杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：于燮康 刊期：2005年第10期
四 2004年我国大陆IC、TR竞争格局与主力厂商竞争力评价 1 2004年我国IT产量在全球占据半壁江山 我国生产的空调机占全球总产量75％、DVD产量占全球70％份额、数码相机产量占全球46％份额、手机产量占全球总产量的35％强、彩电产量占全球产量的38％左右、PC机产量占全球产量的一半以上等等。
作者：Suki 刊期：2005年第10期
[编者按]半导体业是一个投资大、人才密集的行业,素有"烧钱机器"之称,需要投入相当大的资金,据介绍,一条200mm生产线约需10亿美元,300mm则需15亿美元以上. 日前市场调研机构VLSI Research公司一位分析师预测,由于IC设备的开发成本十分高昂,下一代450mm晶圆工厂的出现可能比目前国际半导体技术蓝图(ITRS)公布的时间表延迟10多年,到2020年至2025年...
作者：吴波 刊期：2005年第10期
问:首先恭贺您荣任AxcelisTechno logy公司董事长!我们看到您一上任就把公司2005年的营运目标调整为3%的增长率,您曾表示半导体景气循环周期似乎在变短,目前的能见度持续晦暗,这是过去12～18个月以来最难熬的时期.我们相信您有自己的答案,请问您的依据是什么?
作者：李萍; 刘诗嘉; 陈江峰; 庄春泉; 黄杨程; 张燕; 龚海梅 刊期：2005年第10期
研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性.在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×1 0-5 Ω·cm 2.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质.实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金.退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小...
作者：李潇; 张海英; 李海鸥; 尹军舰; 刘亮; 陈立强 刊期：2005年第10期
对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2形貌良好的欧姆接触.避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道...
作者：杨维明; 史辰; 徐晨; 陈建新 刊期：2005年第10期
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.
作者：陈宏江; 杨瑞霞; 武一宾; 杨克武 刊期：2005年第10期
研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/A1 Ga1-xAs结构腐蚀的选择特性,用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌.利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺.
作者：马斌; 陈明祥; 张鸿海; 刘胜; 汪学方 刊期：2005年第10期
利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证.
作者：房子成; 李桂祥; 杨江平; 张贤志 刊期：2005年第10期
随着VLSI电路的广泛使用,复杂PCB板上的开路、桥接和固定逻辑故障的比例逐渐上升,可测试性明显下降.边界扫描互连网络测试技术是检测PCB板固定故障的一种有效方法.通过建立互连网络故障的模型,分析了互连网络测试的原理,提出互连网络自动测试实现方法.实验表明,该方法可以有效地实现互连网络故障的测试,对边界扫描技术的应用具有一定的参考价值.
作者：成立; 王振宇; 张兵; 朱漪云; 范木宏 刊期：2005年第10期
在分析全扫描内建自测试(BIST)较高测试功耗的基础上,总结出几种CMOS VLSI的低功耗BIST技术方案,包括减少待测电路(CUT)输入端的翻转次数、简化线性反馈移位寄存器(LFSR)结构、部分扫描低功耗BIST方法等.分析结果表明,这些方法不但在保证测试覆盖率的条件下,降低了测试平均功耗和峰值功耗,而且综合应用这几种方法将会使系统功耗指标达到最佳.
刊期：2005年第10期
FIB的背景 编辑修改初次流片芯片是降低芯片研发费用的一个标准方法.采用这种做法主要有两个原因,一是修补设计错误和模拟掩模板修改,还有就是修改设计并向客户提供批量生产前的样片.FIB编辑的目的,就是通过FIB对芯片进行物理修改,进而达到跟通过修改设计和掩模板及生产流程再重新流片相同的性能和效果.
作者：邓博仁; 王金城; 金西 刊期：2005年第10期
介绍了一种新的时钟树优化策略.通过减小时钟树子节点的负载,从而减少整时钟树线长,使时钟树性能得到了提高.
作者：罗勇; 应鹏展; 罗东华; 余鹏 刊期：2005年第10期
采用柠檬酸、乙二醇、硝酸铈和四氯化锡作为原料,通过改进的聚合物前驱法成功制备了大量均匀的铈掺杂SnO2纳米带.用X衍射法和扫描电镜对产物进行了表征.研究结果表明,Ce能有效地控制SnO2纳米带的生长,并且对SnO2纳米带的形貌和振动特性有重要的影响.
作者：孙玲玲; 王静; 刘军 刊期：2005年第10期
提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模.对器件的I-V特性及50MHz～15GHz频率范围内S参数进行了测量和仿真.结果表明,50MHz～9GHz频率范围内,简化后模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.
作者：黄水龙; 王志华 刊期：2005年第10期
系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.
