半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

杂志简介:《半导体光电》杂志经新闻出版总署批准,自1976年创刊,国内刊号为50-1092/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用

主管单位:中国电子科技集团有限公司
主办单位:重庆光电技术研究所
国际刊号:1001-5868
国内刊号:50-1092/TN
全年订价:¥ 220.00
创刊时间:1976
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:重庆
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.87
复合影响因子:0.36
总发文量:2500
总被引量:7410
H指数:25
引用半衰期:3.7727
立即指数:0.0093
期刊他引率:0.8906
平均引文率:8.4444
  • 异质集成微波光子器件发展现状

    作者:王振; 廖柯; 瞿鹏飞 刊期:2018年第03期

    微波光子学利用光子技术实现微波信号的产生、传输、处理及控制,可突破传统微波技术在带宽、传输损耗和抗电磁干扰等方面的瓶颈,提升雷达、电子战等信息系统的综合性能。激光器、电光调制器和光电探测器是微波光子技术中的三种核心光电子器件,其性能对微波光子链路的噪声和动态等指标具有决定性的影响,但基于分立器件的微波光子系统体积、重量较...

  • X射线平板探测器背板工艺研究进展

    作者:卜倩倩; 胡伟频; 王丹; 孙晓; 邱云; 姜明宵 刊期:2018年第03期

    从高像素填充因子、低噪声、高帧频、高空间分辨率及柔性五个方面对近些年X射线平板探测器背板工艺的研究进展进行了综述。通过对研究过程中的材料选择、像素结构和读出电路优化的详细阐述,分析了X射线平板探测器背板工艺的研究现状及改善方向。文章同时从新结构、新材料、电路设计及三维探测设计四个方面给出了X射线平板探测背板技术未来的发展...

  • 太赫兹超材料极化转换器设计及其特性分析

    作者:潘武; 沈大俊; 闫彦君 刊期:2018年第03期

    提出了一种反射型太赫兹超材料极化转换器。该极化转换器结构单元由典型的三层结构组成,上、下两层为金属层,中间为介质层,顶层金属层由一个开口谐振环和一个镂空圆盘组成。研究结果表明:该极化转换器能够将x极化波转换为y极化波,在0.584 0~1.352 0THz频带上极化转换率大于80%,在0.642 4、0.936 4和1.301 8THz处极化转换率接近100%。该极化转换...

  • ZnO缓冲层对Mg0.3Zn0.7O紫外探测器的影响

    作者:黄志娟; 喻志农; 杨伟声; 李言; 苏秉华; 薛唯 刊期:2018年第03期

    利用溶胶-凝胶法制备了Mg0.3Zn0.7O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg0.3Zn0.7O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg0.3Zn0.7O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg0.3Zn0.7O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg0.3Zn0.7O探测器的I...

  • InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究

    作者:侯丽丽; 韩勤; 王帅; 叶焓 刊期:2018年第03期

    InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战。通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(Vbreak)、暗计数率(DCR)和单光子探测效率...

  • 有机电荷产生层对叠层磷光OLED器件性能的影响

    作者:王振; 柳菲; 郑新; 陈爱; 谢嘉凤 刊期:2018年第03期

    采用C60/pentanece作为非掺杂电荷产生层,并在其两边各插入Al和MoO3薄层作为C60和pentanece的电子注入层和空穴注入层,在此基础上制备了结构为ITO/NPB/mCP∶8wt%Ir(ppy)3/TPBi/Al/C60/pentanece/MoO3/NPB/mCP∶8wt%Ir(ppy)3/TPBi/Cs2CO3/Al的双发光单元叠层绿色磷光有机发光器件(OLED)。实验表明,增加Al和MoO3电荷注入层,可有效改善有机电荷产生...

  • 硅光电倍增器的变温伏安特性及水汽凝结对伏安特性的影响

    作者:张国青; Fabrice; RETIERE 刊期:2018年第03期

    为了研究硅光电倍增器(SiPM)在低温下能否正常工作,选取了两种典型的SiPM,通过液氮制冷方式,对SiPM在不同温度下的反向伏安特性进行了研究。结果显示,不同SiPM的过偏压范围(VB~Vb)随温度的变化差别很大,并且微量水蒸气凝结仅对未封装的SiPM伏安特性的Vb~VB段有明显影响。分析实验结果得出,SiPM正常工作电压的范围在很大程度上受到衬底材料中缺陷...

