半导体技术

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Semiconductor Technology

杂志简介:《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准,自1976年创刊,国内刊号为13-1109/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1003-353X
国内刊号:13-1109/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1976
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.57
复合影响因子:0.34
总发文量:2255
总被引量:7023
H指数:21
引用半衰期:3.625
立即指数:0.0356
期刊他引率:0.8215
平均引文率:6.5067
  • 集成电路系统级封装(SiP)技术和应用

    作者:吴德馨 刊期:2004年第08期

    [编者按]此文是中科院院士吴德馨在集成电路粤港台论坛上演讲稿的摘要.对于集成电路系统级封装(SIP)的发展概况及其趋势做了介绍,对于从事此领域工作的读者有指导性意义,本刊特转载.

  • 绿色封装环氧塑封料研究

    作者:成兴明 刊期:2004年第08期

    为了保护生态环境,2003年2月1 3日,欧盟公布了两个指令:WEEE(废弃的电气和电子装置)、RoHS(在电气和电子装置中限制使用其废弃物会产生有害物质的某些材料),指令规定必须在废弃的电气或电子器材:大型家用电器、小型家用电器、IT器材、通讯器材、收音机、电视机、电声设备、音乐器具、照明装置、医疗设备系统、监控及控制器械、玩具、电气或电子...

  • 圆晶级CSP组装及其可靠性

    作者:MichaelMeilunas; ParvezPatel 刊期:2004年第08期

    简介 CSP(芯片级封装)技术推动着封装和印刷电路板向更小型化方向发展.圆晶级CSP是指将带有再分布薄膜层的硅片与标准表面装贴线相连.这种封装小而轻,适用于I/O脚数量在4到200之间的精细线条贴装.

  • SOC虚拟元件——SIP的产生、发展与交易

    作者:刘丽; 韩琦 刊期:2004年第08期

    半导体产业进入深亚微米时代,系统单芯片SOC逐渐成为半导体产业发展的趋势,作为SOC的核心组成SIP应运而生,SIP产业将成影响SOC的重要因素,以SIP复用技术为基础的SOC,将对现有的IC设计和制程技术产生重大影响,而SIP的评估、定价和交易,将涉及法律、专利、技术和财务等诸多方面.

  • P型GaN欧姆接触的研究进展

    作者:潘群峰; 刘宝林 刊期:2004年第08期

    宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快.p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制.本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展.

  • CMOS图像传感器及其研究

    作者:尚玉全; 曾云; 滕涛; 高云 刊期:2004年第08期

    介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.

  • 低噪声接收机模块

    作者:李和委; 张丽娟 刊期:2004年第08期

    随着现代军事系统和民用领域的发展,对低噪声、低功耗接收机模块的需求量越来越大.本文从蜂窝移动、GPS、CDMA和卫星通信四个方面简单阐述了低噪声接收机模块在无线领域的应用.最后,介绍了低噪声接收机模块在军事领域的发展现状.

  • 南通富士通 争创中国封装第一 跻身世界一流企业

    刊期:2004年第08期

    领军人物成功的"秘诀" 问:2004年对于您及南通富士通来说,是值得"可喜可贺"的一年,您在国内首次半导体行业"‘2003'中国半导体企业领军人物"评选中,榜上有名.本刊请您谈谈企业领导者与成功企业之间的因果关系,一个成功的CEO的应具备那些素质?

  • MOS器件中的等离子损伤

    作者:赵毅; 徐向明 刊期:2004年第08期

    随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文详细介绍了等离子损伤引起的机理、表征方法以及防止措施.

  • 半导体制造中颗粒污染的控制方法研究

    作者:李敬; 钱省三 刊期:2004年第08期

    首先分析了半导体制造中颗粒污染的来源,然后介绍了用C控制图进行颗粒污染控制的方法及其不足,进而提出了用多元回归分析进行颗粒污染控制的方法及实施.

  • The advantages of radical distribution control and independent dual frequency on etch/ash

    作者:Li-HungChen; BinLan; TanakaHideaki]; KubotaKazuhiro; ShinOkamoto 刊期:2004年第08期

    The transition to 65 nm beyond and 300 mm wafers posed many challenges on etch depth and critical dimension (CD) uniformity within wafer. In this paper, we introduce a radical distribution control (RDC) system for an excellent uniformity control.Etch depth and CD uniformity within wafer are well controlled by adding ...

  • 数字化智能四探针测试仪的研制

    作者:徐远志; 晏敏; 黎福海 刊期:2004年第08期

    将传统直流四探针测试仪与嵌入式系统相结合,研制出数字化智能四探针测试仪.该仪器可以自动识别被测样品电阻率,并自动切换到最佳档位,操作简便工作效率高,具有一定的实用和开发价值.

  • 芯片封装技术介绍

    作者:鲜飞 刊期:2004年第08期

    微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发.本文主要介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析.

  • 半导体硅片金属微观污染机理研究进展

    作者:郑宣; 程璇 刊期:2004年第08期

    综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展.研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究.指出了随着科学技术的不断发展,金属污染金属检测手段也得到了丰富,为金属微观污染的研究提供了有力的工具.

  • 一种32位浮点DSP中的串行通信口的设计

    作者:林贻山; 冉峰; 薛忠杰; 倪国宗; 何冬明 刊期:2004年第08期

    简要介绍串行通信口芯片的接口、功能,详细讨论了串行通信口的系统级、行为级、RTL级的设计过程,并在RTL级设计中提出了几种实现资源共享的方法,精简了系统设计结构,有效地减小了芯片的面积.