杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：杜社会; 阳辉; 方葛丰; 何怡刚; 陈建华; 张洪波 刊期：2007年第09期
集成电路测试是保证集成电路质量、发展的关键手段。CMOS器件进入超深亚微米阶段，集成电路继续向高集成度、高速度、低功耗发展，使得IC在测试和可测试性设计上都面临新的挑战。重点研究了纯数字信号、混合信号和片上系统测试的一些问题和相关标准，包括IEEE1149．1-1990到IEEE1149．6-2003，IEEE1450，IEEE1500，IEEE-ISTONexus5001等测试标准...
作者：苏达; 王德苗 刊期：2007年第09期
LED被称为第四代照明光源或者绿色光源，广泛地应用于手机闪光灯、大中尺寸显示器光源模块以及特殊用途照明系统，并将被扩展至一般照明系统设备。由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命、发光波长和可靠性等，因此如何提高散热能力是大功率LED实现产业化亟待解决的关键技术之一。介绍并分析了国内外大功率LED散热封装技术的研究...
作者：张睿; 钱省三; 李守伟; 傅翠晓 刊期：2007年第09期
上海集成电路产业在内地具有竞争优势，主要原因之一就是营造了良好的投融资体系，包括充分利用国家集成电路产业政策、积极颁布地方级集成电路产业配套政策与措施以及建立了“张江投融资俱乐部”，并在产业内外部各种因素的影响下形成一个具有正反馈演化机制的产业投融资体系的系统动力学模型，从而进一步推动上海集成电路产业的快速发展。充分...
作者：宁凝; 钱省三; 孟志雷 刊期：2007年第09期
对光刻区的派工法则进行了分析研究。在传统的先来先服务规则的基础上，根据光刻区的生产特性及实际情况，以最小化完工时间为目标，主要考虑到减少设备的调整时间，提出一种启发式综合派工法则。对某晶圆制造厂的一组光刻设备进行实例研究，运用Extend仿真软件对传统先来先服务规则和启发式综合派工法则分别建立仿真模型，通过仿真得出主要生产...
作者：李欢; 牛萍娟; 张宇; 李俊一; 杨广华 刊期：2007年第09期
介绍了单片集成硅光接收器的研究背景，阐述了硅光电探测器的工作机理。设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器，并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流分别进行了模拟，对模拟结果进行了分析。设计了该光电探测器的版图，给出了其主要工艺流程，搭建了其光响应谱测...
作者：李俊; 成立; 徐志春; 韩庆福; 张荣标; 张慧 刊期：2007年第09期
设计了一种改进扫描链结构的内建自测试（BIST）方案。该方案将设计测试序列发生器（TPG）中合适的n状态平滑器与扫描链的重新排序结合起来，从而达到低功耗测试且不致丢失故障覆盖率的目的。通过对15位随机序列信号的测试，发现此TPG中的n状态平滑器在降低功耗的同时还减小了故障覆盖率，遂又设计了重组扫描链的结构来解决这一问题。实验结果表...
作者：刘晶; 黄其煜; 詹奕鹏 刊期：2007年第09期
提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正。对这些方法进行了比较、分析发现，对于短沟道浮栅器件，会由于参考器件存在明显的DIBL／SIBL效应，使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差。提出了一种对亚阂值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法。结合了DIBL／SIBL效应因子，基于亚闽值斜率之比来较简单地...
作者：梁栋; 袁凤坡; 张宝顺; 尹甲运; 刘波; 冯志宏 刊期：2007年第09期
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN／AlN结构，并进行了应变分析。通过x射线双晶衍射叫．2臼扫描曲线和拟合曲线分析发现，AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层组成，弛豫度分别为96％和97．2％。AlN缓冲层在低温下不完全弛豫，导致高温下存在一个继续弛豫过程。X射线双晶衍射和透射光谱分析发现，AlGaN层Al组分由于...
作者：刘兴刚; 张丛春; 杨春生; 石金川 刊期：2007年第09期
为了降低集成电路中的互连延迟，采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺，以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构，借鉴MEMS工艺的牺牲层技术，用浓磷酸对A1203牺牲层进行湿法刻蚀，不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较，结果表明，采...
作者：李宁; 王国雄 刊期：2007年第09期
针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题，提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真，以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明，新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比，在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率，有利于缩短设计周期，增强芯...
作者：杨定宇; 蒋孟衡; 贺德衍 刊期：2007年第09期
电感耦合等离子体（ICP）是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源，已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备，在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试，发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物，在较低的放电功率下即出...
作者：杜鹏; 邱美艳; 孙以材; 潘国锋 刊期：2007年第09期
用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有CuO的SnO2纳米薄膜，并用马弗炉进行500℃和700℃的退火处理。利用气敏测试系统对各样品进行气敏特性测试，500℃退火的样品对几种被测气体基本都有较高的灵敏度，且随着工作温度的提升，气敏特性下降。700℃退火的样品对乙醇具有很好的选择性，表现较好的灵敏度，当最佳工作电压为6．5V时，在乙醇气...
作者：何莉剑; 张万荣; 谢红云; 张蔚 刊期：2007年第09期
针对减少功放的非线性交调失真，提出了一种简单有效的线性化电路设计方法，并以pHEMT功放为例，通过在栅漏之间并联一个变容二极管，对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿，使功率放大器的三阶交调减少了30dB，并且提高了功率放大器的增益、稳定性系数等参数。通过研究可知，直接对非线性元器件进行补偿能使功放的整体性能得到提高。
作者：刘晓东; 施艳艳; 李淑波 刊期：2007年第09期
波形发生电路为开关线性复合式功率放大器的功率放大单元提供所需频率范围的柔性波形信号。介绍了一种基于直接数字频率合成技术的波形发生电路的设计方案。给出了系统设计的整体思路、主要功能模块电路的硬件电路设计及软件设计。设计中充分利用了单片机的控制管理功能和DSP快速处理能力，采用单片机作为波形发生电路的控制核心，DSP作为波形生...
作者：沈菊; 宋志棠; 刘波; 封松林; 朱加兵 刊期：2007年第09期
介绍了带隙基准电压源的基本原理，设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0．18μmCMOS工艺。Hspice仿真表明，基准输出电压在温度为-10～120℃时，温度系数为6．3×10^-6／℃，在电源电压为3．0～3．6V内，电源抑制比为69dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中，用于运放偏置和读出／写驱动电路中所需的高精度电...
