杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
杂志简介：《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为50-1092/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
作者：廖乃镘; 刘昌林; 张明丹; 寇琳来; 罗春林; 阙蔺兰 刊期：2019年第04期
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微...
作者：郑露; 张翔宇; 桑艳; 刘波; 刘会刚; 刘海涛 刊期：2019年第04期
提出了一种以'双C'形硅纳米天线为基本单元的全介质超表面折射率传感器。介绍了法诺(Fano)共振的原理,通过建立法诺共振解析模型,解释了该传感器反射率谱曲线不对称线型形成的物理机制。用电磁仿真软件对介质超表面进行了数值仿真,仿真结果显示该超表面用作折射率传感器时具有较高的灵敏度、Q因子与FOM值,分别达到228nm/RIU、1 162与243。
作者：杨少睿; 罗风光; 刘豪; 王浩宇 刊期：2019年第04期
设计了二维多位相光栅分光器的位相结构,并根据周期性位相结构推导出位相光栅的二维分光公式,使用模拟退火优化算法对二维8×16四位相光栅分光器的位相结构进行了优化设计,得到了二维分光效率为70.03%、不均匀度仅为4.6×10-4的位相光栅。将优化计算得到的位相分布结果进行拆分,制作了光刻版,利用光刻版套刻制作了四位相光栅分光器样品,并搭建光路...
作者：陈笑行; 张卫平; 牟家旺; 冷烨 刊期：2019年第04期
设计了一种通用扑翼飞行器控制器方案,硬件上,该方案包含微控制器与惯性传感器选型及电路设计,软件上,通过对四元数和方向余弦矩阵转换公式的推导,引入加速度计和陀螺仪的融合滤波,并将滤波算法在控制器中实现。飞行器姿态控制算法采用经典的多环串级PID控制器,结合基于粒子滤波的飞行器室内定位算法进行定位。在仿真平台和测试台架上分别对该控...
作者：陈琦; 潘武; 王泶尹; 任信毓 刊期：2019年第04期
提出一款双层双L形太赫兹非对称传输器件,其结构单元由典型的金属-介质-金属结构组成,顶层为轴对称的双L形金属层,底层为中心对称的双L形金属层。在1.174~1.420THz范围内,当x极化波正向垂直入射时,该器件的非对称传输参数大于0.6,其中在1.207~1.377THz范围内非对称传输参数大于0.8,在1.334THz时非对称传输参数达到峰值0.859。最后,讨论了材料的...
作者：刘正松; 高智翔; 丁鹏; 陈春霞; 唐塽; 赵瑞莲 刊期：2019年第04期
陶瓷空封光电耦合器存在高压下的内部气体放电,分析其放电电流特性有助于器件可靠性研究。提出了基于体电流和气体放电电流的陶瓷空封光电耦合器漏电流模型,并针对高压下漏电流测试能力不足的现状,设计了基于悬浮供电的漏电流检测系统,通过对高压下器件漏电流的测试及对比分析,实现了对内部气体放电电流特性的定量评估。
作者：陆清茹; 李帆; 黄晓东 刊期：2019年第04期
基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值...
作者：黄英俊; 贺慧勇; 李章承; 宋章明 刊期：2019年第04期
针对超辐射发光二极管(Superluminescent Diode,SLD)光源输出光功率稳定性的需求,用有限元分析方法分析了SLD光源组件内部导体组的分布电容矩阵及电场耦合情况;通过电场耦合模型研究发现温控电路带来的干扰通过分布电容耦合到恒流回路中,影响输出光功率的稳定性;将制冷器接地可减小分布电容,改进恒温电路的驱动方式可减小交流分量的干扰,从而减...
作者：梁津; 关宝璐; 胡丕丽; 张峰; 董晨; 王菲; 王志鹏 刊期：2019年第04期
基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水...
作者：王冲; 赵明; Eddy; SIMOEN; 李伟 刊期：2019年第04期
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明,制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×1017 cm-3,明显高于Si衬底的1.4×1016 cm-3,意味着制备态样品中Al原子已经向衬底硅中扩散。采用退火工艺研究了GaN器件制备过程中的热影响以及热处理前后电活性缺陷在硅衬底中...
作者：刘洪双; 祁喆; 钟莹; 刘海涛 刊期：2019年第04期
基于有限元算法和Maxwell应力张量法,分析了紧聚焦高斯光束照明下金基底表面的金纳米球所受光力。利用无结构的平整金基底,被捕获的金纳米颗粒和金基底之间能够产生间隙表面等离激元和局域表面等离激元共振效应,将电磁场局域在金球与金基底之间的纳米间隙内,增强了金纳米球所受光力以及光阱刚度。通过研究入射光的偏振态、金纳米球的半径、基底...
作者：张淑芳; 钱明灿; 罗海军; 龙兴明; 闫泉喜; 郭扬; 钟将 刊期：2019年第04期
为降低石墨烯(Gr)透明电极与p-GaN之间的肖特基势垒与接触电阻,进行了将银、金、镍和铂四种金属或氧化镍作为中间层引入它们两者之间的尝试。使用有限元方法模拟研究了Gr与金属或氧化镍的不同厚度组合对LED的光、热和电特性的影响。发现:透明导电层的透光率和LED芯片的表面温度均随石墨烯和金属或氧化镍厚度的增加而降低;1.5nm的Ag、Ni、Pt,1nm ...
作者：刘喜锋; 张鹏博; 方小红; 陈小源 刊期：2019年第04期
以铜为催化剂,采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和甲烷为碳源的化学气相沉积两步法,在SiO2/Si衬底上制备了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱分析了薄膜的层数和质量,利用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的尺寸与表面形貌。实验探究了生长时间、氢气流量和气体总压强等工艺参数对石墨烯薄膜层数和质量的影响,最终在优化条件下制得10μm级质量较...
作者：龚文文; 侯延冰 刊期：2019年第04期
采用一步法制作了基于n-i-p结构的钙钛矿太阳电池。为了提高钙钛矿活性层以及TiO2与钙钛矿活性层接触面的质量,用MAI、MABr和PbI2溶液对TiO2层进行预处理,研究了预处理对电池性能的影响。结果显示对TiO2进行预处理能够改善钙钛矿活性层薄膜的质量并提升钙钛矿太阳电池的性能。通过溶液预处理,太阳电池的能量转换效率和器件稳定性有显著提高,同时...
作者：孙铖; 沈鸿烈; 高凯; 林宇星; 陶海军 刊期：2019年第04期
采用射频磁控溅射加硒化的两步法在超白玻璃衬底上生长SnSe2薄膜,采用XRD、光学透过谱、Raman光谱、XPS和SEM等方法对薄膜进行性能表征。通过设置不同的硒化温度,研究不同硒化温度对所得薄膜相结构、物相与组分、表面形貌等性能的影响。结果表明:350℃,40min硒化所得薄膜为片状晶粒,光学带隙为1.46eV,相结构和均匀性等性能在该硒化条件下均为最...
