杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：Suki 刊期：2005年第02期
中国半导体材料经过40多年的研究与开发,已具备了相当的基础,特别是在改革开放以后,中国半导体材料获得明显的发展,除满足国内市场外,一些材料开始进入国际市场.据统计,我国从事半导体材料研究生产企业约35家,从业人员近4000人,以5英寸、6英寸为主,2003年国内硅单晶产量达1100吨左右,平均年增长率为27.5%.由于自2002年以来国际半导体市场需求的...
作者：明天 刊期：2005年第02期
珠海炬力在芯片设计领域内异军突起,于2003年被中国半导体行业协会评选为当年度国内最具成长性的十大I C设计企业之一.短短3年的时间内,取得如此突出的成就,请介绍一下贵公司的主要经验是什么.
作者：李洪涛; 何对燕 刊期：2005年第02期
光开关是光通信的关键部件,是近年来通信领域的研究热点.文章从光开关的实现方式等方面介绍了光开关的研究与生产现状,重点介绍了MEMS光开关的研究与应用,对光开关发展趋势作了分析.
作者：谭春华; 范广涵; 周天明; 李述体; 黄琨; 雷勇 刊期：2005年第02期
低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP／GaInP多量子阱结构，运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加，掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。
作者：罗派峰; 唐新峰; 余柏林; 王军 刊期：2005年第02期
用两步固相反应法合成了单相的p型BayFeCo3Sb12化合物,并系统地研究了Ba不同填充分数对方钴矿化合物热电性能的影响:化合物载流子浓度强烈地依赖于填充原子的填充分数,随Ba填充分数y的增加,载流子浓度及电导率降低;塞贝克系数随温度T的上升而增加,比CoSb3的塞贝克系数有一定程度的提高,尤其是在中温部分有大幅度提高,得到的最大塞贝克系数由CoSb...
作者：曾明刚; 陈松岩; 林爱清; 邓彩玲; 蔡贝妮 刊期：2005年第02期
应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态,认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合.PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义.
作者：俞波; 韩军; 李建军; 邓军; 廉鹏; 沈光地 刊期：2005年第02期
对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点.介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL的器件研究情况.
作者：刘云燕; 袁玉珍 刊期：2005年第02期
相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点.本文主要介绍了近几年GaN基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较.
作者：YUXiao-hua; XIANGYu-qun 刊期：2005年第02期
An improving utilization and efficiency of critical equipments in semiconductor wafer fabrication facilities are concerned. Semiconductor manufacturing FAB is one of the most omplicated and cost sensitive environments. A good dispatching tool will make big difference in equipment utilization and FAB output as a whole...
作者：张永光; 徐元欣; 王匡 刊期：2005年第02期
CMOS器件进入超深亚微米阶段,集成电路(IC)继续向高集成度、高速度、低功耗发展,使得IC在测试和可测试性设计上都面临新的挑战.本文首先介绍了测试和可测试性设计的概念,分析了测试和可测试性设计面临的困境;然后讨论了系统芯片设计中的测试和可测试性设计,最后对测试和可测试性设计的未来发展方向进行了展望.
作者：成立; 王振宇; 祝俊; 赵倩; 侍寿永; 朱漪云 刊期：2005年第02期
综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等.并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景.
作者：JohnLukez 刊期：2005年第02期
对日益复杂的消费产品不断增长的需求引发了应用于消费类电子,汽车,工业和通讯领域的混合信号集成电路的需求急剧上升.时至今日,半导体制造商们把高速的数字逻辑电路和先进的模拟电路集成在一起制造出功能越来越强大的混合信号IC.器件的复杂度在不断上升,但是其售价不可能随之飙升,半导体公司都发现他们面临着这样一个难题,即如何在降低测试成本...
作者：李振国; 陈建新; 高铭洁 刊期：2005年第02期
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况.最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景.
作者：李树翀; 韩振宇; 刘新宇; 吴德馨 刊期：2005年第02期
在RF模块的设计中,微带线的设计必不可少,它在模块中起着很重要的作用.本文介绍了2.5G RF LNA模块中微带线的设计过程及实现,并用测量数据证明了微带线设计的正确性及其在模块中发挥的作用.
作者：顾威; 周祖成; 彭吉虎 刊期：2005年第02期
分析了电力线信道的基本模型与OFDM的基本原理,针对电力线通信的具体特点,提出了用于电力线通信、速率可以达到2M的系统设计方案,给出了系统参数和系统使用的算法及仿真结果.
