杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：艾伟伟; 郭霞; 刘斌; 宋颖娉; 刘莹; 沈光地 刊期：2006年第03期
高效高亮度GaN基发光二极管（LED）在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景，器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能绒与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施，并对GaN基LED的应用前景进行了展望。
作者：盛金龙 刊期：2006年第03期
概述了半导体制造中清洗技术所面临的挑战及生产中存在的问题，分析了解决问题的途径．讨论了当前IC制造中关键清洗技术的发展方向。对于国产清洗设备制造业的发展提出了自己的看法。
作者：王慜 刊期：2006年第03期
六西格玛（6σ）管理是建立在世界众多管理大师的理论以及世界成功企业的最优实践基础上的一种质量管理新理念。这一管理理念对传统质量成本理论提出了挑战，文章指出改进传统质最成本核算模式的必要性。
作者：龙飞; 杜江锋; 罗谦; 夏建新; 杨谟华 刊期：2006年第03期
采用应力测试方法，获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表叫，应力导致漏极电流崩塌56．2％：不同电压应力条件下，只要所加时间足够长和电压足够人，相同栅压的电流崩塌程度都近似相等；漏极电流恢复时间与大小分别为34．5＋σVGS与σ（VGS-VT）（2-β）。研究表明，栅-漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化，引起沟道...
作者：常美茹 刊期：2006年第03期
根据线切割机的工作原理，切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力，进而产生滑移位错。当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时，会产生硅片的破碎。对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等方面的质量控制，通过调整线张力、进给速度、冷却剂流量等一系列工艺措...
作者：赵英伟; 路孟喜 刊期：2006年第03期
提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用，介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基木概念和原理，分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件，以PECVD淀积台的真空系统为例，讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。
作者：谢媛媛; 高学邦; 魏洪涛; 王绍东; 刘志军 刊期：2006年第03期
论述了GaAs PHEMT开关器件的建模，介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT开关模型的方法，给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。提取开关模型是研制控制电路的关键，特别是对于MMIC电路。一种0．5μm GaAs PHEMT开关器件模型已开发成功，并集成在ADS环境中，可为各类开关、衰减器和移相器等微波控制电路提供可靠的器件模型，提高...
作者：李薇薇; 檀柏梅; 周建伟; 刘玉岭 刊期：2006年第03期
CMP后大量颗粒吸附在芯片表面，根据颗粒在芯片表面的吸附状态，确立优先吸附模型。利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效拧制杂质的吸附状态，使之处于易于清洗的物理吸附。实验表明，特选的菲离予界面活性剂能够有效去除CMP后表面吸附的杂质，达到较好的清洗效果。
作者：李必安; 何怡刚; 彭浴辉 刊期：2006年第03期
提出了一种新型的连续小波变换处理电路。电路中采用复解调技术实现小波变换，对变换系数进行了模数转换，可以与数字处理芯片接口，实现了信号的实时处理。电路完全采用对数域电流模式实现。对电路的主要模块进行了分析，仿真结果显示电路能在低电压低功率时得到宽动态范围的运用。
作者：刘晨晖; 张穆义; 高学邦 刊期：2006年第03期
介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mmPHEMT功率器件：利用窄脉冲高速I—V CAT系统测量系统，建立了8mm功率PHEMT非线性模型；应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC：通过解决研制过程中各关键工艺技术，使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功，并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34dHz，P。〉100mW。
作者：胡平生 刊期：2006年第03期
刚刚过去的2005年。全球半导体设备收入和订单都有明显的下降，半导体收入在2004年的基准上下降了10％。当然中国地区也不例外。许多行业专家／咨询机构预测：半导体行业的转折应在2006年。您是如何看待这一预测的？
作者：陈亮 刊期：2006年第03期
自1968年以来，signatone公司一直支持着半导体工业，通过提供探针设备来解决多种不同的测量要求，以其高质量、高效率的探针设备而闻名世界。 如今Signatone已为晶圆和部件的各个市场提供最先进的解决方案，技术上不断升级，当人们为了更快、更好、更智能的设备而慢慢地加大自己的成本时，Signatone全心全意地为每一个客户提供全方位的检测解决...
作者：莫郁薇; 张增照; 古文刚; 聂国健; 李志国 刊期：2006年第03期
通过对多芯片组件（MCM）的结构、失效模式和机理的分析，提出了适合我国生产实际的MCM失效率预计模型。采用加速寿命试验和点估计法获得了膜电阻的基本失效率λRT．和布线与工艺基本失效率λc：并采用极限应力对比试验获得了层间系数πcp。
刊期：2006年第03期
科利登扩展了产品范围覆盖所有针对多种高速总线测试的数字解决方案。科利登SapphireS系列D-3208数字选件能为各种总线接口测试提供极大的父活性和先进的测试能力，速率可达千兆赫兹，不管是超速转送总线（Hyper Transport），数字虚拟接121（DVI），并行输入／输出（I／O）总线，高清晰度的多媒体接口（HDMI）和基于仪器协议扩展总线（PB Iexte...
作者：陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌 刊期：2006年第03期
利用离子束增强沉积（IBED）技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射（RBS）的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱（XPS）显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜（TEM）表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射（ED）显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作...
