首页 期刊 半导体技术 蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连 【正文】

蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连

作者:黄磊; 陈四海; 何少伟; 史锡婷; 李敏杰; 李毅; 易新建 华中科技大学光电子工程系; 武汉国家光电实验室; 华中科技大学光电子工程系; 华中科技大学光电子工程系; 华中科技大学图像识别与智能控制国家重点实验室; 武汉; 430074
微机电系统   互连   电子束蒸发   剥离技术  

摘要:介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86 μ m,聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214柱高2.0 μ m,ENPI柱高1.5 μ m),都起到了较好的互连作用.

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