半导体技术

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Semiconductor Technology

杂志简介:《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准,自1976年创刊,国内刊号为13-1109/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1003-353X
国内刊号:13-1109/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1976
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.57
复合影响因子:0.34
总发文量:2255
总被引量:7023
H指数:21
引用半衰期:3.625
立即指数:0.0356
期刊他引率:0.8215
平均引文率:6.5067
  • IP在中国的现状及未来之路

    作者:谢学军; 邱善勤 刊期:2005年第06期

    随着以IP为基础的SOC设计逐渐成为IC设计的主流,针对IP的研发和市场交易在国内越来越受到人们的重视.本文全面系统地分析了当前我国IP研发、使用、交易的现状和存在的关键问题,并展望了IP在我国的未来发展.

  • 编辑部更正

    刊期:2005年第06期

  • 摩尔定律体现的创新精神永存——纪念摩尔定律发表40周年

    作者:明天 刊期:2005年第06期

    摩尔定律的精神内涵是技术创新,这种精神所体现的价值是无穷的,创新精神会永存的.探讨了摩尔定律的精神内涵,经济价值,以及何时失效和摩尔定律带给人类的科学技术遗产,摩尔定律的延续作用.

  • 光刻技术新进展

    作者:Suki 刊期:2005年第06期

    [编者按]半导体技术经过半个多世纪的发展,现在仍继续遵循Moore定律保持着强劲的发展态势,片径已达300mm,并不断在向450mm迈进,据预测,在新技术推动下到2010年后直径将达到450mm.大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.

  • 成品率驱动的光刻校正技术

    作者:王国雄 刊期:2005年第06期

    光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导.

  • IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

    作者:马万里; 赵建明; 吴纬国 刊期:2005年第06期

    主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法.

  • 限散射角电子束光刻技术及其应用前景

    作者:成立; 赵倩; 王振宇; 祝俊; 范木宏; 刘合祥 刊期:2005年第06期

    在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一.本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点.

  • 光刻永恒

    作者:程天风 刊期:2005年第06期

    由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案.如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术.如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发.实验室的数据也证实了这些理论.光刻技术可望继续被延伸到2010年.

  • SF6/O2/CHF3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究

    作者:周宏; 赖建军; 赵悦; 柯才军; 张坤; 易新建 刊期:2005年第06期

    采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术.为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数.文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论.

  • 浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能

    作者:马建霞; 吴纬国; 张庆中; 贾宇明 刊期:2005年第06期

    光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力.主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理及应用性能指标进行阐述,重点从工艺的角度去提出新的研究方向.

  • 征稿启示

    刊期:2005年第06期

  • 二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

    作者:敬小成; 姚若河; 吴纬国 刊期:2005年第06期

    阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.

  • 温度因素对热超声键合强度的影响实验研究

    作者:隆志力; 韩雷; 吴运新; 周宏权 刊期:2005年第06期

    主要研究了热超声键合过程中环境温度对键合强度的影响规律.分析了键合强度与键合温度之间的关系.实验研究发现,最佳键合"窗口"出现在200~240℃,此时键合强度可达20g左右.对推荐使用的大于5.4g的键合强度标准,本实验条件下可键合"窗口"为120~360℃.这些实验现象和分析结果为后期的键合参数匹配规律和系统动态特性研究打下基础.

  • SOP集成电路塑料封装模具

    作者:李名尧; 李霞; 王元彪 刊期:2005年第06期

    介绍了SOP集成电路塑料封装模具设计中温度补偿的计算方法和计算结果.封装模具包括上模、下模和附件三大部分,可分成浇注、成型、排气、顶出、复位、加热、温控、上料、预热、定位和支撑等功能系统.

  • 倒装芯片衬底粘接材料对大功率LED热特性的影响

    作者:余彬海; 李绪锋 刊期:2005年第06期

    针对倒装芯片(Flipchip)大功率发光二极管器件,描述了大功率LED器件的热阻特性,建立了Flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线,以三类典型粘接材料为例计算了不同厚度下的热阻,得出了Flipchip衬底粘接材料选择的不同对大功率LED的热阻存在较大影响的结论.