  • 应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计

    作者:翟江皞; 李明; 祝晓笑; 刘昌举; 李毅强 刊期:2018年第03期

    随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求。为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构。该保护电路具有欠压保护与过流...

  • 大功率单隧道结半导体激光器的研制

    作者:陈健; 廖柯; 熊煜; 周勇; 刘尚军 刊期:2018年第03期

    针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值。采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200μm、腔长为900μm的单隧道结半导体激光器。在脉冲宽度为200ns、重复频率为5kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70W,并且无明显COD现象发生。在20A工作电...

  • 超紧凑全光纤马赫-曾德尔干涉仪及其应变特性研究

    作者:王婷婷; 沈娟; 王菲 刊期:2018年第03期

    设计了一种由封闭在光纤内的纺锤型空气腔和其周围的SiO2构成的三明治结构全光纤马赫-曾德尔干涉仪,并将其用于应变传感。纺锤型空气腔利用光子晶体光纤和普通单模光纤熔接后再拉锥形成。由于干涉仪的两个干涉臂介质为空气和SiO2,因此超短的干涉臂长使光传输损耗大大降低,构成了超紧凑马赫-曾德尔干涉仪。该干涉仪用于应变传感可大大减小弯曲带...

  • 等离激元共振增强多晶硅薄膜太阳电池性能研究

    作者:邵珠峰; 王婷; 王含; 姜皓文; 张宇峰; 钟敏; 杨秀娟 刊期:2018年第03期

    采用磁控溅射方法,在多晶硅薄膜太阳电池表面沉积了不同粒径大小的Au纳米粒子,利用粒径大小可调控的Au纳米粒子的局域表面等离激元共振增强效应(LSPR),对入射光中的可见光区域实现“光俘获”;采用UV-vis吸收光谱对LSPR进行了研究,结果表明,LSPR能够有效拓展Au纳米粒子的光谱响应范围(400~800nm),并且,随着Au纳米粒子粒径的增大,LSPR共振吸收峰呈...

  • 中间视觉下LED道路照明光源显色性能研究

    作者:王建平; 李伟; 徐晓冰; 李奇越; 孙伟 刊期:2018年第03期

    针对人眼中间视觉生理特征,研究了LED道路照明光源显色性评价方法。通过构建人眼中间视觉下的光视光效模型,获得了相应的光谱光视效率曲线和人眼敏感波长范围,给出了基于中间视觉的LED道路照明光源显色性评价及计算方法,建立了综合显色指数与光源主波长的函数关系式,并采用主观实验法和客观清晰度计算法进行了验证。计算与实验结果均表明,在满足...

  • PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究

    作者:龚加玮; 王琦琨; 雷丹; 吴亮 刊期:2018年第03期

    AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能。因此,氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点。为了减少AlN晶体中的氧杂质含量,通常在长晶之前使用粉料高温烧结工艺去除大部分的氧杂质。使用XRD及EGA等检测方法,对不同烧结工艺下AlN烧结过程中坩埚盖处的氧杂质沉积行为及其规律进行了对比研究。研究发现,使用低温(900~1 100℃)真空保温与1 5...

  • 基于光子带隙中模式截止特性的单模传输研究

    作者:徐小斌; 李金恒; 宋凝芳; 高福宇; 张智昊 刊期:2018年第03期

    空芯光子带隙光纤拥有优越的环境适应性,但光纤中的高阶模使其在多种场合下的应用受到制约。利用光子带隙内高阶模式在小于截止波长时被强烈抑制,而基模在该波段可以稳定存在的特性,提出了实现单模传输的方法,并通过实验验证了该方法的可行性。在此基础上仿真分析了包层参数对单模传输波段的影响,计算结果表明,单模传输波段的带宽随材料折射率的...

  • 铌酸锂光波导器件保偏尾纤对轴工艺研究

    作者:黄健; 郑帅峰; 雷成龙; 田自君; 华勇 刊期:2018年第03期

    基于采用退火质子交换工艺制备的铌酸锂光波导器件的保偏尾纤具有高偏振消光比这一特性,提出了一种通过偏振消光比测试仪测定器件保偏尾纤的偏振轴并实现与保偏连接头定位键高精度对准的方法。工艺实验证明,采用该方法制作的保偏尾纤连接头偏振轴向对准精度优于0.8°,显著优于显微成像定轴方法制作的保偏尾纤接头。