半导体技术杂志 北大期刊 统计源期刊

MOSFET器件回顾与展望（下）

作者：肖德元; 夏青; 陈国庆 刊期：2007年第01期

介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法，展望了器件未来发展趋势。

AlGaN／GaN HEMT欧姆接触的研究进展

作者：裴风丽; 冯震; 陈炳若 刊期：2007年第01期

从欧姆接触形成的机理出发，介绍了在AlGaN／GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法，如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。

用于光刻的EUV光源

作者：赵环昱; 赵红卫 刊期：2007年第01期

对国际上普遍采用的两种EUV光源：放电等离子体源（DPP）和激光等离子体源（LPP）进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果，指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。

300mm半导体代工厂的化学供应系统探讨

作者：张云秀; 黄其煜 刊期：2007年第01期

随着中国半导体业的发展，300mm半导体代工厂（foundry）在中国纷纷出现，本讨论介绍了300mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点，力图使读者对厂务化学系统有一个整体的了解，针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处，提出了改进建议。

2006年12月8日《半导体技术》理事会成立

刊期：2007年第01期

CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点

作者：宁彦卿; 王志华; 陈弘毅 刊期：2007年第01期

在近年来的文献报道中，CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中，MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构，就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识，低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。

改进型抗单粒子效应D触发器

作者：赵金薇; 沈鸣杰; 程君侠 刊期：2007年第01期

在对抗单粒子效应技术研究的基础上，构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应，并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。

一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵

作者：王少军; 程珍娟; 叶星宁 刊期：2007年第01期

为了得到稳定的输出电压，电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制。在传统的“Skip”模式电荷泵中，采用工作在线性区的MOS管做开关，通过控制振荡器来调节输出电压，但这种方式会产生较大的输出电压纹波。设计了一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵，通过控制饱和区MOS管的导通电阻来调节电荷泵的输出电压。它工作在占空比为50％的方波信号...

LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究

作者：冯永生; 刘元安 刊期：2007年第01期

以横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）场效应管射频功率放大器为例，介绍了LDMOS FET电热效应模型，理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系，揭示了射频功率放大器电热记忆效应产生的本质原因。仿真和实验结果直观描述了电热记忆效应对放大器性能的影响，在此基础上提出了减少电热记忆效应的一般方法。

pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响

作者：武晓玲; 刘玉岭; 王胜利; 刘长宇; 刘承霖 刊期：2007年第01期

采用化学机械抛光方法，自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光，通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值，配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率。分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。

ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni／Au肖特基接触特性的影响

作者：刘杰; 王冲; 冯倩; 张进诚; 郝跃; 杨艳; 龚欣 刊期：2007年第01期

通过电流-电压法（I-V），电容-电压法（C-V）对n—GaN材料的ICP（感应耦合等离子体）刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）对刻蚀样品的表面形貌，以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明，ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤，形成电子陷阱能级从而引起...

ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究

作者：程嘉; 朱煜 刊期：2007年第01期

感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机反应腔室的气流分布是影响等离子体分布与刻蚀工艺均匀性的重要原因之一。使用商业软件CFD—ACE＋中的连续流体与热传递模型，对反应腔室中气流分布进行了仿真研究，讨论了不同质量流量（50—250cm^3／rain）入口条件下电极表面附近气压分布情况，同时讨论了不同腔室高度（H=0．08，0．12，0．14m）对气流分布均匀...

不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究

作者：李秀宇; 吴月花; 李志国; 付厚奎 刊期：2007年第01期

采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明：不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小，而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4h后，应力减小明显，且分布趋向均匀。同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟，模拟结果与实验结果相符。

飞思卡尔半导体

刊期：2007年第01期

飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费电子、工业控制、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营跨国公司总部位于德州奥斯汀，在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。飞思卡尔是全球最大的半导体公司之一，在2006年的四个季度里总销售额达到62亿美元。

一种基于DDS的改进信号合成电路设计

作者：李琨; 张汉富; 张树丹; 于宗光 刊期：2007年第01期

传统的信号合成电路利用DDS产生载波信号，再将原信号利用乘法器和加法器来进行合成。基于ROM查找表法和CORDIC算法，本设计提出了一种改进结构。仿真与分析结果表明，与原有电路结构相比，改进后的数字信号合成电路精度高、硬件开销小。