杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：Peter 刊期：2004年第07期
目前,珠三角地区IC产业发展滞后于长三角与环勃海湾地区,但珠三角众多的IT企业、IC应用厂商每年所需求的集成电路、分立器件却约占全国总需求的70%,是我国最大的IC消费市场和IC进出口中转集散地.
作者：云振新 刊期：2004年第07期
论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势,介绍了SiGe压控振荡器技术.
作者：翁寿松 刊期：2004年第07期
论述了2004年全球半导体市场的七大特点.2004年全球半导体市场呈"牛市"行情.
作者：GSiddall 刊期：2004年第07期
2004年五月,美国科利登(Credence)公司宣布完成收购了恩浦(NPTest)公司,从此科利登公司的产品列表中增加了关键的高端SoC产品,收购完成后,科利登在调试与特征分析方面的实力得到了很大的提高,效果是显而易见的.科利登的目标是在半导体资本设备领域构建领导者的地位,我们要充分挖掘行业上升阶段的潜在商机并能在行业不景气时具备完善的调节能力,...
作者：何良恩; 凤坤; 唐雪林; 李刚 刊期：2004年第07期
研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18um以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).
作者：刘玉岭; 邢哲; 檀柏梅; 王新; 李薇薇 刊期：2004年第07期
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究.
作者：ErikOlson; ByronJ.Palla 刊期：2004年第07期
在集成电路工业中当器件的线宽变得越来越小时,设备制造商必须通过改进现存的应用与发展新的应用来达到或超过不断加严的制造工艺需求.因此,依靠使用臭氧和稀释的氢氟酸来减低化学物品和去离子超纯水的消耗的要求已经被制造商们提出来了[1～3].
作者：扬雪; 张伟 刊期：2004年第07期
编者按:在人类社会步入21世纪的今天,现代信息技术正已空前的发展应用于人类生活的各个领域.作为信息产业乃至信息化基础和核心的半导体产业,越来越受到人们的瞩目和产业界的重视.本刊就IC产业的特殊性,洁净、空气、清洗技术、环保等诸多问题,特请海内外半导体产业知名的企业家和专家,就此话题,发表自己的观点,愿为读者提供一些启迪及参考.
作者：李秀娟; 金洙吉; 苏建修; 康仁科; 郭东明 刊期：2004年第07期
铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺.Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性.而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确.本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、...
作者：李琦; 刘大成; 郑力; 张涛 刊期：2004年第07期
半导体制造是一个流程高度复杂,资金高度密集的加工过程,相对于其它制造业来说,其产品种类繁多,工序复杂,对设备的利用率要求较高,因而生产优化也较为复杂.本文利用线性规划(linear programming,LP),对半导体制造的封装和测试过程进行数学建模,并构建一套决策支持系统.与电子表格手工计算相比,该系统大大缩短了生产计划响应时间,并提高了瓶颈设...
作者：王勇; 李兴鸿 刊期：2004年第07期
对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据.
作者：唐凌; 瞿欣; 方培源; 杨兴; 王家楫 刊期：2004年第07期
光发射显微镜(PEM)是90年展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术.随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析.本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用.
作者：刘新福; 孙以材; 刘东升 刊期：2004年第07期
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.
作者：朱松英; 郭力 刊期：2004年第07期
△Vbe是晶体管的一个重要参数,它与晶体管的热阻有一个定量的关系,它反映了管子的功耗能力,对晶体管的封装工艺及失效分析有着重要的指导意义.一直以来我公司在测试△Vbe时都是参考其它公司的测试条件,以下章节介绍了如何确定△Vbe的测试条件.以我公司的TO-220封装的某器件为例来进行试验.
作者：ItzikGoldberger 刊期：2004年第07期
深亚微米技术使制造满足更复杂应用所需的高度集成器件成为可能.采用深亚微米技术使半导体制造商继续利用传统基于设计仿真的方法获得芯片早期验证成功面临显著的更大的困难.这些困难使依赖相同的仿真方法进行芯片设计调试的传统方式很难在制造加工前发现设计问题.
