庆 孟凡涛 韩志涛 刊期：2008年第11期
基于有限元方法并借助ANSYS软件对热压印过程中二维的聚合物填充过程进行模拟。聚合物加热温度高于剥离转化温度时,采用Mooney-Rivlin模型表示聚合物的机械性能。详细分析了深宽比、凹槽宽度、占空比、摩擦系数对聚合物变形的影响。数值计算结果表明,深宽比对聚合物高度影响显著;凹槽宽度对聚合物形成单、双峰结构影响较大;占空比影响残留比率;...
作者：宁培桓 周建伟 刘玉岭 唐文栋 张伟 刊期：2008年第11期
Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率。为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比。
作者：徐赛生 曾磊 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 刊期：2008年第11期
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现（111）晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
作者：徐永宽 程红娟 杨巍 于祥潞 赖占平 严如岳 刊期：2008年第11期
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XR...
作者：刘汉法 张化福 类成新 袁长坤 刊期：2008年第11期
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌（ZnO∶Zr）透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZnO∶Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射（XRD）表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO∶Zr...
